MB85RC64A_技术文档

FUJITSU SEMICONDUCTOR

DS501-00019-2v0-J

DATA SHEET

メモリ FRAM

64 K (8 K × 8) ビット I²C

MB85RC64A

■ 概ꢀ要

MB85RC64Aは, 不揮発性メモリセルを形成する強誘電体プロセスとシリコンゲートCMOS プロセスを用いた8,192 ワー

ド× 8 ビット構成の FRAM (Ferroelectric Random Access Memory: 強誘電体ランダムアクセスメモリ ) です。

MB85RC64A は , SRAM のようにデータバックアップ用バッテリを使用しなくてもデータ保持が可能です。

MB85RC64A に採用しているメモリセルは書込み / 読出し動作でバイトあたり最低 10¹²回の耐久性があり , ほかの不揮

発性メモリ製品よりも大きく上回ります。

MB85RC64A では , フラッシュメモリや E²PROM のような長い書込み時間は不要のため , 1 バイト単位での書込みを実

現しています。したがって , ライトビジー状態のような書込み完了待ちシーケンスは必要としません。

■ 特ꢀ長

・ビット構成

：8,192 ワード× 8 ビット

・ 2 線式シリアルインタフェース：シリアルクロック(SCL) とシリアルデータ(SDA) の2 ポートですべての制御が可能

・動作周波数

：1 MHz (Max)

・書込み / 読出し耐性

・データ保持特性

・動作電源電圧

・低消費電力

：10¹²回 / バイト

：10 年 ( ＋ 85 °C), 95 年 ( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)

：2.7 V ～ 3.6 V

：動作電流 250 μA (Typ @1 MHz)

スタンバイ電流 5 μA (Typ)

・動作温度範囲

・パッケージ

：－ 40 °C ～＋ 85 °C

：プラスチック SOP, 8 ピン (FPT-8P-M02)

本製品は RoHS 指令に適合しています。

2013.2

MB85RC64A

■ 端子配列図

(TOP VIEW)

A0

A1

1

2

3

4

8

7

6

5

VDD

WP

SCL

SDA

A2

VSS

(FPT-8P-M02)

■ 端子機能説明

端子番号

端子名

機能説明

デバイスアドレス端子

本製品は同一データバス上に複数個 ( 最大 8 個 ) のデバイスを接続できます。デバイス

アドレスは , 各々のデバイスを認識するために使用します。外部で VDD 端子または

VSS 端子に接続してください。この VDD, VSS 端子の組み合わせが , SDA 端子から入力

されるデバイス • アドレス • コードと一致したデバイスのみ動作します。A0, A1, A2 端子

は内部で VSS 端子に各々プルダウンされており , 端子がオープンの場合は “L” レベルと

して認識します。

1 ～ 3

A0 ～ A2

4

5

VSS

SDA

グランド端子

シリアルデータ入出力端子

メモリアドレスやデータを送受信する双方向端子です。複数のデバイスを接続できま

す。出力はオープンドレインになっていますので , 外部回路にプルアップ抵抗が必要で

す。

シリアルクロック端子

シリアルデータ入出力タイミングのためのクロックを入力する端子です。クロック立上

りでデータを取り込み , 立下りでデータを出力します。

6

SCL

ライトプロテクト端子

ライトプロテクト端子が “H” レベルのとき , 書込み不可です。“L” レベルのとき , すべて

のメモリ領域が書換え可能です。読出しは , ライトプロテクト端子の状態にかかわらず

常に可能です。ライトプロテクト端子は内部で VSS 端子にプルダウンされており , 端子

がオープンの場合は “L” レベル ( 書込み可能状態 ) として認識します。

7

8

WP

VDD

電源電圧端子

2

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MB85RC64A

■ ブロックダイヤグラム

シリアル - パラレル

コンバータ

SDA

FRAM アレイ

8,192 × 8

SCL

WP

コラムデコーダ / センスアンプ /

ライトアンプ

A0, A1, A2

■ I²C (Inter-Integrated Circuit)

MB85RC64A は , 2 線式シリアルインタフェース , I²C バスに対応しており , スレーブデバイスとして動作します。I²C バ

スは , 通信の役割が「マスタ」側と「スレーブ」側で明確に異なり , マスタ側が制御の主導権を持ちます。

また , パーティライン構成が可能となっており , 1 つのマスタで複数のスレーブデバイスと接続できます。このときス

レーブ側はそれぞれ固有アドレスを持ち , マスタ側は , 通信するスレーブをアドレスで指定してから通信を開始します。

・I²C インタフェースのシステム構成例

VDD

プルアップ

抵抗

SCL

SDA

I²C バス

MB85RC64A

I²C バス

MB85RC64A

I²C バス

MB85RC64A

I²C バス

マスタ

...

A2 A1 A0

0

デバイスアドレス

0

1

0

1

0

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3

MB85RC64A

■ I²C 通信の開始と終了

I²C バスは , 2 線だけで通信を実現するため , SDA 入力の切り換えを SCL が “L” レベルの期間内に行ってください。

ただし例外的に , 通信の開始と終了については SCL が “H” レベルの期間内に SDA を切り換えてください。

・スタート・コンディション

I²Cバスが, 読出しまたは書込みの動作を開始するには, SCL入力が“H”レベルの期間に, SDA入力を“H”レベルから“L”

レベルに設定してください。

・ストップ・コンディション

I²Cバスの通信を終了するには, SCL入力が“H”レベルの期間に, SDA入力を“L”レベルから“H”レベルに設定してくださ

い。読出し動作の場合には , ストップ・コンディションを入力することで読出しが終了し , スタンバイ状態になります。書

込み動作の場合には , ストップ・コンディション入力で書換えデータの入力が終了し , スタンバイ状態になります。

・スタート・コンディション , ストップ・コンディション

SCL

SDA

“H” or “L”

Start

Stop

（注意事項）FRAM デバイスでは書込み動作時 , ストップ・コンディション後のメモリ書込み待ち期間 (t^WC) は必要ありま

せん。

■ アクノリッジ (ACK)

I²C では , アドレス情報や , メモリ情報などのシリアルデータを 8 ビット単位で送受信します。ACK 信号とは , この

8 ビットデータごとに , 正常に送信 , または受信されたことを示す信号です。8 ビットの送受信が行われるたび SCL の 9 ク

ロック目に , 受信側が毎回 “L” レベルを出力します。送信側では , この 9 クロック目で ACK 信号を受信確認するため , 一

時的にバスを解放します。この解放期間中に , 受信側では SDA ラインにプルダウンを返して通信が正常なことを示しま

す。

Slave 側が , ACK “L” レベル応答前または受信前にストップ・コンディションを受信した場合 , 動作を終了してスタンバ

イ状態になります。

一方 , Slave 側は ,NACK “H” レベル応答後または受信後にバスを解放状態にします。Master 側は , このバス開放期間に ,

ストップ・コンディションまたはスタート・コンディションを生成します。

・アクノリッジのタイミング説明図

1

2

3

8

9

SCL

SDA

ACK

送信側は 9 ビット目に , 必ず SDA を解放してください。

このとき受信側は , 直前 8 ビットの受信が正常ならばプ

ルダウンを出力します (ACK 応答 )。

Start

4

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MB85RC64A

■ デバイス・アドレス・ワード (Slave address)

スタート・コンディションに続いて , 8 ビットのデバイス・アドレス・ワードを入力します。この入力で , デバイスは読出

しまたは書込み動作のいずれかを決定します。デバイス・アドレス・ワード (8 ビット ) は , デバイス・コード (4 ビット ), デ

バイス・アドレスコード (3 ビット ), Read / Write コード (1 ビット ) の 3 コードで構成されます。

・デバイス・コード (4 ビット )

デバイス・アドレス・ワードの上位 4 ビットはデバイス・タイプを識別するデバイス・コードで , 本製品では “1010” で固定

です。

・デバイス・アドレス・コード (3 ビット )

デバイス・コードに続けてデバイス・アドレス・コード (3 ビット ) を A2, A1, A0 の順に入力します。デバイス・アドレス・

コードは, バスに最大8 個接続されたデバイスのうち, どれを選択するかを決定します。デバイスアドレス端子には, 3ビッ

トのユニークな値を割り振ります。デバイスアドレス端子に割り振られたこの値と , 入力されたデバイス・アドレス・コー

ドとが一致したデバイスが選択されます。

・Read/Write コード (1 ビット )

デバイス・アドレス・ワードの 8 ビット目は , R/W (Read/Write) コードです。“0” 入力の場合は書込み動作 , “1” 入力の場合

は読出し動作です。なお, デバイス・コードが“1010”でない場合, もしくはデバイス・アドレス・コードが一致しない場合は,

読出し / 書込み動作に入らずスタンバイ状態のままです。

・デバイス・アドレス・ワード

2

Start

1

2

3

4

5

6

7

8

9

1

..

SCL

SDA

ACK

A

1

0

1

0

R/W

S

A2 A1 A0

Read/Write コード

デバイス・コード

デバイス・アドレス・

コード

マスタからのアクセス

スレーブからのアクセス

スタート・コンディション

S

A

ACK (SDA が “L” レベル )

■ データ構成

I²C では , マスタがスタート・コンディションに続きデバイス・アドレス・ワード (8 ビット ) を入力した後 , スレーブが 9

ビット目に ACK “L” レベルを出力します。マスタは ACK 応答を確認した後 , 続いて 8 ビット× 2 のメモリ • アドレスを入

力します。

メモリ・アドレスの入力ごとに , スレーブは再び ACK“L” レベルを出力します。この後 , 入出力のデータが 8 ビット単位

で続き , 以降 8 ビットごとに ACK“L” レベルを出力します。

デバイス・アドレス・ワードの 8 ビット目 , R/W コードに従って , データラインをマスタとスレーブどちらが駆動するか

を決定します。ただし , クロックは必ずマスタが駆動します。書込み動作時は , スレーブがマスターから 8 ビットを受信し

た後 , ACK 信号を返します。マスターがその ACK 信号を確認した後 , 次の 8 ビットを送信します。読出し動作時は , スレー

ブが 8 ビットを送信した後 , マスターからの ACK 信号を待ちます。

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■ FRAM のアクノリッジ・ポーリング不要について (Acknowledge Polling)

FRAM デバイスは書込み時間が高速なため , アクノリッジ・ポーリングによる ACK 待ち * は発生しません。

＊：E²PROM では , 書換え中か否かを判定する機能として , アクノリッジ・ポーリングがあります。書換えの期間中 , ス

タート・コンディションに続いてデバイス・アドレス・ワード (8 ビット ) を入力し , 9 ビット目のアクノリッジに

よって書換え中か否かを判定するのが一般的です。

■ ライトプロテクト (WP)

ライトプロテクト端子を “H” レベルにすることで , 全メモリアレイが書込み禁止になります。ライトプロテクト端子が

“L” レベルの場合は , 全メモリアレイの書換えができます。読出しは , ライトプロテクト端子が “H” レベル , “L” レベルに

かかわらず可能です。

（注意事項）ライトプロテクト端子は内部で VSS 端子にプルダウンされており , 端子がオープンの場合は “L” レベル ( 書

込み可能状態 ) として認識します。

6

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MB85RC64A

■ コマンド

・Byte Write

スタート・コンディションに続いてデバイス・アドレス・ワード (R/W “0” 入力 ) を送信することで , スレーブから ACK を

応答します。この ACK 後 , 同様に書込みメモリアドレス , 書込みデータを送信し , 最後にストップ・コンディションを発行

することで書込みが完了します。

Address

High 8bits

Address

Low 8bits

Write

Data 8bits

1

0

1

0 A2 A1 A0 0

A

A P

S

0 0 0 X X X X X

X X X X X X XX

マスタからのアクセス

MSB

LSB

スレーブからのアクセス

S

P

A

スタート・コンディション

ストップ・コンディション

ACK(SDA が “L” レベル )

（注意事項）MB85RC64Aでは, アドレスは13ビットで表されるため, MSBの上位3ビットには“000”を入力してください。

・Page Write

Byte Write と同様のコマンド ( ストップ・コンディションを除く ) を送信した後 , 連続してデータ送信することで , 次の

メモリアドレス以降も書込みます。

最終メモリアドレスに到達すると先頭メモリアドレス (0000^H) にロールオーバします。したがって , 8 K バイト以上送

信した場合 , 最初に書込みした FRAM メモリアドレスの先頭から順に上書きされていきます。

なお , FRAM は書込みが高速なため , ACK の応答が完了した直後には , 不揮発性メモリへのデータ書込みが既に完了し

ています。

Address

High 8bits

Address

Low 8bits

Write

Data 8bits

Write

Data

...

1

0 1 0 A2 A1 A0 0 A

A

P

S

マスタからのアクセス

スレーブからのアクセス

スタート・コンディション

S

P

ストップ・コンディション

ACK(SDA が “L” レベル )

A

（注意事項）ストップ・コンディション発行後, バッファからメモリへの内部書込みサイクル期間をとる必要はありません。

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・Current Address Read

前回の書込みまたは読出し動作をストップ・コンディションまで正常終了した場合 , その最後にアクセスしたアドレス

を n とすると , そのまま電源 OFF せずに下記コマンドを送信することで , n+1 アドレスを読み出せます。前回アドレスが

最終アドレスの場合は , 先頭メモリアドレス (0000^H) にロールオーバーして読み出します。電源立ち上げ直後の Current

Address ( メモリアドレスバッファが示すアドレス ) は不定です。

マスタからのアクセス

スレーブからのアクセス

アドレス n+1

Read

Data 8bits

1

0 1 0 A2 A1 A0 1 A

N P

S

スタート・コンディション

ストップ・コンディション

ACK(SDA が “L” レベル )

NACK (SDA が “H” レベル )

S

P

A

N

・Random Read

書込みと同様にアドレス指定した後 , 再度スタート・コンディションを発行して , デバイス・アドレス・ワード (R/W “1”

入力 ) を送信することによって , メモリアドレスバッファに保存されていたメモリアドレス番地から , 1 バイトのデータ

を , SCL に同期して読み出せます。

最後のNACK (SDAが“H”レベル)は, データを受信したレシーバから発行します。この場合はマスタ側からの発行です。

Address

High 8bits

Address

Low 8bits

Read

Data 8bits

1

0

1

0 A2 A1 A0 0

A

1

0

1

0 A2 A1 A0 1

A

N P

S

マスタからのアクセス

スレーブからのアクセス

S

P

A

N

スタート・コンディション

ストップ・コンディション

ACK(SDA が “L” レベル )

NACK (SDA が “H” レベル )

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・Sequential Read

Random Read と同様のアドレス指定 , デバイス・アドレス・ワード (R/W "1" 入力 ) に続けて , データを連続して受信でき

ます。

最終アドレスに到達すると , 読出しアドレスは自動的に先頭メモリアドレス (0000^H) へロールオーバし読出しを続けま

す。

Read

Data

Read

Data 8bits

Read

Data 8bits

...

A

N

P

マスタからのアクセス

スレーブからのアクセス

ストップ・コンディション

P

A

N

ACK(SDA が “L” レベル )

NACK (SDA が “H” レベル )

■ ソフトウェアリセットまたはコマンドリトライ

電源立上げ後の誤動作 , I²C 通信中にマスタ側が処理を中止した場合 , または , 予期しない誤動作が発生した場合に , 次

に示す , (1) ソフトウェアリセットを各コマンドの実行直前に , または , (2) コマンドリトライを各コマンドのエラー直後

に , マスタ側から実行してください。

(1) ソフトウェアリセット

スレーブ側の SDA 出力が “L” を出力している場合がありますので , マスタ側から SDA を駆動する場合は , 強制的に “H”

を駆動しないでください。バスコンフリクトを防ぐためです。ここに示すソフトウェアリセットは, ハードウェアの追加は

不要です。

9 回の “ スタートコンディションおよび 1 つのデータ “1””

SCL

SDA

プルアップ抵抗による Hi-Z 状態

スタートコンディションおよび 1 つのデータ “1” を送信する。

Read または Write コマンドの直前に , これらを 9 回繰り返す。

(2) コマンドリトライ

I²C の通信中に予期しない応答が返ってきた場合は , コマンドを再送してください。

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■ 絶対最大定格

定格値

項目

記号

単位

最小

－ 0.5

－ 40

－ 55

最大

V^DD

V^IN

+4.0

V

電源電圧 *

V

入力電圧 *

VDD ＋ 0.5 ( ≦ 4.0)

＋ 85

V^OUT

T^A

V

出力電圧 *

°C

動作周囲温度

Tstg

保存温度

＋ 125

＊：VSS ＝ 0 V を基準にした値です。

＜注意事項＞絶対最大定格を超えるストレス ( 電圧 , 電流 , 温度など ) の印加は , 半導体デバイスを破壊する可能性があ

ります。したがって , 定格を一項目でも超えることのないようご注意ください。

■ 推奨動作条件

規格値

項目

記号

V^DD

V^IH

単位

V

最小

標準

最大

2.7

3.3

3.6

電源電圧 *

V^DD＋ 0.5

( ≦ 4.0)

⎯

V

“H” レベル入力電圧 *

VDD × 0.8

V^IL

T^A

⎯

V

“L” レベル入力電圧 *

－ 0.5

－ 40

＋ 0.6

＋ 85

°C

動作周囲温度

＊：VSS ＝ 0 V を基準にした値です。

＜注意事項＞推奨動作条件は , 半導体デバイスの正常な動作を保証する条件です。電気的特性の規格値は , すべてこの条

件の範囲内で保証されます。常に推奨動作条件下で使用してください。この条件を超えて使用すると , 信頼

性に悪影響を及ぼすことがあります。

データシートに記載されていない項目 , 使用条件 , 論理の組合せでの使用は , 保証していません。記載され

ている以外の条件での使用をお考えの場合は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。

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■ 電気的特性

1. 直流特性

( 推奨動作条件において )

規格値

項目

記号

条件

単位

最小

⎯

標準

⎯

最大

1

|I^LI|

|ILO|

I^DD

μA

入力リーク電流

出力リーク電流

動作電源電流

SCL, SDA ＝ 0 V ～ V^DD

SDA ＝ 0 V ～ V^DD

SCL ＝ 1 MHz

⎯

1

⎯

250

375

SCL, SDA ＝ VDD

A0, A1, A2, WP ＝ 0 V または

V^DD

I^SB

⎯

5

20

μA

スタンバイ電流

VOL

⎯

50

1

⎯

0.4

⎯

V

“L” レベル出力電圧

IOL ＝ 3 mA

kΩ

MΩ

VIN ＝ VIL ( 最大 )

V^IN＝ VIH ( 最小 )

WP, A0, A1, A2 端子の

入力抵抗

R^IN

2. 交流特性

規格値

高速モード高速モードプラス単位

項目

記号

標準モード

最小

0

最大

100

⎯

最小

0

最大

400

⎯

最小

0

最大

1000

⎯

FSCL

T^HIGH

T^LOW

T^r

kHz

ns

SCL クロック周波数

クロックハイ時間

クロックロー時間

SCL/SDA 立上り時間

SCL/SDA 立下り時間

4000

4700

⎯

600

1300

⎯

400

600

⎯

1000

300

⎯

300

⎯

300

100

⎯

T^f

⎯

T^HD:STA

TSU:STA

T^HD:DAT

T^SU:DAT

TDH:DAT

T^SU:STO

T^AA

4000

4700

0

600

0

250

0

Start コンディション条件のホールド

Start コンディション条件のセットアップ

SDA 入力ホールド

⎯

250

0

⎯

100

0

⎯

100

0

⎯

SDA 入力セットアップ

⎯

SDA 出力ホールド

4000

⎯

600

⎯

250

⎯

Stop コンディション条件のセットアップ

SCL 立下りからの SDA 出力アクセス

プリチャージ時間

3000

⎯

900

⎯

550

⎯

TBUF

4700

1300

500

ノイズサプレッション時間

(SCL 端子 , SDA 端子 )

T^SP

⎯

50

⎯

50

⎯

50

ns

交流特性は , 以下の測定条件とする。

電源電圧

：2.7 V ～ 3.6 V

：－ 40 °C ～＋ 85 °C

：0.3 V ～ 2.7 V

：5 ns

動作周囲温度

入力電圧振幅

入力立上り時間

入力立下り時間

入力判定レベル

出力判定レベル

：5 ns

：V^DD/2

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3. 交流タイミングの定義

T^SU:DAT

T^HD:DAT

V^IH

V^IL

V^IH

V^IL

V^IH

V^IL

V^IH

V^IL

SCL

Stop

Start

V^IL

V^IH

V^IL

V^IH

V^IL

V^IH

V^IL

SDA

V^IL

T^SU:STAT^HD:STA

T_SU:STO

T_r

T_f

T^HIGH

T^LOW

V^IH

V^IL

V^IH

V^IL

V^IH

V^IL

SCL

SDA

Stop

Start

V^IL

V^IH

V^IL

V^IH

V^IL

T_BUF

T_r

T_AA

T_f

T_DH:DAT

T_sp

V^IH

SCL

SDA

V^IL

V^IH

V^IL

V^IH

V^IL

Valid

V^IL

1/FSCL

4. 端子容量

規格値

項目

記号

条件

単位

最小

標準

⎯

最大

15

C^I/O

C^IN

⎯

pF

入出力容量

入力容量

VDD ＝ VIN ＝ VOUT ＝ 0 V,

f ＝ 1 MHz, T^A＝＋ 25 °C

⎯

15

5. AC 試験負荷回路

3.3 V

1.1 k

Ω

Output

100 pF

12

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MB85RC64A

■ 電源投入・切断シーケンス

VDD が 2V を切った後に電源の再立ち上げを行う場合は , 誤動作を回避するために VDD を 0V から立ち上げる必要が

あります ( 下図参照 )。

tr

tpu

tpd

V_DD

2.7 V

V

IH (Min)

V

IH (Min)

1.0 V

VIL (Max)

V

IL (Max)

0 V

*

SDA, SCL >V^DD× 0.8

SDA, SCL : Don't care

SDA, SCL >VDD × 0.8

SDA, SCL

＊：SDA, SCL (Max) ＜ VDD ＋ 0.5 V

規格値

項目

記号

単位

最小

85

最大

⎯

tpd

tpu

tr

ns

μs

電源 OFF 時の SDA, SCL レベル保持時間

電源 ON 時の SDA, SCL レベル保持時間

電源立上げ時間

85

⎯

10

⎯

規定されたリードサイクル , ライトサイクルまたは電源投入・切断シーケンスを守らない動作が実行された場合 , 記憶

データの保証はできません。

■ FRAM の特性

項目

最小

10¹²

10

最大

⎯

単位

パラメータ

書込み / 読出し耐性 *¹

回 / バイト動作周囲温度 T^A＝＋ 85 °C

動作周囲温度 T^A＝＋ 85 °C

⎯

データ保持特性 *²

年

動作周囲温度 T^A＝＋ 55 °C

動作周囲温度 T^A＝＋ 35 °C

95

⎯

≧ 200

＊ 1：FRAM は破壊読出しを行っているため , 書込みおよび読出し回数の合計が書込み / 読出し耐性の最小値です。

＊ 2：データ保持特性の最小年数は , 出荷直後に初めて読み書きしたデータの保持時間です。

これらの保持時間は , 信頼性評価結果からの換算値です。

■ 使用上の注意

・ IR リフロー前に書き込まれたデータを IR リフロー後に保持することは , 保証していません。

・スタート・コンディションからストップ・コンディションまでのアクセス期間中 , WP, A0, A1, A2 信号は VDD 端子レベ

ルまたは VSS 端子レベルに固定してください。

DS501-00019-2v0-J

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MB85RC64A

■ ESD・ラッチアップ

DUT

試験項目

規格値

＋ 2000 V 以上

－ 2000 V 以下

ESD HBM( 人体帯電モデル )

JESD22-A114 準拠

＋ 200 V 以上

－ 200 V 以下

ESD MM( マシンモデル )

JESD22-A115 準拠

ESD CDM( デバイス帯電モデル )

JESD22-C101 準拠

⎯

ラッチアップ ( パルス電流注入法 )

JESD78 準拠

MB85RC64APNF-G-JNE1

ラッチアップ ( 電源過電圧法 )

JESD78 準拠

ラッチアップ ( 電流法 )

Proprietary method

ラッチアップ (C-V 法 )

Proprietary method

・ラッチアップ ( 電流法 )

保護抵抗

A

VDD

供試端子

I

IN

VDD

( 最大定格 )

DUT

VSS

+

-

VIN

V

基準端子

( 注意事項 ) VIN の電圧を徐々に増加させ , IIN を最大 300 mA まで流し込みます ( または流し出します )。

I^IN＝± 300 mA まで , ラッチアップが発生しないことを確認します。

ただし , I/O に特別な規格があり I^INを 300 mA とすることができない場合は , その特別な規格値まで電圧レベ

ルをあげます。

14

DS501-00019-2v0-J

MB85RC64A

・ラッチアップ (C-V 法 )

保護抵抗

A

VDD

1

2

供試端子

VDD

( 最大定格 )

SW

C

DUT

+

-

V

IN

V

200pF

VSS

基準端子

( 注意事項 ) SW を約 2 秒間隔で 1 ～ 2 に交互に切り替え , 電圧を印加します。

これを 1 回とし , 5 回行います。

ただし , 5 回までにラッチアップ現象が発生した場合は , 直ちに試験を中止します。

DS501-00019-2v0-J

15

MB85RC64A

■ リフロー条件および保管期限

項目

内容

実装方法

実装回数

IR ( 赤外線リフロー ) , 温風リフロー

2 回

開梱前

製造後 2 年以内にご使用ください。

開梱～ 2 回目リフロー迄の

8 日以内

保管期間

ベーキング (125 °C ± 3 °C, 24hrs ＋ 2H/ － 0H)

を実施の上 , 8 日以内に処理願います。

ベーキングは 2 回まで可能です。

開梱後の保管期間を

超えた場合

保管条件

5 °C ～ 30 °C, 70％RH 以下 ( できるだけ低湿度 )

リフロープロファイル

260°C

255°C

本加熱

170 °C

~

190 °C

(b)

(c)

(d)

(e)

RT

(a)

(d')

(a) 温度上昇勾配

(b) 予備加熱

：平均 1 °C/s ～ 4 °C/s

：温度 170 °C ～ 190 °C, 60 s ～ 180 s

：平均 1 °C/s ～ 4 °C/s

：温度 260 °C Max

255 °C up 10 s 以内

(c) 温度上昇勾配

(d) ピーク温度

(d’) 本加熱

：温度 230 °C up 40 s 以内

or

温度 225 °C up 60 s 以内

or

温度 220 °C up 80 s 以内

：自然空冷または強制空冷

(e) 冷却

( 注意事項 ) パッケージボディ上面温度を記載

16

DS501-00019-2v0-J

MB85RC64A

■ 規制物質

本製品は下記の法規制に適合しています (2011 年 11 月現在 )。

・ EU RoHS 指令 (2002/95/EC および関連 EU 委員会決定 )

・中国 RoHS ( 電子情報製品汚染制御管理弁法 (

・ベトナム RoHS (30/2011/TT-BCT)

))

下表に各規制物質の含有状況を示します。

規制物質

閾値

含有状況^＊

1,000 ppm

100 ppm

鉛およびその化合物

○

水銀およびその化合物

カドミウムおよびその化合物

六価クロム化合物

1,000 ppm

ポリ臭化ビフェニール (PBB)

ポリ臭化ジフェニルエーテル (PBDE)

＊：○は , 閾値以下を示します。

DS501-00019-2v0-J

17

MB85RC64A

■ オーダ型格

型格

パッケージ

出荷形態

最小出荷単位

プラスチック・SOP, 8 ピン

MB85RC64APNF-G-JNE1

1

チューブ

(FPT-8P-M02)

プラスチック・SOP, 8 ピン

MB85RC64APNF-G-JNERE1

1500

エンボステーピング

(FPT-8P-M02)

18

DS501-00019-2v0-J

MB85RC64A

■ パッケージ・外形寸法図

1.27mm

プラスチック・SOP, 8 ピン

リードピッチ

パッケージ幅×

パッケージ長さ

3.9mm × 5.05mm

リード形状

封止方法

取付け高さ

質量

ガルウィング

プラスチックモールド

1.75mm MAX

0.06g

(FPT-8P-M02)

プラスチック・

（FPT-8P-M02）

ピン

注1）* 印寸法はレジン残りを含む。

注2）* 印寸法はレジン残りを含まず。

注3）端子幅および端子厚さはメッキ厚を含む。

注4）端子幅はタイバ切断残りを含まず。

+0.25

¹5.05 ^–0.20.199 ⁺^–.^.⁰⁰⁰¹⁸⁰

0.22 ⁺^–0⁰^.^.⁰⁰⁷³

.009 ⁺^–.^.⁰⁰⁰⁰³¹

*

8

5

*

²3.90±0.30 6.00±0.20

(.154±.012) (.236±.008)

Details of "A" part

45°

1.55±0.20

(Mounting height)

(.061±.008)

0.25(.010)

0.40(.016)

0~8

°

"A"

1

4

1.27(.050)

0.44±0.08

(.017±.003)

M

0.13(.005)

0.50±0.20

(.020±.008)

0.15±0.10

(.006±.004)

(Stand off)

0.60±0.15

(.024±.006)

0.10(.004)

単位：mm （inches）

注意：括弧内の値は参考値です。

C

2002-2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED F08004S-c-5-10

最新の外形寸法図については , 下記 URL にてご確認ください。

http://edevice.fujitsu.com/package/jp-search/

DS501-00019-2v0-J

19

MB85RC64A

■ 捺印図

[MB85RC64APNF-G-JNE1]

[MB85RC64APNF-G-JNERE1]

RC64A

E11000

300

[FPT-8P-M02]

20

DS501-00019-2v0-J

MB85RC64A

■ 包装

1. チューブ

1.1 チューブ寸法図

・チューブ・ストッパ形状

チューブ

透明ポリエチレンテレフタレート

( 帯電防止処理有 )

ストッパ

( 帯電防止処理有 )

チューブ長さ 520 mm

・チューブ断面形状 , 最大収納数

パッケージ形状

SOP, 8 プラスチック (2)

最大収納個数

パッケージコード

個 / チューブ

個 / 内装箱

個 / 外装箱

FPT-8P-M02

95

7600

30400

7.4

6.4

4.4

2006 FUJITSU LIMITED F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-1

F08008-SET1-PET:FJ99L-0022-E0008-1-K-3

C

t ＝ 0.5

透明ポリエチレンテレフタレート

( 単位：mm)

DS501-00019-2v0-J

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MB85RC64A

1.2 チューブ防湿包装仕様書

IC

チューブ

ストッパ

SOP 用

Index mark

＊ 1 ＊ *3

アルミラミネート袋

表示Ⅰ

アルミラミネート袋

防湿

袋詰め

乾燥剤

湿度インジケータ

熱シール

アルミラミネート袋 ( チューブ入 )

内装箱

気泡クッション

内装箱

＊ 1 ＊ 3

表示Ⅰ

気泡クッション

外装箱 ( 段ボール ) ^{＊ 2}

外装箱

包装テープ

表示Ⅱ -A^{＊ 3}

表示Ⅱ -B^{＊ 3}

G

Pb

」が付きます。

＊ 1：製品末尾に「E1」が付与された製品には

,

内装製品表示ラベルに鉛フリー表示マーク「

＊ 2

：

内装箱が端数の場合には , 空内装箱 , 緩衝材またはスペーサー等により , 隙間を調整いたします。

＊ 3

表示ラベルは別紙参照

( 注意事項 ) 上記は , 富士通セミコンダクター株式会社から出荷される包装形態を示しているため , 特約店経由の場合に

は , 異なる場合があります。

22

DS501-00019-2v0-J

MB85RC64A

1.3 製品表示ラベル

表示Ⅰ：内装箱／アルミラミネート袋／ ( エンボステーピングの場合には , リールにも貼付 )

製品表示 [C-3 ラベル (50mm × 100mm) ＋補助ラベル (20mm × 100mm)]

(顧客製品型格ꢀ又は、富士通製品型格)

XXXXXXXXXXXXXX

C-3 ラベル

(鉛ﾌﾘｰﾏｰｸ)

(3N)1 XXXXXXXXXXXXXX

XXX

(上記製品型格+製品数量のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

ＱＣꢀＰＡＳＳ

(検査ꢀ済)

(3N)2 XXXXXXXXXX XXXXXX

(富士通管理番号のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

XXX pcs

(製品数量)

XXXXXXXXXXXXXX

(顧客製品型格ꢀ又は、富士通製品型格)

(上記製品型格のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

ASSEMBLED IN xxxxx

XXXX/XX/XX (包装年月日)

ミシン目

XXXXXXXXXXXXXXX

(富士通管理番号のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

XX/XX

(顧客製品型格ꢀ又は、富士通製品型格)

XXXX-XXX

XXX

補助ラベル

(包装追番)

XXXXXXXXXX

(富士通管理番号)

(特記事項)

(製品ﾛｯﾄ情報＋製品数量)

XXXXXXXXXXXXXX

表示Ⅱ -A：外装箱製品表示 [D ラベル ] (100mm × 100mm)

D ラベル

発注者ꢀꢀXXXXXXXXXXXXX (送付先名)

(CUST.)

受注者 (VENDOR)

富士通

受渡場所名ꢀꢀXXXXXXXXX (送付先住所)

(DELIVERY POINT）

セミコンダクター株式会社

XXXXXXX (富士通管理番号)

XXXXXXXXXXXXXXX

納品キー番号ꢀXXXXXXXXXXXXXX

(TRANS.NO.)

品名ｺｰﾄﾞꢀꢀꢀXXXXXXXXXXXXXX

(PART NO.) ꢀ ꢀꢀ (製品型格)

ꢀ(製品型格)

品名 (PART NAME) XXXXXXXXXXXXXX (製品型格)

入数／納入数量

XXX／XXX

単位

XX

(Q'TY / TOTAL Q'TY)

(UNIT)

発注者用備考 (CUSTOMER'S REMARKS)

XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX

梱包個数 (PACKAGE COUNT)

XXX／XXX

(3N)3 XXXXXXXXXXXXXX XXX

(3N)4 XXXXXXXXXXXXXX XXX

(3N)5 XXXXXXXXXX

(富士通管理番号+製品数量)

(富士通管理番号+製品数量のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

(製品型格+製品数量)

(製品型格+製品数量のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

(富士通管理番号)

(富士通管理番号のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

表示Ⅱ -B：外装箱製品表示

XXXXXXXXXXXXXX（製品型格）

（製品ﾛｯﾄ情報）

ꢀꢀꢀXXXX-XXX

（箱数）ꢀꢀꢀ（数量）

ꢀX 箱ꢀꢀꢀꢀꢀXXX 個

ꢀꢀ計ꢀꢀꢀꢀꢀXXX 個

( 注意事項 ) 発送状況により , 外装箱製品表示Ⅱ -A, B は貼付されない場合があります。

DS501-00019-2v0-J

23

MB85RC64A

1.4 包装箱外形寸法図

(1) 内装箱

H

W

L

W

H

540

125

75

( 単位：mm)

(2) 外装箱

H

W

L

W

H

565

270

180

( 単位：mm)

24

DS501-00019-2v0-J

MB85RC64A

2. エンボステープ

2.1 テープ寸法図

最大収納個数

パッケージコード

リール No

個 / リール個 / 内装箱個 / 外装箱

FPT-8P-M02

3

1500

10500

2±0.05

4±0.1

+0.1

0.3±0.05

8±0.1

ø1.5

–0

B

+0.1

ø1.5

–0

A

B

A

SEC.B-B

6.4±0.1

3.9±0.2

SEC.A-A

C

2012 FUJITSU SEMICONDUCTOR LIMITED SOL8-EMBOSSTAPE9 : NFME-EMB-X0084-1-P-1

単位：mm

材質：導電性ポリスチレン

耐熱温度：耐熱性ではありません。

テープ，リールでのベーキング処理はできません。

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MB85RC64A

2.2 IC の方向

Index mark

・ER タイプ

( 引出側 )

( リール側 )

( 引出側 )

2.3 リールの寸法

リール穴寸法

E

*

W1

W2

r

W3

^*：ハブ部の幅寸法

単位：mm

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

56

13

14

16

15

リール No

テープ幅

8

12

16

24

32

44

12

24

記号

254

330

254

330

254

330

A

330 ± 2

± 2

+2

-0

+2

-0

+2

-0

+2

-0

+2

-0

+2

-0

B

C

100 ± 2

100

150

100

150

100

+0.5

-0.2

13 ± 0.2

21 ± 0.8

13

+1

-0.2

D

20.5

E

2 ± 0.5

32.4

+2

-0

+2

-0

+2

-0

+2

-0

+2

-0

+2

-0

+2

-0

+1

-0

+1

-0

+0.1

24.4

-0

W1

8.4

12.4

16.4

24.4

44.4

56.4

12.4

16.4

14.4

62.4

18.4

22.4

30.4

以下

24.4

26.4

W2

18.4 以下

22.4 以下

30.4 以下

38.4 以下

50.4 以下

以下

7.9

～

55.9

～

12.4

～

16.4

～

W3

11.9

～

15.4

15.9

～

19.4

23.9

～

27.4

31.9

～

35.4

43.9 ～ 47.4

10.9

59.4

14.4

18.4

r

1.0

26

DS501-00019-2v0-J

MB85RC64A

2.4 テーピング (φ330mm リール ) 防湿包装仕様書

外径：φ330 mm リール

＊ 1, ＊ 4

表示Ⅰ

エンボス

テーピング

＊ 1, ＊ 4

表示Ⅰ

乾燥剤

湿度インジケータ

防湿

袋詰め

アルミラミネート袋

＊ 1, ＊ 4

表示Ⅰ

熱シール

内装箱

＊ 1, ＊ 4

表示Ⅰ

テープ止め

外装箱 ( 段ボール ) ^{＊ 2, ＊ 3}

外装箱

包装テープ

表示Ⅱ -B^{＊ 4}

表示Ⅱ -A^{＊ 4}

＊ 1：製品末尾に「E1」が付与された製品には

G

Pb

」が付きます。

,

内装製品表示ラベルに鉛フリー表示マーク「

＊ 2

＊ 3

＊ 4

：

出荷数量により , 他の外装箱を使用する場合があります。

内装箱が端数の場合には , 空内装箱 , 緩衝材またはスペーサー等により , 隙間を調整いたします。

表示ラベルは別紙参照

( 注意事項 ) 上記は , 富士通セミコンダクター株式会社から出荷される包装形態を示しているため , 特約店経由の場合に

は , 異なる場合があります。

DS501-00019-2v0-J

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MB85RC64A

2.5 製品表示ラベル

表示Ⅰ：内装箱／アルミラミネート袋／ ( エンボステーピングの場合には , リールにも貼付 )

製品表示 [C-3 ラベル (50mm × 100mm) ＋補助ラベル (20mm × 100mm)]

(顧客製品型格ꢀ又は、富士通製品型格)

XXXXXXXXXXXXXX

C-3 ラベル

(鉛ﾌﾘｰﾏｰｸ)

(3N)1 XXXXXXXXXXXXXX

XXX

(上記製品型格+製品数量のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

ＱＣꢀＰＡＳＳ

(検査ꢀ済)

(3N)2 XXXXXXXXXX XXXXXX

(富士通管理番号のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

XXX pcs

(製品数量)

XXXXXXXXXXXXXX

(顧客製品型格ꢀ又は、富士通製品型格)

(上記製品型格のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

ASSEMBLED IN xxxxx

XXXX/XX/XX (包装年月日)

ミシン目

XXXXXXXXXXXXXXX

(富士通管理番号のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

XX/XX

(顧客製品型格ꢀ又は、富士通製品型格)

XXXX-XXX

XXX

補助ラベル

(包装追番)

XXXXXXXXXX

(富士通管理番号)

(特記事項)

(製品ﾛｯﾄ情報＋製品数量)

XXXXXXXXXXXXXX

表示Ⅱ -A：外装箱製品表示 [D ラベル ] (100mm × 100mm)

D ラベル

発注者ꢀꢀXXXXXXXXXXXXX (送付先名)

(CUST.)

受注者 (VENDOR)

富士通

受渡場所名ꢀꢀXXXXXXXXX (送付先住所)

(DELIVERY POINT）

セミコンダクター株式会社

XXXXXXX (富士通管理番号)

XXXXXXXXXXXXXXX

納品キー番号ꢀXXXXXXXXXXXXXX

(TRANS.NO.)

品名ｺｰﾄﾞꢀꢀꢀXXXXXXXXXXXXXX

(PART NO.) ꢀ ꢀꢀ (製品型格)

ꢀ(製品型格)

品名 (PART NAME) XXXXXXXXXXXXXX (製品型格)

入数／納入数量

XXX／XXX

単位

XX

(Q'TY / TOTAL Q'TY)

(UNIT)

発注者用備考 (CUSTOMER'S REMARKS)

XXXXXXXXXXXXXXXXXXXX

梱包個数 (PACKAGE COUNT)

XXX／XXX

(3N)3 XXXXXXXXXXXXXX XXX

(3N)4 XXXXXXXXXXXXXX XXX

(3N)5 XXXXXXXXXX

(富士通管理番号+製品数量)

(富士通管理番号+製品数量のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

(製品型格+製品数量)

(製品型格+製品数量のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

(富士通管理番号)

(富士通管理番号のﾊﾞｰｺｰﾄﾞ)

表示Ⅱ -B：外装箱製品表示

XXXXXXXXXXXXXX（製品型格）

（製品ﾛｯﾄ情報）

ꢀꢀꢀXXXX-XXX

（箱数）ꢀꢀꢀ（数量）

ꢀX 箱ꢀꢀꢀꢀꢀXXX 個

ꢀꢀ計ꢀꢀꢀꢀꢀXXX 個

( 注意事項 ) 発送状況により , 外装箱製品表示Ⅱ -A, B は貼付されない場合があります。

28

DS501-00019-2v0-J

MB85RC64A

2.6 包装箱外形寸法図

(1) 内装箱

H

W

L

W

H

40

50

65

75

テープ幅

12, 16

24, 32

44

365

345

56

( 単位：mm)

(2) 外装箱

H

W

L

W

H

415

400

315

( 単位：mm)

DS501-00019-2v0-J

29

MB85RC64A

■ 本版での主な変更内容

変更箇所は , 本文中のページ左側の｜によって示しています。

ページ

場所

変更内容

■特長

データ保持特性を変更

10 年 ( ＋ 85 °C) → 10 年 ( ＋ 85 °C), 95 年 ( ＋ 55 °C), 200 年以上 ( ＋ 35 °C)

1

■電源投入・切断シーケンス次の記述を変更

「電源投入シーケンス」→「電源投入・切断シーケンス」

次の記述を追加

「規定されたリードサイクル , ライトサイクルまたは電源投入・切断シーケン

スを守らない動作が実行された場合 , 記憶データの保証はできません。」

13

次の記述を変更

「中間レベルからの電源 ON は誤動作の原因となるため , 電源 ON 時は V^DD

を 0 V から立ち上げる必要があります ( 下図参照 )。」

→

「V^DDが 2V を切った後に電源の再立ち上げを行う場合は , 誤動作を回避す

るために V^DDを 0V から立ち上げる必要があります ( 下図参照 )。」

■ FRAM の特性

表と注記を変更

30

DS501-00019-2v0-J

MB85RC64A

MEMO

DS501-00019-2v0-J

31

MB85RC64A

電子デバイス製品に関するお問い合わせ先

富士通セミコンダクター株式会社

神奈川県横浜市港北区新横浜 2-10-23 野村不動産新横浜ビル

http://jp.fujitsu.com/fsl/

0120-198-610

〒 222-0033

受付時間 : 平日 9 時～ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます )

携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。

※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。

本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。

本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも

のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な

どについては , 当社はその責任を負いません。

本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施

権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので

はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。

本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい

ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を

伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵

器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・

製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用

されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。

半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ

う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。

本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き

をおとりください。

本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。

編集ꢀプロモーション推進部


型号：	MB85RC64A
厂家：	FUJITSU
描述：	64 K (8 K Ã 8) ãããI2C 64 K（ 8 K A ?? 8） ???? - 答???? - 答???? I2C
文件：	总32页 (文件大小：304K)
中文：	中文翻译
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MB85RC64A [FUJITSU]

相关型号：

MB85RC64APNF-G

MB85RC64APNF-G-JNE1

MB85RC64APNF-G-JNERE1

MB85RC64PNF-G-JNE1

MB85RC64PNF-G-JNERE1

MB85RC64TAPN-G-AMEWE1

MB85RC64TAPNF-G

MB85RC64TAPNF-G-BDE1

MB85RC64TAPNF-G-BDERE1

MB85RC64V

MB85RS128A

MB85RS128APNF-G-JNE1