HM5402-BB3A [HMSEMI]

1-Saving lithium iron phosphate battery charge balance IC;
HM5402-BB3A
型号: HM5402-BB3A
厂家: H&M Semiconductor    H&M Semiconductor
描述:

1-Saving lithium iron phosphate battery charge balance IC

文件: 总10页 (文件大小:959K)
中文:  中文翻译
下载:  下载PDF数据表文档文件
HM5402  
1 节磷酸铁锂电池充电平IC  
1. 概述  
HM5402 系列芯片,内置高精度电压检测电路和延迟电路,适用于多节电池组的单节锂  
离子电池充电平衡控制的电平监视芯片。  
本芯片适合于多节电池组1 节锂离子电池的进行充电平衡控制。  
2. 特点  
HM5402 全系列 IC 具备如下特点:  
1) 高精度电压检测电路  
过充电检测电压  
过充电释放电压  
待机检测电压  
待机释放电压  
3.200~4.000V  
3.000~4.000V  
2.70V  
精度±25mV  
精度±35mV  
精度±15%  
精度±15%  
2.70V  
2) 过充电延迟时间由内部电路设置(不可外接电容)  
3) 低耗电流  
工作模式  
典型2.5μA ,最大3.5μAVDD=3.2V)  
最大0.5μAVDD=2.0V)  
待机模式  
4) 宽工作温度范围:  
5) 小型封装:  
-40℃~+85℃  
SOT-23-6  
6) 无卤素绿色环保产品  
.
3. 应用  
多节磷酸铁锂可再充电电池组  
HM5402  
1 节磷酸铁锂电池充电平IC  
4. 方框图  
5. 订购信息  
产品名称定义  
HM5402  
.
HM5402  
1 节磷酸铁锂电池充电平IC  
6. 产品目录  
6.1. 电气参数选择  
SOT-23-6 封装  
1、电气参数选择表  
参数  
特性代码  
过充电检测电压  
VCU  
过充电释放电压  
VCR  
型号  
-
B
A
HM5402-AB3B  
HM5402-BB3A  
备注:  
3.600±0.025V  
3.600±0.025V  
3.600-0.035V,3.600+0.025V  
3.590±0.035V  
11 中列出各电气参数的典型值,各电气参数的精度请参阅5。  
2、特性代码对应的其它功能特性请参阅2。  
3、需要上述规格以外的产品时,请与本公司业务部联系。  
6.2. 特性代码-其它功能选择  
2、特性代码-其它功能选择表  
特性代码  
OUT 有效动作  
平衡控N-MOSFETOUT 输出状LH 有效  
A
B
平衡控P-MOSFETOUT 输出状HL 有效  
.
7. 封装、脚位及标记信息  
SOT-23-6 封装  
3SOT-23-6 封装  
脚位  
符号  
说明  
1
2
3
4
5
6
NC  
VDD  
VSS  
NC  
无连接  
电源端,正电源输入端子  
接地端,负电源输入端子  
无连接  
NC  
无连接  
OUT  
充电平衡,控MOSFET 门极连接端子  
A:产品名称代码。  
#:序列号,A~Z 顺序设定。  
3:特性代码  
&:特性代码,A~Z 顺序设定。  
XXXX:日期编码。  
HM5402  
1 节磷酸铁锂电池充电平IC  
8. 电气特性  
8.1. 绝对最大额定值  
4、绝对最大额定值VSS=0VTa25除非特别说明)  
项目  
VDD VSS 之间输入电压  
OUT 输出端子电压  
工作温度范围  
符号  
VDD  
VOUT  
TOP  
TST  
规格  
VSS-0.3~VSS+10  
VSS-0.3~VDD+0.3  
-40~+85  
单位  
V
V
储存温度范围  
-40~+125  
容许功耗  
PD  
250  
mW  
8.2. 电气参数  
5、电气参数VSS=0VTa25,除非特别说明)  
项目  
符号  
条件  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
输入电压/耗电流  
VDD-VSS 工作电压  
工作电流  
VDSOP1  
IDD  
ISB  
-
1.5  
-
-
-
8
3.5  
0.5  
V
μA  
μA  
VDD=3.2V  
VDD=2.0V  
2.5  
0.15  
待机电流  
检测电压  
3.24.0V,可调整  
VCU -0.025  
VCU -0.035  
VCU  
VCU  
VCU +0.025  
VCU +0.035  
V
V
过充电检测电压  
VCU  
3.24.0V,可调整  
.
-5℃~55℃(*1)  
3.04.0V,可调整,  
VCRVCU  
3.04.0V,可调整,  
VCRVCU  
VCR -0.035  
VCR  
VCR +0.035  
V
过充电释放电压  
待机检测电压  
VCR  
VSB  
TOC  
VCR -0.035  
2.3  
VCR  
2.7  
VCR +0.025  
3.1  
V
V
延时时间  
过充电检测延迟时间  
VDD=3.2V4.5V  
200  
250  
300  
ms  
控制端子输出电压  
OUT 端子输出高电压 VOUT_H  
OUT 端子输出低电压 VOUT_L  
VDD-0.1  
-
VDD-0.02  
0.1  
-
V
V
0.5  
说明:*1、此温度范围内的参数是设计保证值,而非高、低温实测筛选。  
HM5402  
1 节磷酸铁锂电池充电平IC  
9. 电池充电平IC 应用电路示例  
HM5402  
HM5402  
.
标记  
器件名称  
用途  
最小值  
典型值  
最大值  
说明  
*1  
电阻  
电阻  
限流、稳VDD、加强 ESD  
充电平衡泄流负载  
滤波,稳VDD  
100Ω  
100  
200Ω  
R1-5  
RB1-5  
C1-5  
*2  
*3  
*4  
电容  
0.01μF  
0.1μF  
1.0μF  
Q1-5  
MOSFET  
充电平衡控制  
-
-
-
*1R1-5连接过大电阻,由于耗电流会在R1-5上产生压降,影响检测电压精度。当充电器反接  
时,电流从充电器流向IC,若R1-5过大有可能导致VDD-VSS端子间电压超过绝对最大额  
定值的情况发生。  
*2RB1-5连接过小电阻,当电池电压大于过充检测电压(VCU)时会使充电电流突然变大,  
有可能导致充电过流现象使得系统回路发生保护而不能充电情况。  
*3C1-5有稳定VDD电压的作用,请不要连0.01μF以下的电容。  
*4、依不同产品型号选N-MOSFET P-MOSFET。  
注意:  
外围器件如需调整,建议客户进行充分的评估和测试。  
HM5402  
1 节磷酸铁锂电池充电平IC  
10.工作说明  
10.1.正常工作状态  
IC持续侦测连接在VDDVSS之间的电池电压,来控制充电平衡动作。当电池电压在  
过充电检测电压(VCU)以上时,OUT端子输出低电平以控制P-MOSFET或者输出高电平以  
控制N-MOSFET的导通;或当电池电压在过充电释放电压(VCR)以下时,OUT端子输出高  
电平以控制P-MOSFET或者输出低电平以控制N-MOSFET的关闭。  
10.2.过充电状态  
正常工作状态下的电池,在充电过程中,一旦电池电压超过过充电检测电压(VCU并  
且这种状态持续的时间超过过充电检测延迟时间(TOC)以上时;或当电池电压低于过充释  
放电压(VCR)以下时,HM5402 系列 IC会开启或关闭充电平衡控制用的MOSFETOUT端  
这个状态称为“过充电状态”亦称为“充电平衡控制”。  
过充电状态启用的充电平衡控制对MOSFET 的开启与关闭控制有如下两种选择:  
1HM5402-xxxA 系列,采N-MOSFET 作为充电平衡控制  
(a) 充电过程中,电池电压超过过充电检测电压(VCU并持续的时间超过过充电  
检测延迟时间(TOC)以上时,OUT端子电平会产生LH变化以打开  
N-MOSFET。  
(b) 充电过程中池电压低于过充释放测电VCROUT端子电平会产生HL  
变化以关闭N-MOSFET。  
.
2HM5402-xxxB 系列,采P-MOSFET 作为充电平衡控制  
(a) 充电过程中,电池电压超过过充电检测电压(VCU并持续的时间超过过充电  
检测延迟时间(TOC)以上时,OUT端子电平会产生HL变化以打开  
P-MOSFET。  
(b) 充电过程中池电压低于过充释放测电VCROUT端子电平会产生LH  
变化以关闭P-MOSFET。  
10.3.待机状态  
正常工作状态下的电池放电过程中电池电压降低到待机检测电VSB下时,  
使IC耗电流减小到待机时的耗电流值,这个状态称为“待机状态”。  
HM5402  
1 节磷酸铁锂电池充电平IC  
11.特性曲线(典型数据)  
11.1. 过充电检测电压/过充电释放电压及过充电延迟时间/待机检测电压  
(1)VCU vs. Ta  
(2) VCR vs. Ta  
(3)TOC vs. Ta  
(4) VSB vs. Ta  
.
11.2. 耗电流  
(1)IDD vs. Ta  
2ISB vs. Ta  
HM5402  
1 节磷酸铁锂电池充电平IC  
12.封装信息  
12.1.SOT-23-6 封装  
说明:单位mm。  
ALL DIMENSIONS IN  
MILLIMETERS  
MINIMUM NOMINAL MAXIMUM  
.
SYM  
BOL  
A
A1  
A2  
b
b1  
b2  
c
-
0
1.30  
-
1.20  
-
0.40  
0.40  
-
1.40  
0.15  
1.30  
0.50  
0.45  
0.50  
0.22  
0.20  
0.90  
0.30  
0.30  
0.30  
0.08  
0.08  
c1  
D
0.13  
2.90 BSC  
E
2.80 BSC  
E1  
e
1.60 BSC  
0.95 BSC  
e1  
L
1.90 BSC  
0.30  
0.45  
0.60  
L1  
L2  
R
R1  
θ
0.60 REF  
0.25 BSC  
0.10  
0.10  
0°  
5°  
5°  
-
-
4°  
-
-
0.25  
8°  
15°  
15°  
θ1  
θ2  
-
HM5402  
1 节磷酸铁锂电池充电平IC  
13.Tape & Reel 信息  
13.1.Tape & Reel 信息---SOT-23-6(样式一)  
说明:单位mm。  
13.1.1. Reel Dimensions  
13.1.2. Carrier Tape Dimensions  
D0  
P0  
P2  
E
.
5ºMAX  
F
W
B0  
5ºMAX  
P1  
A0  
K0  
Reel  
Carrier Tape Dimensions  
SYMBOLS  
Dimensions  
A
W1  
9.0  
A0  
B0  
K0  
P0  
P1  
P2  
E
F
D0  
W
Spec.  
178  
3.30 3.20 1.50 4.00 4.00 2.00 1.75 3.50  
1.50  
8.00  
Tolerance  
±0.50 +1.50/-0 ±0.10 ±0.10 ±0.10 ±0.10 ±0.10 ±0.05 ±0.10 ±0.05 +0.1/-0 ±0.20  
Note: 10 Sprocket hole pitch cumulative tolerance is ±0.20mm.  
13.1.3. Pin1 direction  
HM5402  
1 节磷酸铁锂电池充电平IC  
13.2.Tape & Reel 信息---SOT-23-6(样式二)  
说明:单位mm。  
13.2.1. Reel Dimensions  
13.2.2. Carrier Tape Dimensions  
.
Reel  
Carrier Tape Dimensions  
SYMBOLS  
Dimensions  
A
W1  
9.4  
A0  
B0  
K0  
P0  
P1  
P2  
E
F
D0  
W
Spec.  
178  
3.17 3.23 1.37 4.00 4.00 2.00 1.75 3.50 1.55  
8.00  
Tolerance  
±2.00  
±1.50 ±0.10 ±0.10 ±0.10 ±0.10 ±0.10 ±0.05 ±0.10 ±0.05 ±0.05 +0.30/-0.10  
Note: 10 Sprocket hole pitch cumulative tolerance is ±0.20mm.  
13.2.3. Pin1 direction  

相关型号:

HM5421

built-in high-precision voltage detection circuit
HMSEMI

HM5421-B

built-in high-precision voltage detection circuit
HMSEMI

HM5421-C

built-in high-precision voltage detection circuit
HMSEMI

HM5425161B

256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
ELPIDA

HM5425161B/801B/401B

Series 256M SSTL-2 Interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125
ETC

HM5425161BTT-10

256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
ELPIDA

HM5425161BTT-75A

256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
ELPIDA

HM5425161BTT-75B

256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
ELPIDA

HM5425401B

256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
ELPIDA

HM5425401BTT-10

256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
ELPIDA

HM5425401BTT-75A

256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
ELPIDA

HM5425401BTT-75B

256M SSTL_2 interface DDR SDRAM 143 MHz/133 MHz/125 MHz/100 MHz 4-Mword 】 16-bit 】 4-bank/8-Mword 】 8-bit 】 4-bank/ 16-Mword 】 4-bit 】 4-bank
ELPIDA