DD435N28KHPSA1 [INFINEON]

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 573A, 2800V V(RRM), Silicon, MODULE-3;
DD435N28KHPSA1
型号: DD435N28KHPSA1
厂家: Infineon    Infineon
描述:

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 573A, 2800V V(RRM), Silicon, MODULE-3

局域网 二极管
文件: 总11页 (文件大小:607K)
中文:  中文翻译
下载:  下载PDF数据表文档文件
Datenblatt / Data sheet  
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
KeyParameters  
VDRM / VRRM  
2800 - 4000 V  
435 A (TC=100 °C)  
IFAVM  
IFSM  
14500 A  
0,84 V  
VT0  
rT  
0,6 mΩ  
0,078 K/W  
60 mm  
RthJC  
Base plate  
Weight  
1500 g  
For type designation please refer to actual  
short form catalog  
http://www.ifbip.com/catalog  
Merkmale  
Features  
Druckkontakt-Technologie für hohe  
Zuverlässigkeit  
Pressure contact technology for high reliability  
Industrie-Standard-Gehäuse  
Elektrisch isolierte Bodenplatte  
Industrial standard package  
Electrically insulated base plate  
Typische Anwendungen  
Typical Applications  
Gleichrichter für Antriebsapplikationen  
Gleichrichter für UPS  
Rectifier for drives applications  
Rectifiers for UPS  
Batterieladegleichrichter  
Battery chargers  
1
2
3
content of customer DMX code  
DMX code  
digit  
DMX code  
digit quantity  
type designation  
serial number  
internal production order number  
material number  
date code (YY/WW)  
add on for date code  
1..18  
18  
5
8
10  
4
1
19..23  
24..31  
32..41  
42..45  
46  
www.ifbip.com  
support@infineon-bip.com  
Seite/page  
1/11  
Revision 3.0  
Date of Publication 2016-09-27  
Datenblatt / Data sheet  
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
DD435N  
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties  
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values  
2800  
3400  
4000  
3200 V  
3600 V  
V
Periodische Spitzensperrspannung  
repetitive peak reverse voltages  
Tvj = -25°C... Tvj max  
VRRM  
2900  
3700  
3300 V  
4100 V  
Stoßspitzensperrspannung  
Tvj = +25°C... Tvj max  
VRSM  
non-repetitive peak reverse voltage  
900 A  
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert  
maximum RMS on-state current  
IFRMSM  
IFAVM  
IFSM  
435 A  
573 A  
Dauergrenzstrom  
average on-state current  
TC = 100°C  
TC = 75°C  
14.500 A  
12.000 A  
Stoßstrom-Grenzwert  
surge current  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
1.050.000 A²s  
720.000 A²s  
Grenzlastintegral  
I²t-value  
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms  
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms  
I²t  
Charakteristische Werte / Characteristic values  
Durchlaßspannung  
max.  
1,71 V  
0,84 V  
0,6 mΩ  
50 mA  
Tvj = Tvj max , iF = 1200 A  
Tvj = Tvj max  
vF  
on-state voltage  
Schleusenspannung  
threshold voltage  
V(TO)  
Ersatzwiderstand  
slope resistance  
Tvj = Tvj max  
rT  
max.  
Sperrstrom  
Tvj = Tvj max , vR = VRRM  
iR  
reverse current  
Isolations-Prüfspannung  
insulation test voltage  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec  
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min  
VISOL  
3,6 kV  
3,0 kV  
Thermische Eigenschaften / Thermal properties  
Innerer Wärmewiderstand  
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin RthJC  
pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin  
pro Modul / per Module, DC  
max. 0,0390 °C/W  
max. 0,0780 °C/W  
max. 0,0373 °C/W  
max. 0,0745 °C/W  
thermal resistance, junction to case  
pro Zweig / per arm, DC  
pro Modul / per Module  
pro Zweig / per arm  
max.  
max.  
0,01 °C/W  
0,02 °C/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
RthCH  
Tvj max  
Tc op  
Tstg  
150  
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur  
maximum junction temperature  
°C  
Betriebstemperatur  
- 40...+150 °C  
- 40...+150 °C  
operating temperature  
Lagertemperatur  
storage temperature  
A.G.  
date of publication: 27.09.16  
revision: 3.0  
prepared by:  
approved by: M.S.  
Seite/page  
2/11  
Revision 3.0  
Date of Publication 2016-09-27  
Datenblatt / Data sheet  
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties  
Gehäuse, siehe Anlage  
case, see annex  
Seite 4  
page 4  
Si-Element mit Druckkontakt  
Si-pellet with pressure contact  
Innere Isolation  
AlN  
6
internal insulation  
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse  
mounting torque  
Toleranz ±15%  
M1  
M2  
G
Nm  
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse  
terminal connection torque  
Toleranz ±10%  
12 Nm  
Gewicht  
weight  
typ.  
1500  
g
Kriechstrecke  
creepage distance  
19 mm  
50 m/s²  
Schwingfestigkeit  
f = 50 Hz  
file-No.  
vibration resistance  
E 83335  
Seite/page  
3/11  
Revision 3.0  
Date of Publication 2016-09-27  
Datenblatt / Data sheet  
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
1
2
3
.
DD  
.
.
.
Seite/page  
4/11  
Revision 3.0  
Date of Publication 2016-09-27  
Datenblatt / Data sheet  
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC  
Pos. n  
1
2
3
4
5
0,0267  
3
6
7
Rthn [°C/W]  
0,00194  
0,000732  
0,00584  
0,00824  
0,01465  
0,108  
0,0254  
0,57  
τn [s]  
nmax  
– t  
n  
ZthJC  
Rthn 1 - e  
Analytische Funktion / Analytical function:  
n=1  
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
Seite/page  
5/11  
Revision 3.0  
Date of Publication 2016-09-27  
Datenblatt / Data sheet  
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
R,Tau_Glieder des Kühlers  
Natürliche Kühlung / Natural cooling  
1 Modul pro Kühler / 1 module per heatsink  
Kühler / Heatsink type: KM17 (160W)  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA  
Pos. n  
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]  
0,00672  
2,17  
0,0537  
22,4  
0,539  
1130  
τn [s]  
Verstärkte Kühlung / Forced cooling  
1 Modul pro Kühler / 1 module per heatsink  
Kühler / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)  
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA  
Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA  
Pos. n  
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]  
0,0064  
4,1  
0,0566  
24,7  
0,168  
395  
τn [s]  
nmax  
n  
ZthCA  
Rthn 1 - e – t  
Analytische Funktion / Analytical function:  
n=1  
Seite/page  
6/11  
Revision 3.0  
Date of Publication 2016-09-27  
Datenblatt / Data sheet  
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PFAV = f(IFAV  
)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ  
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAVM  
)
Strombelastung je Zweig / Current load per arm  
Berechungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)  
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)  
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ  
Seite/page  
7/11  
Revision 3.0  
Date of Publication 2016-09-27  
Datenblatt / Data sheet  
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
R-Last  
L-Last  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
ID [A]  
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID  
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA  
0
200  
400  
600  
800  
ID [A]  
1000  
1200  
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit  
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot  
Parameter:  
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA  
Seite/page  
8/11  
Revision 3.0  
Date of Publication 2016-09-27  
Datenblatt / Data sheet  
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)  
Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM  
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iFM  
Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm IF(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM  
a: Leerlauf / No-load conditions  
b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor) = IFAVM  
Ta = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650)  
Ta = 45°C, natürliche Luftkühlung / Natural air cooling Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (160W)  
Seite/page  
9/11  
Revision 3.0  
Date of Publication 2016-09-27  
Datenblatt / Data sheet  
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV)  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular  
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (160W) Natürliche Kühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C  
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor)  
Überstrom je Zweig / Overload on-state current IF(OV)  
B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit 120° rectangular  
Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650) Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C  
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm IFAV(vor)  
Seite/page  
10/11  
Revision 3.0  
Date of Publication 2016-09-27  
Datenblatt / Data sheet  
Netz-Dioden-Modul  
DD435N  
Rectifier Diode Module  
Nutzungsbedingungen  
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal  
bestimmt. Die Beurteilung der Eignung dieses Produktes für Ihre Anwendung sowie die Beurteilung der  
Vollständigkeit der bereitgestelltenProduktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen  
Abteilungen.  
In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche  
Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im  
jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. Garantien jeglicher Art werden für das Produkt und dessen  
Eigenschaften keinesfalls übernommen.  
Sollten Sie von uns Produktinformationen benötigen, die über den Inhalt dieses Produktdatenblatts hinausgehen  
und insbesondere eine spezifische Verwendung und den Einsatz dieses Produktes betreffen, setzen Sie sich bitte  
mit dem für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung (siehe www.eupec.com, Vertrieb&Kontakt). Für  
Interessenten halten wir Application Notes bereit.  
Aufgrund der technischen Anforderungen könnte unser Produkt gesundheitsgefährdende Substanzen enthalten.  
Bei Rückfragen zu den in diesem Produkt jeweils enthaltenen Substanzen setzen Sie sich bitte ebenfalls mit dem  
für Sie zuständigen Vertriebsbüro in Verbindung.  
Sollten Sie beabsichtigen, das Produkt in gesundheits- oder lebensgefährdenden oder lebenserhaltenden  
Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle  
- die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments;  
- den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen;  
- die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend  
empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig  
machen.  
Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben.  
Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten.  
Terms & Conditions of usage  
The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your  
technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the  
completeness of the product data with respect to such application.  
This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. Any such  
warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. There will be no  
guarantee of any kind for the product and its characteristics.  
Should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns  
the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you (see  
www.eupec.com, sales&contact). For those that are specifically interested we may provide application notes. Due  
to technical requirements our product may contain dangerous substances.  
For information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you.  
Should you intend to use the Product in health or live endangering or life support applications, please notify.  
Please note, that for any such applications we urgently recommend  
- to perform joint Risk and Quality Assessments;  
- the conclusion of Quality Agreements;  
- to establish joint measures of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on  
the realization of any such measures.  
If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers.  
Changes of this product data sheet are reserved.  
Seite/page  
11/11  
Revision 3.0  
Date of Publication 2016-09-27  

相关型号:

DD435N32K

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 573A, 3200V V(RRM), Silicon, MODULE-3
INFINEON

DD435N34KHPSA1

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 573A, 3400V V(RRM), Silicon, MODULE-3
INFINEON

DD435N36

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 573A, 3600V V(RRM), Silicon,
INFINEON

DD435N36KHPSA1

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 573A, 3600V V(RRM), Silicon, MODULE-3
INFINEON

DD435N40

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 573A, 4000V V(RRM), Silicon,
INFINEON

DD435N40KHOSA1

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 573A, 4000V V(RRM), Silicon, MODULE-3
INFINEON

DD435N40KHPSA1

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 573A, 4000V V(RRM), Silicon, MODULE-3
INFINEON

DD436

Analog IC
ETC

DD438

Analog IC
ETC

DD44

Analog IC
ETC

DD440

Analog IC
ETC

DD443

Analog IC
ETC