FS100R12KT3_04 [EUPEC]
EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode; EconoPACK3快速沟/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管
| 型号： | FS100R12KT3_04 |
| 厂家： | 
EUPEC GMBH |
| 描述： | EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
| 文件： | 总8页 (文件大小：341K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT3
EconoPACK™3 Modul mit schnellem Trench/Feldstop IGBT3 und High Efficiency Diode
EconoPACK™3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Vorläufige Daten / preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
I† ÒÓÑ
I†
100
140
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
200
480
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 100 A, V•Š = 15 V
I† = 100 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,70 2,15
1,90
V
V
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
Q•
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 4,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
5,0
5,8
0,90
7,5
6,5
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
7,10
0,30
nF
nF
mA
nA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
CØþÙ
I†Š»
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
5,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
I•Š»
tÁ ÓÒ
400
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 100 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,26
0,29
µs
µs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 100 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,03
0,05
µs
µs
tØ
tÁ ÓËË
tË
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 100 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,42
0,52
µs
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 100 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,07
0,09
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 100 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V, L» = 70 nH
R•ÓÒ = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
mJ
mJ
EÓÒ
10,0
10,0
400
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 100 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V, L» = 70 nH
R•ÓËË = 3,9 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
mJ
mJ
EÓËË
Kurzschlussverhalten
SC data
t« ù 10 µs, V•Š ù 15 V
TÝÎ = 125°C, V†† = 900 V, V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT
per IGBT
RÚÌœ†
0,26 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
0,09
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Mark Münzer
approved by: Robert Severin
date of publication: 2004-11-16
revision: 2.1
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT3
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1200
100
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
200
A
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
I²t - value
1950
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 100 A, V•Š = 0 V
IŒ = 100 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,65 2,15
1,65
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 100 A, - diŒ/dt = 2600 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
120
140
A
A
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 100 A, - diŒ/dt = 2600 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
10,0
20,0
µC
µC
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 100 A, - diŒ/dt = 2600 A/µs
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
5,00
9,00
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,48 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
0,14
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
T† = 25°C
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
20,0 mW
K
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
3375
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approved by: Robert Severin
date of publication: 2004-11-16
revision: 2.1
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT3
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AIè0é
10,0
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
7,5
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 225
min. typ. max.
0,009
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
21
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
1,80
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube / screw M5
M
G
3,00
-
6,00 Nm
g
Gewicht
weight
300
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revision: 2.1
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT3
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 125°C
V•Š = 15 V
200
200
180
160
140
120
100
80
180
160
140
120
100
80
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
60
60
40
40
20
20
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5 2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 3,9 Â, R•ÓËË = 3,9 Â, V†Š = 600 V
200
30
180
160
140
120
100
80
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
25
20
15
10
5
60
40
20
0
0
5
6
7
8 9
V•Š [V]
10
11
12
0
25
50
75
100 125 150 175 200
I† [A]
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approved by: Robert Severin
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revision: 2.1
4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 100 A, V†Š = 600 V
30
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
25
20
15
10
5
0,1
i:
rÍ[K/W]: 0,00493
0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499
1
2
3
4
0,01501 0,13088 0,10919
τÍ[s]:
0
0,01
0
4
8
12
16 20
R• [Â]
24
28
32
36
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlaßkennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 3,9 Â, TÝÎ = 125°C
250
200
150
100
50
200
180
160
140
120
100
80
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
60
40
I†, Modul
I†, Chip
20
0
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VΠ[V]
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approved by: Robert Severin
date of publication: 2004-11-16
revision: 2.1
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 3,9 Â, V†Š = 600 V
IŒ = 100 A, V†Š = 600 V
14
12
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
12
10
8
10
8
6
6
4
4
2
2
0
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
IΠ[A]
0
4
8
12
16 20
R• [Â]
24
28
32
36
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
1
ZÚÌœ† : Diode
0,1
i:
rÍ[K/W]: 0,00908
1
2
3
0,02726 0,24202 0,20164
4
τÍ[s]:
0,0000119 0,002364 0,02601 0,06499
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
prepared by: Mark Münzer
approved by: Robert Severin
date of publication: 2004-11-16
revision: 2.1
6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS100R12KT3
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
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date of publication: 2004-11-16
revision: 2.1
7
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