FF450R12KT4 [INFINEON]
62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode; 快速沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管62毫米C系列模块型号: | FF450R12KT4 |
厂家: | Infineon |
描述: | 62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12KT4
62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode
62mm C-series module with fast trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Vorläufige Daten / preliminary data
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 100°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
450
580
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
900
2400
+/-20
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 450 A, V•Š = 15 V
I† = 450 A, V•Š = 15 V
I† = 450 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,75 2,15
2,05
2,10
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 17,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
5,2
5,8
3,60
1,9
6,4
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
28,0
1,10
nF
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
5,0 mA
400 nA
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 450 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,0 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,16
0,17
0,18
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 450 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,0 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,04
0,045
0,05
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 450 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 1,0 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,45
0,52
0,54
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 450 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 1,0 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,10
0,16
0,18
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 450 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 9000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
19,0
30,0
36,0
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
EÓËË
R•ÓÒ = 1,0 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 450 A, V†Š = 600 V, L» = 30 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 4500 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
26,0
40,0
43,0
mJ
mJ
mJ
R•ÓËË = 1,0 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 800 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C
1800
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,062 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,03
K/W
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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date of publication: 2008-11-19
revision: 2.3
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12KT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
1200
450
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
IŒ
IŒç¢
I²t
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
900
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
34000
32000
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 450 A, V•Š = 0 V
IŒ = 450 A, V•Š = 0 V
IŒ = 450 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,70 2,25
1,75
1,75
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 450 A, - diŒ/dt = 9000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
490
550
560
A
A
A
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 450 A, - diŒ/dt = 9000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
44,0
80,0
90,0
µC
µC
µC
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 450 A, - diŒ/dt = 9000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
19,0
35,0
39,0
mJ
mJ
mJ
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,11 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Diode / per diode
/
0,055
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12KT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
insulation test voltage
Vš»¥¡
4,0
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
29,0
23,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
23,0
11,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 400
min. typ. max.
0,01
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
20
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
0,70
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÑÈà
175
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
-40
-40
150
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
mounting torque screw M6 - mounting according to valid application note
M
M
G
3,00
2,5
-
-
6,00 Nm
5,0 Nm
g
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note
terminal connection torque
Gewicht
weight
340
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12KT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
900
900
810
720
630
540
450
360
270
180
90
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
810
720
630
540
450
360
270
180
90
0
0
0,0
0,5
1,0
1,5 2,0
V†Š [V]
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1 Â, R•ÓËË = 1 Â, V†Š = 600 V
900
120
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
810
100
80
60
40
20
0
EÓËË, TÝÎ = 150°C
720
630
540
450
360
270
180
90
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
13
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900
I† [A]
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revision: 2.3
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12KT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 450 A, V†Š = 600 V
200
0,1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
ZÚÌœ† : IGBT
180
160
140
120
100
80
0,01
60
40
i:
1
2
3
4
rÍ[K/W]: 0,00372 0,02046 0,01984 0,01798
0,01 0,02 0,05 0,1
20
τÍ[s]:
0
0,001
0,001
0
1
2
3
4
5
R• [Â]
6
7
8
9
10
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1 Â, TÝÎ = 150°C
1200
900
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
810
720
900
600
300
0
630
540
450
360
270
180
90
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VŒ [V]
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5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12KT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
R•ÓÒ = 1 Â, V†Š = 600 V
IŒ = 450 A, V†Š = 600 V
50
50
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
45
45
40
35
30
25
20
15
10
5
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900
IŒ [A]
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,0 6,0 7,0 8,0 9,0 10,0
R• [Â]
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
1
ZÚÌœ† : Diode
0,1
0,01
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,0066 0,0363 0,0352 0,0319
4
τÍ[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12KT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
j n
j n
i
i
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7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12KT4
Vorläufige Daten
preliminary data
Nutzungsbedingungen
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and that we may make delivery depended on the realization
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
INFINEON
FF450R12ME4PB11BOSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
INFINEON
FF450R12ME4PBOSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
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