FS50R17KE3_B17 [EUPEC]
IGBT-modules; IGBT模块
| 型号： | FS50R17KE3_B17 |
| 厂家： | 
EUPEC GMBH |
| 描述： | IGBT-modules |
| 文件： | 总8页 (文件大小：285K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R17KE3_B17
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Vorläufige Daten / preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1700
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
I† ÒÓÑ
I†
50
82
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
100
345
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
+/-20
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 50 A, V•Š = 15 V
I† = 50 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
2,00 2,45
2,40
V
V
V†Š ÙÈÚ
V•ŠÚÌ
Q•
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 2,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
5,2
5,8
0,60
9,5
6,4
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1700 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
4,50
0,15
nF
nF
mA
nA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
CØþÙ
I†Š»
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
1,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
I•Š»
tÁ ÓÒ
400
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 50 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 8,0 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,37
0,40
µs
µs
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 50 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 8,0 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,04
0,05
µs
µs
tØ
tÁ ÓËË
tË
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 50 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 8,0 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,65
0,80
µs
µs
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 50 A, V†Š = 900 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 8,0 Â
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
0,18
0,30
µs
µs
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 50 A, V†Š = 900 V, L» = 30 nH
V•Š = ±15 V, di/dt = 1200 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C
R•ÓÒ = 8,0 Â
TÝÎ = 25°C
11,0
16,0
mJ
mJ
EÓÒ
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 50 A, V†Š = 900 V, L» = 30 nH
V•Š = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C
R•ÓËË = 8,0 Â
TÝÎ = 25°C
10,5
15,5
mJ
mJ
EÓËË
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 1000 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C
200
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT
per IGBT
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,36 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
0,19
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Martin Wölz
date of publication: 2006-3-2
revision: 2.0
approved by: Robert Severin
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R17KE3_B17
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1700
50
V
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
100
425
A
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
I²t - value
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 50 A, V•Š = 0 V
IŒ = 50 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
1,80 2,20
1,90
V
V
VŒ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 50 A, - diŒ/dt = 1200 A/µs (TÝÎ=125°C)
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
76,5
83,5
A
A
Iç¢
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 50 A, - diŒ/dt = 1200 A/µs (TÝÎ=125°C)
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
14,5
24,5
µC
µC
QØ
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 50 A, - diŒ/dt = 1200 A/µs (TÝÎ=125°C)
Vç = 900 V
V•Š = -15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
7,60
13,5
mJ
mJ
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode
per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,63 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
0,33
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
prepared by: Martin Wölz
date of publication: 2006-3-2
revision: 2.0
approved by: Robert Severin
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R17KE3_B17
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
3,4
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
12,4
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
10,0
12,4
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 225
min. typ. max.
0,02
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
40
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
2,50
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
150
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
125
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M5 - mounting according to valid application note
M
G
3,00
-
6,00 Nm
g
mounting torque
Gewicht
weight
180
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3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R17KE3_B17
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 125°C
V•Š = 15 V
100
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
V•Š = 20V
V•Š = 15V
V•Š = 12V
V•Š = 10V
V•Š = 9V
V•Š = 8V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
4,0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 8 Â, R•ÓËË = 8 Â, V†Š = 900 V
100
45
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
13
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
I† [A]
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date of publication: 2006-3-2
revision: 2.0
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4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R17KE3_B17
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 50 A, V†Š = 900 V
45
1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
40
35
30
25
20
15
10
5
0,1
0,01
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,036 0,108 0,144 0,072
4
τÍ[s]:
0,01 0,04 0,06 0,3
0
0,001
0,001
0
8
16 24 32 40 48 56 64 72 80
R• [Â]
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 8 Â, TÝÎ = 125°C
110
100
90
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
80
70
60
50
40
30
20
I†, Modul
I†, Chip
10
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
V†Š [V]
0,0
0,5
1,0
1,5
VΠ[V]
2,0
2,5
3,0
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date of publication: 2006-3-2
revision: 2.0
approved by: Robert Severin
5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R17KE3_B17
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 8 Â, V†Š = 900 V
IŒ = 50 A, V†Š = 900 V
25
20
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
20
15
10
5
15
10
5
0
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IΠ[A]
0
10
20
30
40
R• [Â]
50
60
70
80
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
1
ZÚÌœ† : Diode
0,1
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,063 0,189 0,252 0,126
4
τÍ[s]:
0,01 0,04 0,06 0,3
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
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revision: 2.0
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R17KE3_B17
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
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7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FS50R17KE3_B17
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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