F3L400R10W3S7_B11_技术文档

F3L400R10W3S7_B11

EasyPACK™ꢀModulꢀmitꢀTRENCHSTOP™ꢀIGBT7ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀTRENCHSTOP™IGBT7ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ7ꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC

V_CES= 950V

I_{C nom}= 400A / I_CRM= 800A

PotentielleꢀAnwendungen

• 3-Level-Applikationen

• SolarꢀAnwendungen

PotentialꢀApplications

• 3-level-applications

• Solarꢀapplications

ElektrischeꢀEigenschaften

• HoheꢀStromdichte

ElectricalꢀFeatures

• Highꢀcurrentꢀdensity

• Lowꢀswitchingꢀlosses

• Trenchstop^TMꢀIGBT7

• NiedrigeꢀSchaltverluste

• Trenchstop^TMꢀIGBT7

MechanischeꢀEigenschaften

• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor

• PressFITꢀVerbindungstechnik

MechanicalꢀFeatures

• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor

• PressFITꢀcontactꢀtechnology

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

Datasheet

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ3.0

www.infineon.com

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

IGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_CN

ꢀ

950

400

ꢀ

V

A

V

ImplementierterꢀKollektor-Strom

Implementedꢀcollectorꢀcurrent

Kollektor-Dauergleichstrom

T_H= 65°C, T_{vj max}= 175°C

I_CDC

I_CRM

V_GES

235

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

800

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

+/-20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 150 A

V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,40 1,61

1,48

1,50

V

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 6,50 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 / 15 V, V_CE= 600 V

T_vj= 25°C

V_GEth

Q_G

4,35 5,10 5,85

V

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

0,90

0,75

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 100 kHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

25,2

nF

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

0,078

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

V_CE= 950 V, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

0,07 mA

100 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 500 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,089

0,092

0,093

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 500 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,022

0,026

0,027

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 500 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,27

0,34

0,36

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 500 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,041

0,075

0,088

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 500 V, Lσ = 35 nH

di/dt = 5800 A/µs (T_vj= 150°C)

V_GE= -15 / 15 V, R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

5,00

7,05

7,50

mJ

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 500 V, Lσ = 35 nH

du/dt = 4000 V/µs (T_vj= 150°C)

V_GE= -15 / 15 V, R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

4,30

7,16

8,00

mJ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 600 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 0 µs, T_vj= 150°C

1200

A

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJH

T_{vj op}

0,224

K/W

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

Datasheet

2

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

IGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_CN

ꢀ

950

400

ꢀ

V

A

V

ImplementierterꢀKollektor-Strom

Implementedꢀcollectorꢀcurrent

Kollektor-Dauergleichstrom

T_H= 65°C, T_{vj max}= 175°C

I_CDC

I_CRM

V_GES

380

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

800

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

+/-20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 150 A

V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,07 1,14

1,04

1,02

V

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 6,50 mA, V_CE= 20 V, T_vj= 25°C

V_GE= -15 / 15 V, V_CE= 600 V

T_vj= 25°C

V_GEth

Q_G

4,15 4,90 5,65

V

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

4,10

0,75

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 100 kHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

49,2

nF

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

0,228

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

V_CE= 950 V, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

0,07 mA

100 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 500 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,189

0,191

0,192

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 500 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,026

0,032

0,034

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 500 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,76

0,92

0,94

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 500 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,23

0,44

0,49

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 500 V, Lσ = 35 nH

di/dt = 5200 A/µs (T_vj= 150°C)

V_GE= -15 / 15 V, R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

3,10

4,00

4,30

mJ

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 500 V, Lσ = 35 nH

du/dt = 1200 V/µs (T_vj= 150°C)

V_GE= -15 / 15 V, R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

24,5

35,3

37,9

mJ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 600 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 0 µs, T_vj= 150°C

1200

A

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJH

T_{vj op}

0,200

K/W

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

Datasheet

3

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

IGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ/ꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

I_CN

ꢀ

950

200

ꢀ

V

A

V

ImplementierterꢀKollektor-Strom

Implementedꢀcollectorꢀcurrent

Kollektor-Dauergleichstrom

T_H= 65°C, T_{vj max}= 175°C

I_CDC

I_CRM

V_GES

140

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

t_P= 1 ms

400

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

+/-20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 150 A

V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

1,68 1,98

1,88

1,92

V

V_{CE sat}

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 3,25 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 / 15 V, V_CE= 600 V

T_vj= 25°C

V_GEth

Q_G

4,35 5,10 5,85

V

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

0,45

1,5

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 100 kHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

12,6

0,039

nF

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

V_CE= 950 V, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

0,05 mA

100 nA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 500 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,086

0,095

0,096

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 500 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,02

0,022

0,023

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 500 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,18

0,22

0,23

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 150 A, V_CE= 500 V

V_GE= -15 / 15 V

R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

0,032

0,089

0,112

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 500 V, Lσ = 35 nH

di/dt = 5300 A/µs (T_vj= 150°C)

V_GE= -15 / 15 V, R_Gon= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

5,00

6,43

6,79

mJ

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 150 A, V_CE= 500 V, Lσ = 35 nH

du/dt = 6000 V/µs (T_vj= 150°C)

V_GE= -15 / 15 V, R_Goff= 3,9 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

3,73

6,35

7,26

mJ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 600 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

t_P≤ 0 µs, T_vj= 150°C

600

A

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJH

T_{vj op}

0,340

K/W

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

Datasheet

4

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

Diode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ/ꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_FN

ꢀ

950

200

150

400

ꢀ

V

A

ImplementierterꢀDurchlassstrom

Implementedꢀforwardꢀcurrent

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

I_F

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

I_FRM

I²t

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

1620

1530

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 150 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

2,33 2,58

2,12

2,08

V

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 150 A, - di_F/dt = 5300 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 500 V

V_GE= -15 V

119

173

189

A

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 150 A, - di_F/dt = 5300 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 500 V

V_GE= -15 V

5,84

11,6

14,0

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 150 A, - di_F/dt = 5300 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

1,70

3,62

4,53

mJ

V_R= 500 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJH

T_{vj op}

0,460

K/W

°C

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

Diode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ/ꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_FN

ꢀ

950

200

150

400

ꢀ

V

A

ImplementierterꢀDurchlassstrom

Implementedꢀforwardꢀcurrent

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

I_F

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

I_FRM

I²t

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

1620

1530

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 150 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

2,33 2,58

2,12

2,08

V

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 150 A, - di_F/dt = 5200 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 500 V

V_GE= -15 V

154

189

200

A

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 150 A, - di_F/dt = 5200 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 500 V

V_GE= -15 V

6,65

14,9

20,0

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 150 A, - di_F/dt = 5200 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

2,39

6,24

7,49

mJ

V_R= 500 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJH

T_{vj op}

0,552

K/W

°C

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

Datasheet

5

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

Diode,ꢀD5-D6ꢀ/ꢀDiode,ꢀD5-D6

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

PeriodischeꢀSpitzensperrspannung

Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_RRM

I_FN

ꢀ

950

200

150

400

ꢀ

V

A

ImplementierterꢀDurchlassstrom

Implementedꢀforwardꢀcurrent

Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent

I_F

PeriodischerꢀSpitzenstrom

t_P= 1 ms

I_FRM

I²t

Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent

Grenzlastintegral

I²tꢀ-ꢀvalue

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 125°C

V_R= 0 V, t_P= 10 ms, T_vj= 150°C

1620

1530

A²s

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

I_F= 150 A, V_GE= 0 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

2,33 2,58

2,12

2,08

V

V_F

I_RM

Q_r

Rückstromspitze

Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent

I_F= 150 A, - di_F/dt = 5800 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 500 V

V_GE= -15 V

145

189

205

A

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

Sperrverzögerungsladung

Recoveredꢀcharge

I_F= 150 A, - di_F/dt = 5800 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

V_R= 500 V

V_GE= -15 V

7,70

15,0

18,7

µC

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

AbschaltenergieꢀproꢀPuls

Reverseꢀrecoveryꢀenergy

I_F= 150 A, - di_F/dt = 5800 A/µs (T_vj=150°C) T_vj= 25°C

2,59

5,01

6,44

mJ

V_R= 500 V

V_GE= -15 V

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_rec

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode

R_thJH

T_{vj op}

0,490

K/W

°C

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

5,00

Nennwiderstand

Ratedꢀresistance

T_NTC= 25°C

R₂₅

∆R/R

P₂₅

kΩ

AbweichungꢀvonꢀR100

DeviationꢀofꢀR100

T_NTC= 100°C, R₁₀₀= 493 Ω

-5

5

%

Verlustleistung

Powerꢀdissipation

T_NTC= 25°C

20,0 mW

B-Wert

B-value

R₂= R₂₅exp [B_25/50(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/80(1/T₂- 1/(298,15 K))]

R₂= R₂₅exp [B_25/100(1/T₂- 1/(298,15 K))]

B_25/50

B_25/80

B_25/100

3375

3411

3433

K

B-Wert

B-value

B-Wert

B-value

AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.

Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.

Datasheet

6

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

Isolationꢀtestꢀvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

V_ISOL

ꢀ

3,2

ꢀ kV

ꢀ

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

Al₂O₃

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

9,6

5,8

ꢀ mm

ꢀ

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

8,8

4,7

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

CTI

RTI

> 400

RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)

RTIꢀElec.

Gehäuse

housing

140

ꢀ °C

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

L_sCE

T_stg

M

15

nH

°C

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

-40

125

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

Schraubeꢀꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

Screwꢀꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

1,30

1,50 Nm

g

Gewicht

Weight

G

78

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.

The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.

IGBT- und Dioden-RthJH-Parameter mit einer Wärmeleitpaste λ_Paste= 3.3 W/(m·K) gemessen

IGBT- and diode- RthJH parameters measured with thermal grease of λ_paste= 3.3 W/(m·K)

Datasheet

7

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ150°C

300

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

V_GE= 19V

V_GE= 17V

V_GE= 15V

V_GE= 13V

V_GE= 11V

250

200

150

100

50

250

200

150

100

50

V_GE

= 9V

0

0,0

0,5

1,0

V_CE[V]

1,5

2,0

0,0

1,0

2,0

3,0

V_CE[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV

300

18

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

250

200

150

100

50

15

12

9

6

3

0

4

0

5

6

7

8

0

50

100

150

I_C[A]

200

250

300

V_GE[V]

Datasheet

8

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)

switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)

t_donꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_rꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_doffꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_fꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150ꢀ°C

30

10

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

t_don

t_r

t_doff

t_f

25

20

15

10

5

1

0,1

0,01

0,001

0

10

20

R_G[Ω]

30

40

0

50

100

150

I_C[A]

200

250

300

SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)

t_donꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_rꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_doffꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_fꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150ꢀ°C

10

1

t_don

t_r

Z_thJH: IGBT

t_doff

t_f

1

0,1

0,01

i:

1

2

3

4

r_i[K/W]: 0,0046 0,0214 0,099 0,099

τ_i[s]: 0,00058 0,00991 0,146 0,146

0,01

0,001

0

10

20

R_G[Ω]

30

40

0,01

0,1

t [s]

1

10

Datasheet

9

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(RBSOA)

KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)

capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

Cꢀ=ꢀf(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

V_GEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ100kHz

900

1000

I_C, Modul

I_C, Chip

C_ies

C_oes

C_res

800

700

600

500

400

300

200

100

0

100

10

1

0,1

0,01

0

100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

V_CE[V]

0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

V_CE[V]

GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typisch)

gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT1ꢀ/ꢀT4ꢀ(typical)

V_GEꢀ=ꢀf(Q_G)

AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

15

300

V_CC= 600 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

10

5

250

200

150

100

50

0

-5

-10

-15

0

0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0

0,0

0,5

1,0

1,5

Q_G[µC]

V_CE[V]

Datasheet

10

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE)

T_vjꢀ=ꢀ150°C

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

300

V_GE= 19V

V_GE= 17V

V_GE= 15V

V_GE= 13V

V_GE= 11V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

250

200

150

100

50

250

200

150

100

50

V_GE

= 9V

0

0,0

0,5

1,0

1,5

4,0

5,0

6,0

V_GE[V]

7,0

8,0

V_CE[V]

SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV

60

50

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

50

40

30

20

10

0

40

30

20

10

0

50

100

150

I_C[A]

200

250

300

0

10

20

R_G[Ω]

30

40

Datasheet

11

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)

switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)

t_donꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_rꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_doffꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_fꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150ꢀ°C

switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)

t_donꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_rꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_doffꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_fꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ300ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150ꢀ°C

100

10

t_don

t_r

t_don

t_r

t_doff

t_f

t_doff

t_f

10

1

0,1

0,01

0

50

100

150

I_C[A]

200

250

300

0

10

20

R_G[Ω]

30

40

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(RBSOA)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

1

900

Z_thJH: IGBT

I_C, Modul

I_C, Chip

800

700

600

500

400

300

200

100

0

0,1

0,01

i:

1

2

3

4

r_i[K/W]: 0,0044 0,0191 0,0882 0,0883

τ_i[s]: 0,00058 0,00991 0,146 0,146

0,001

0,01

0,1

t [s]

1

10

0

100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

V_CE[V]

Datasheet

12

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)

capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)

GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typisch)

gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT2ꢀ/ꢀT3ꢀ(typical)

V_GEꢀ=ꢀf(Q_G)

Cꢀ=ꢀf(V_CE

)

V_GEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ100kHz

I_Cꢀ=ꢀ400ꢀA,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C

1000

15

C_ies

C_oes

C_res

V_CC= 600 V

10

5

100

10

0

1

-5

0,1

0,01

-10

-15

0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

V_CE[V]

0,0

1,0

2,0

3,0

4,0

5,0

Q_G[µC]

AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)

AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ150°C

300

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

V_GE= 19V

V_GE= 17V

V_GE= 15V

V_GE= 13V

V_GE= 11V

250

200

150

100

50

250

200

150

100

50

V_GE

=

9V

0

0,0

1,0

2,0

3,0

0,0

1,0

2,0

V_CE[V]

3,0

4,0

V_CE[V]

Datasheet

13

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_GE

)

V_CEꢀ=ꢀ20ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV

300

15

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

250

200

150

100

50

12

9

6

3

0

4

0

5

6

7

8

9

0

50

100

150

I_C[A]

200

250

300

V_GE[V]

SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)

switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)

t_donꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_rꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_doffꢀ=ꢀfꢀ(I_C),ꢀt_fꢀ=ꢀfꢀ(I_C)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150ꢀ°C

30

10

E_on, T_vj= 125°C

E_on, T_vj= 150°C

E_off, T_vj= 125°C

E_off, T_vj= 150°C

t_don

t_r

t_doff

t_f

25

20

15

10

5

1

0,1

0

0,01

0

10

20

R_G[Ω]

30

40

0

50

100

150

I_C[A]

200

250

300

Datasheet

14

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)

TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)

t_donꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_rꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_doffꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀt_fꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀI_Cꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150ꢀ°C

1

t_don

t_r

Z_thJH: IGBT

t_doff

t_f

0,1

0,01

i:

r_i[K/W]: 0,0075 0,0325 0,15 0,15

τ_i[s]: 0,00058 0,00991 0,146 0,146

1

2

3

4

0,01

0,001

0

10

20

R_G[Ω]

30

40

0,01

0,1

t [s]

1

10

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(RBSOA)

KapazitätsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)

capacityꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)

I_Cꢀ=ꢀfꢀ(V_CE

)

Cꢀ=ꢀf(V_CE)

V_GEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

V_GEꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ100kHz

500

100

I_C, Modul

I_C, Chip

C_ies

C_oes

C_res

400

300

200

100

0

10

1

0,1

0,01

0

100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000

0

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

V_CE[V]

Datasheet

15

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

GateladungsꢀCharakteristikꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typisch)

gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀT5ꢀ/ꢀT6ꢀ(typical)

V_GEꢀ=ꢀf(Q_G)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

I_Cꢀ=ꢀ200ꢀA,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C

15

300

V_CC= 600 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

10

5

250

200

150

100

50

0

-5

-10

-15

0

0,0

0,1

0,2

0,3

0,4

0,5

0,0

1,0

2,0

V_F[V]

3,0

4,0

Q_G[µC]

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV

8

6

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

6

4

2

0

4

2

0

50

100

150

I_F[A]

200

250

300

0

10

20

R_G[Ω]

30

40

Datasheet

16

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD1ꢀ/ꢀD4ꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

1

300

Z_thJH: Diode

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

250

200

150

100

50

0,1

0,01

i:

r_i[K/W]: 0,025

τ_i[s]: 0,000563 0,0126 0,103 0,103

1

2

3

4

0,114 0,16 0,161

0,001

0

0,01

0,1

t [s]

1

10

0,0

1,0

2,0

V_F[V]

3,0

4,0

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV

12

10

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

10

8

6

4

2

0

6

4

2

0

50

100

150

I_F[A]

200

250

300

0

10

20

R_G[Ω]

30

40

Datasheet

17

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD2ꢀ/ꢀD3ꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typisch)

forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typical)

I_Fꢀ=ꢀfꢀ(V_F)

1

300

Z_thJH: Diode

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

250

200

150

100

50

0,1

0,01

i:

r_i[K/W]: 0,021 0,1

τ_i[s]: 0,0005 0,0114 0,112 0,112

1

2

3

4

0,215 0,216

0,001

0

0,01

0,1

t [s]

1

10

0,0

1,0

2,0

V_F[V]

3,0

4,0

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(I_F)

SchaltverlusteꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ(typical)

E_recꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

R_Gonꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV

I_Fꢀ=ꢀ150ꢀA,ꢀV_CEꢀ=ꢀ500ꢀV

15

8

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

E_rec, T_vj= 125°C

E_rec, T_vj= 150°C

12

9

6

4

2

0

6

3

0

50

100

150

I_F[A]

200

250

300

0

10

20

R_G[Ω]

30

40

Datasheet

18

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀD5-D6ꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)

NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)

Rꢀ=ꢀfꢀ(T_NTC

)

1

100000

Z_thJH: Diode

10000

1000

100

0,1

0,01

i:

r_i[K/W]: 0,029

τ_i[s]: 0,000563 0,0126 0,103 0,103

1

2

3

4

0,121 0,17 0,17

0,001

10

0

0,01

0,1

t [s]

1

10

20

40

60

80

T_NTC[°C]

100 120 140 160

Datasheet

19

Vꢀ3.0

2020-02-27

F3L400R10W3S7_B11

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines

dimensioned for EJOT Delta PT WN5451 25

r

e

h

s

a

P3,5 4x

choose length according to pcb thickness

(P2,3) Dome

pcb hole pattern

P0,25ABC

B

L

4x

w

d

a

e

h

w

e

DC+

DC-

N

26

14

r

c

s

24

20,8

17,6

14,4

NTC1

NTC2

o

t

x

E4

G4

g

2

n

i

2

1

d

,

1

r

0

P

o

c

B

x

c

4

2

a

,

5

P

4

,

0

B

0

2

6

C1 G1 E1

C2

E3

G3

4,8

8

G5

E5

C

B

G6 E6

A

5

14

26

2

,

0

P

G2

E2

x

20,8

24

L

2

AC

0

7

4

,

9

7

4

109,9B0,45

C

0

8

6

2

0

8

6

2

0

2

6

8

0

2

6

0

4

,

9

3

0

6

3

7

3

6

0

3

9

6

0

4

0

6

1

2

3

2

A

1

,

0

)

4

2

B

,

1

(

6

2

,

1

(

2

1

recommended design hight

Datasheet

20

Vꢀ3.0

2020-02-27

Trademarks

Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.

ꢀ

Editionꢀ2020-02-27

AllꢀRightsꢀReserved.

Publishedꢀby

InfineonꢀTechnologiesꢀAG

81726ꢀMünchen,ꢀGermany

Doꢀyouꢀhaveꢀaꢀquestionꢀaboutꢀthisꢀdocument?

Email:ꢀerratum@infineon.com

ꢀ

WICHTIGERꢀHINWEIS

DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀAngabenꢀstellenꢀkeinesfallsꢀGarantienꢀfürꢀdieꢀBeschaffenheitꢀoderꢀEigenschaftenꢀdesꢀProduktes

(“Beschaffenheitsgarantie“)ꢀdar.ꢀFürꢀBeispiele,ꢀHinweiseꢀoderꢀtypischeꢀWerte,ꢀdieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenꢀsind,ꢀund/oderꢀAngaben,

dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,

einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.

DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem

DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon

ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.

DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder

EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen

ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.

SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen

benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).

WARNHINWEIS

AufgrundꢀderꢀtechnischenꢀAnforderungenꢀkönnenꢀProdukteꢀgesundheitsgefährdendeꢀSubstanzenꢀenthalten.ꢀBeiꢀFragenꢀzuꢀdenꢀinꢀdiesem

ProduktꢀenthaltenenꢀSubstanzen,ꢀsetzenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀmitꢀdemꢀnächstenꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀVerbindung.

SofernꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀausdrücklichꢀinꢀeinemꢀschriftlichen,ꢀvonꢀvertretungsberechtigtenꢀInfineonꢀMitarbeiternꢀunterzeichneten

Dokumentꢀzugestimmtꢀhat,ꢀdürfenꢀProdukteꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀnichtꢀinꢀAnwendungenꢀeingesetztꢀwerden,ꢀinꢀwelchen

vernünftigerweiseꢀerwartetꢀwerdenꢀkann,ꢀdassꢀeinꢀFehlerꢀdesꢀProduktesꢀoderꢀdieꢀFolgenꢀderꢀNutzungꢀdesꢀProduktesꢀzu

Personenverletzungenꢀführen.

ꢀ

IMPORTANTꢀNOTICE

Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics

(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe

applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout

limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.

Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany

applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies

inꢀcustomer’sꢀapplications.

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical

departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin

thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.

Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon

Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).

WARNINGS

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour

nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.

ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon

Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof

theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.


型号：	F3L400R10W3S7_B11
厂家：	Infineon
描述：	PressFIT
文件：	总21页 (文件大小：1767K)
中文：	中文翻译
下载：	下载PDF数据表文档文件

F3L400R10W3S7_B11 [INFINEON]

相关型号：

F3L400R12PT4B26BOSA1

F3L400R12PT4_B26

F3L50R06W1E3-B11

F3L50R06W1E3_B11

F3L600R10W4S7F_C22

F3L75R07W2E3-B11

F3L75R07W2E3B11BOMA1

F3L75R07W2E3_B11

F3L75R12W1H3B11BPSA1

F3L75R12W1H3B27BOMA1

F3L75R12W1H3_B11

F3L75R12W1H3_B27