DD1200S17H4B2BOSA1 [INFINEON]
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 1700V V(RRM), Silicon, MODULE-4;
| 型号： | DD1200S17H4B2BOSA1 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 1200A, 1700V V(RRM), Silicon, MODULE-4 局域网 二极管 |
| 文件： | 总7页 (文件大小：866K) |
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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-模块
IGBT-modules
DD1200S17H4_B2
初步数据ꢀ/ꢀPreliminaryꢀData
VCES = 1700V
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A
典型应用
TypicalꢀApplications
• 3-Level-Applications
• ActiveꢀFrontendꢀ(energyꢀrecovery)
• HighꢀPowerꢀConverters
• Multiꢀlevelꢀinverter
• 三电平应用
• 有源前级（能量回馈）
• 大功率变流器
• 多电平逆变器
• 牵引变流器
• TractionꢀDrives
• 风力发电机
• WindꢀTurbines
电气特性
ElectricalꢀFeatures
• 提高工作结温ꢀTvjꢀop
• 高电流密度
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀTvjꢀop
• HighꢀCurrentꢀDensity
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C
机械特性
MechanicalꢀFeatures
• 4ꢀkVꢀ交流ꢀꢀꢀ1分钟ꢀꢀꢀ绝缘
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation
• 碳化硅铝（AlSiC）基板提供更高的温度循环能力
• AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling
Capability
• 封装的ꢀCTIꢀ>ꢀ400
• 高爬电距离和电气间隙
• 高功率循环和温度循环能力
• 高功率密度
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400
• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances
• HighꢀPowerꢀandꢀThermalꢀCyclingꢀCapability
• HighꢀPowerꢀDensity
• IHMꢀBꢀ封装
• IHMꢀBꢀHousing
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
ꢀDigit
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
DMXꢀ-ꢀCode
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀPL
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.2
ULꢀapprovedꢀ(E83335)
1
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-模块
IGBT-modules
DD1200S17H4_B2
初步数据
PreliminaryꢀData
二极管,逆变器ꢀ/ꢀDiode,ꢀInverter
最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
反向重复峰值电压
Tvj = -40°C
1570
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
VRRM
ꢀ
1700
1700
ꢀ
V
连续正向直流电流
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
ꢀ
IF
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
2400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
A
A
正向重复峰值电流
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
tP = 1 ms
IFRM
I²t
PRQM
ton min
I2t-值
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
140
130
kA²s
kA²s
最大损耗功率
Maximumꢀpowerꢀdissipation
Tvj = 125°C
1200
10,0
ꢀ kW
ꢀ µs
最小开通时间
Minimumꢀturn-onꢀtime
ꢀ
特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
正向电压
Forwardꢀvoltage
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
IF = 1200 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,80 2,10
1,90 2,10
1,95
V
V
V
VF
IRM
Qr
反向恢复峰值电流
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 1200 A, - diF/dt = 7900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
VGE = -15 V
1250
A
A
A
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1350
1400
ꢀ
ꢀ
ꢀ
恢复电荷
Recoveredꢀcharge
IF = 1200 A, - diF/dt = 7900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
VGE = -15 V
280
460
510
µC
µC
µC
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
反向恢复损耗（每脉冲）
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 1200 A, - diF/dt = 7900 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C
VR = 900 V
VGE = -15 V
180
310
350
mJ
mJ
mJ
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
结－外壳热阻
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase
每个二极管ꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJC
RthCH
Tvj op
ꢀ
ꢀ
ꢀ
32,5
ꢀ
37,5 K/kW
K/kW
外壳－散热器热阻
Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink
每个二极管ꢀ/ꢀperꢀdiode
λ
Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλgreaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)
在开关状态下温度
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
ꢀ
-40
150
°C
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀPL
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.2
2
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-模块
IGBT-modules
DD1200S17H4_B2
初步数据
PreliminaryꢀData
模块ꢀ/ꢀModule
绝缘测试电压
Isolationꢀtestꢀvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
4,0
ꢀ kV
模块基板材料
Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate
ꢀ
ꢀ
AlSiC
ꢀ
ꢀ
爬电距离
Creepageꢀdistance
端子-ꢀ散热片ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
端子-ꢀ端子ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
32,2
32,2
ꢀ
ꢀ
ꢀ mm
ꢀ mm
电气间隙
Clearance
端子-ꢀ散热片ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
端子-ꢀ端子ꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
19,1
19,1
相对电痕指数
Comperativeꢀtrackingꢀindex
ꢀ
CTI
> 400
ꢀ
ꢀ
min. typ. max.
杂散电感,模块
Strayꢀinductanceꢀmodule
ꢀ
LsCE
RAA'+CC'
Tstg
ꢀ
ꢀ
18
ꢀ
ꢀ
nH
mΩ
°C
模块引线电阻,端子-芯片
Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip
TCꢀ=ꢀ25°C,ꢀ每个开关ꢀ/ꢀperꢀswitch
0,24
储存温度
Storageꢀtemperature
ꢀ
-40
4,25
ꢀ
150
模块安装的安装扭距
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
螺丝ꢀM6ꢀ根据相应的应用手册进行安装
ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
M
-
5,75 Nm
2,1 Nm
端子联接扭距
Terminalꢀconnectionꢀtorque
螺丝ꢀM4ꢀ根据相应的应用手册进行安装
ScrewꢀM4ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
螺丝ꢀM8ꢀ根据相应的应用手册进行安装
1,8
8,0
-
-
M
G
10
Nm
g
ScrewꢀM8ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
重量
Weight
ꢀ
ꢀ
800
ꢀ
Dynamische Daten gehen in Verbindung mit FD1200R17HP4-K_B2 Modul
Dynamic data valid in conjunction with FD1200R17HP4-K_B2 module
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀPL
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.2
3
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-模块
IGBT-modules
DD1200S17H4_B2
初步数据
PreliminaryꢀData
正向偏压特性ꢀ二极管,逆变器ꢀ（典型)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
开关损耗ꢀ二极管,逆变器ꢀ（典型)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
RGonꢀ=ꢀꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
2400
600
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
2200
2000
1800
1600
1400
1200
1000
800
500
400
300
200
100
0
600
400
200
0
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
0
400
800
1200
IF [A]
1600
2000
2400
开关损耗ꢀ二极管,逆变器ꢀ（典型)
瞬态热阻抗ꢀ二极管,逆变器ꢀ
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀInverterꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀInverterꢀ
ZthJCꢀ=ꢀfꢀ(t)
IFꢀ=ꢀ1200ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ900ꢀV
500
100
Erec, Tvj = 125°C
ZthJC : Diode
Erec, Tvj = 150°C
450
400
350
300
250
200
150
100
50
10
i:
1
2
3
4
ri[K/kW]: 4,35
τi[s]:
10,47 18,45 4,23
0,0011 0,012 0,07 2,63
0
1
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀPL
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.2
4
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-模块
IGBT-modules
DD1200S17H4_B2
初步数据
PreliminaryꢀData
安全工作区ꢀ二极管,逆变器ꢀ(SOA)
safeꢀoperationꢀareaꢀDiode,ꢀInverterꢀ(SOA)
IRꢀ=ꢀf(VR)
Tvjꢀ=ꢀ150°C
2800
IR, Modul
2400
2000
1600
1200
800
400
0
0
200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800
VR [V]
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀPL
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.2
5
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-模块
IGBT-modules
DD1200S17H4_B2
初步数据
PreliminaryꢀData
接线图ꢀ/ꢀcircuit_diagram_headline
封装尺寸ꢀ/ꢀpackageꢀoutlines
preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀPL
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.2
6
技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation
IGBT-模块
IGBT-modules
DD1200S17H4_B2
初步数据
PreliminaryꢀData
使用条件和条款
ꢀ
使用条件和条款
产品规格书中的数据是专门为技术人员提供的，您和您的技术部门应该针对您的应用来评估产品及产品的所有参数是否适合
产品规格书中所描述的产品特性是被保证的，任何这种保证严格依照供货协议中所涉及的条件和条款。除此之外，产品和产品的特性没有任何的保证
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www.infineon.comꢀ）。对那些特别感兴趣的问题我们将提供相应的应用手册
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请注意，对这类应用我们强烈建议
-执行联合的风险和质量评估
-得到质量协议的结论
-ꢀ建立联合的测试和出厂产品检查，ꢀ我们可以根据测试的实际情况供货
如果有必要，请根据实际需要将类似的说明给你的客户
保留产品规格书的修改权
Termsꢀ&ꢀConditionsꢀofꢀusage
ꢀ
Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀYouꢀandꢀyourꢀtechnicalꢀdepartmentsꢀwill
haveꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀdataꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuch
application.
Thisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀisꢀdescribingꢀtheꢀcharacteristicsꢀofꢀthisꢀproductꢀforꢀwhichꢀaꢀwarrantyꢀisꢀgranted.ꢀAnyꢀsuchꢀwarrantyꢀisꢀgranted
exclusivelyꢀpursuantꢀtheꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀofꢀtheꢀsupplyꢀagreement.ꢀThereꢀwillꢀbeꢀnoꢀguaranteeꢀofꢀanyꢀkindꢀforꢀtheꢀproductꢀandꢀits
characteristics.ꢀTheꢀinformationꢀinꢀtheꢀvalidꢀapplication-ꢀandꢀassemblyꢀnotesꢀofꢀtheꢀmoduleꢀmustꢀbeꢀconsidered.
Shouldꢀyouꢀrequireꢀproductꢀinformationꢀinꢀexcessꢀofꢀtheꢀdataꢀgivenꢀinꢀthisꢀproductꢀdataꢀsheetꢀorꢀwhichꢀconcernsꢀtheꢀspecificꢀapplicationꢀof
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note,ꢀthatꢀforꢀanyꢀsuchꢀapplicationsꢀweꢀurgentlyꢀrecommend
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preparedꢀby:ꢀWB
approvedꢀby:ꢀPL
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-05
revision:ꢀ2.2
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