D8019N04 [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8740A, 400V V(RRM), Silicon,;
| 型号： | D8019N04 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 8740A, 400V V(RRM), Silicon, 二极管 |
| 文件： | 总9页 (文件大小：106K) |
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
N
D 8019 N 02...06
Rectifier Diode
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Tvj = - 25°C...Tvj max
Tvj = + 25°C...Tvj max
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
VRRM
VRSM
IFRMSM
IFAVM
IFSM
200, 400
600
V
V
Stoßspitzensperrspannung
250, 450
650
V
V
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
13300
A
TC = 56°C
TC = 46°C
Dauergrenzstrom
8020
8740
A
A
mean forward current
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
103
95
kA
kA
A²s*106
A²s*106
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Grenzlastintegral
I²t-value
I²t
53
45
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iF = 10kA
Durchlaßspannung
forward voltage
vF
max.
0,98
0,7
V
Tvj = Tvj max
Schleusenspannung
threshold voltage
V(TO)
V
mW
Tvj = Tvj max
Ersatzwiderstand
rT
0,027
100
forward slope resistance
Tvj = Tvj max, vR = VRRM
Sperrstrom
iR
max.
mA
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
RthJC
beidseitig / two-sided, Q = 180°sin
thermal resistance, junction to case
max. 0,0125
max. 0,0117
max. 0,0232
max. 0,0225
max. 0,0250
max. 0,0245
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, Q = 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, Q = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
RthCK
thermal resistance, case to heatsink
max. 0,0030
max.
°C/W
°C/W
einseitig / single-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
180
- 40...+180
- 40...+180
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
N
D 8019 N 02...06
Rectifier Diode
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Vorläufige Daten
Preliminary data
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 3
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Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellets with pressure contact
Anpreßkraft
F
40...80
900
kN
g
clamping force
Gewicht
weight
G
typ.
Kriechstrecke
mm
m/s²
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks :
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
N
D 8019 N 02...06
Rectifier Diode
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Z. Nr.: 1
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleicgrichterdiode
Rectifier DiodeThyristor
N
D 8019 N 02 ... 06
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC
Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC
Kühlung
cooling
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
beidseitig
two-sided
0,000034 0,000570 0,000912 0,002740 0,004250
0,000287 0,002980 0,013500 0,134000 0,449000
0,003200
2,050000
t [s]
n
Rthn [°C/W]
anodenseitig
anode-sided
0,000035 0,000600 0,001050 0,007600 0,008500
0,000287 0,002300 0,024000 0,310000 1,900000
0,004700
6,100000
t [s]
n
Rthn [°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
0,000035 0,000600 0,002050 0,008050 0,009000
0,000287 0,003000 0,057000 0,380000 2,050000
0,004770
6,100000
t [s]
n
n max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC
=
å Rthn ( 1 - EXP ( - t / t n ))
n=1
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
N
D 8019 N 02...06
Rectifier Diode
Vorläufige Daten / Preliminary data
35000
30000
25000
20000
15000
10000
5000
0
0,5
1
1,5
2
vF [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting Forward characteristics iF = f(vF)
—— Tvj = 180°C
------ Tvj = 25°C
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Z. Nr.: 2
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
N
D 8019 N 02 ... 06
0,030
0,025
0,020
0,015
0,010
0,005
0,000
3
2
1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f(t), DC
1 - Beidseitige Kühlung / two-sided cooling
2 - Anodenseitige Kühlung / anode side cooling
3 - Kathodenseitige Kühlung / cathode side cooling
SZ-M / 30.09.98 K.-A. Rüther
Z. Nr.: 3
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
N
D 8019 N 02 ... 06
0,0040
0,0035
0,0030
0,0025
0,0020
0,0015
0,0010
0,0005
0,0000
30
60
90
120
150
180
Q [° el]
Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC / Difference between the values
of thermal for pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
SZ-M / 30.09.98 K.-A. Rüther
Z. Nr.: 4
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
N
D 8019 N 02 ... 06
1,1
1
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0
2
4
6
8
10
12
tp [ms]
Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp
Normalized ò i²dt rating as a function of the duration of a half-cycle tp
SZ-M / 30.09.98 K.-A. Rüther
Z. Nr.: 5
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Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
N
D 8019 N 02...06
iFM [A]
6400
3200
1600
10000
1000
100
800
400
0,1
1
10
100
1000
- diF / dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax; VR < 0,5 VRRM; VRM < 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / Foward current iFM
SZ-M / 30.09.98 K.-A. Rüther
Z. Nr:: 6
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