FF450R12ME4 [INFINEON]
EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC; EconoDUAL3模块沟/场终止IGBT 4和发射极控制二极管HE和NTC
| 型号： | FF450R12ME4 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | EconoDUAL3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC |
| 文件： | 总9页 (文件大小：510K) |
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Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12ME4
EconoDUAL™3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled HE Diode und NTC
EconoDUAL™3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled HE diode and NTC
V†Š» = 1200V
I† ÒÓÑ = 450A / I†ç¢ = 900A
Typische Anwendungen
Typical Applications
Motorantriebe
Servoumrichter
USV-Systeme
Windgeneratoren
Motor Drives
Servo Drives
UPS Systems
Wind Turbines
•
•
•
•
•
•
•
•
Elektrische Eigenschaften
Electrical Features
Niedriges V†ŠÙÈÚ
TÝÎ ÓÔ = 150°C
Low V†ŠÙÈÚ
•
•
•
•
TÝÎ ÓÔ = 150°C
Mechanische Eigenschaften
Standardgehäuse
Mechanical Features
Standard Housing
•
•
Module Label Code
Barcode Code 128
Content of the Code
Digit
Module Serial Number
1 - 5
Module Material Number
Production Order Number
Datecode (Production Year)
Datecode (Production Week)
6 - 11
12 - 19
20 - 21
22 - 23
DMX - Code
prepared by: CU
approved by: MK
date of publication: 2011-03-01
revision: 3.1
material no: 30812
UL approved (E83335)
1
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12ME4
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
TÝÎ = 25°C
V†Š»
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T† = 100°C, TÝÎ = 175°C
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
I† ÒÓÑ
I†
450
675
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t« = 1 ms
I†ç¢
PÚÓÚ
900
2250
+/-20
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T† = 25°C, TÝÎ = 175°C
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V•Š»
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
I† = 450 A, V•Š = 15 V
I† = 450 A, V•Š = 15 V
I† = 450 A, V•Š = 15 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ
TÝÎ = 150°C
1,75 2,10
2,00
2,05
V
V
V
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
I† = 17,0 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C
V•Š = -15 V ... +15 V
V•ŠÚÌ
Q•
5,2
5,8
3,30
1,7
6,4
V
µC
Â
Gateladung
gate charge
Interner Gatewiderstand
internal gate resistor
TÝÎ = 25°C
R•ÍÒÚ
CÍþÙ
CØþÙ
I†Š»
I•Š»
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C
28,0
1,55
nF
nF
mA
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
3,0
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
400 nA
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-on delay time (inductive load)
I† = 450 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,3 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓÒ
0,19
0,22
0,22
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I† = 450 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓÒ = 1,3 Â
TÝÎ = 25°C
tØ
0,06
0,07
0,07
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn-off delay time (inductive load)
I† = 450 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 1,3 Â
TÝÎ = 25°C
tÁ ÓËË
0,49
0,58
0,62
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
I† = 450 A, V†Š = 600 V
V•Š = ±15 V
R•ÓËË = 1,3 Â
TÝÎ = 25°C
tË
0,08
0,11
0,12
µs
µs
µs
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
I† = 450 A, V†Š = 600 V, L» = 35 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, di/dt = 7000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
15,0
26,0
28,5
mJ
mJ
mJ
EÓÒ
R•ÓÒ = 1,3 Â
TÝÎ = 150°C
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
I† = 450 A, V†Š = 600 V, L» = 35 nH TÝÎ = 25°C
V•Š = ±15 V, du/dt = 3100 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C
38,0
55,5
61,5
mJ
mJ
mJ
EÓËË
R•ÓËË = 1,3 Â
TÝÎ = 150°C
Kurzschlussverhalten
SC data
V•Š ù 15 V, V†† = 800 V
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt
IȠ
t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C
1800
A
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro IGBT / per IGBT
pro IGBT / per IGBT
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,066 K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,03
K/W
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
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revision: 3.1
2
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12ME4
Diode-Wechselrichter / diode-inverter
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
TÝÎ = 25°C
Vçç¢
IŒ
1200
450
V
A
A
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t« = 1 ms
IŒç¢
I²t
900
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t - value
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 125°C
Vç = 0 V, t« = 10 ms, TÝÎ = 150°C
35000
28500
A²s
A²s
Charakteristische Werte / characteristic values
min. typ. max.
Durchlassspannung
forward voltage
IŒ = 450 A, V•Š = 0 V
IŒ = 450 A, V•Š = 0 V
IŒ = 450 A, V•Š = 0 V
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
1,65 2,10
1,65
1,65
V
V
V
VŒ
Iç¢
QØ
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IŒ = 450 A, - diŒ/dt = 7000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
450
550
575
A
A
A
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IŒ = 450 A, - diŒ/dt = 7000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
48,0
92,0
105
µC
µC
µC
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IŒ = 450 A, - diŒ/dt = 7000 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
26,5
48,5
55,0
mJ
mJ
mJ
Vç = 600 V
V•Š = -15 V
EØþÊ
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Diode / per diode
pro Diode / per diode
RÚÌœ†
RÚ̆™
0,10 K/W
K/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
0,045
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Charakteristische Werte / characteristic values
Nennwiderstand
rated resistance
min. typ. max.
5,00
T† = 25°C
Rèë
ÆR/R
Pèë
kÂ
%
Abweichung von Ræåå
deviation of Ræåå
T† = 100°C, Ræåå = 493 Â
T† = 25°C
-5
5
Verlustleistung
power dissipation
20,0 mW
B-Wert
B-value
Rè = Rèë exp [Bèëõëå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõîå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Rè = Rèë exp [Bèëõæåå(1/Tè - 1/(298,15 K))]
Bèëõëå
Bèëõîå
Bèëõæåå
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
Angaben gemäß gültiger Application Note.
Specification according to the valid application note.
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revision: 3.1
3
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12ME4
Modul / module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
insulation test voltage
Vš»¥¡
2,5
Cu
kV
Material Modulgrundplatte
material of module baseplate
Material für innere Isolation
material for internal insulation
AlèOé
Kriechstrecke
creepage distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
14,5
13,0
mm
mm
Luftstrecke
clearance distance
Kontakt - Kühlkörper / terminal to heatsink
Kontakt - Kontakt / terminal to terminal
12,5
10,0
Vergleichszahl der Kriechwegbildung
comparative tracking index
CTI
> 200
min. typ. max.
0,009
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K) / ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)
RÚ̆™
LÙ†Š
K/W
nH
Modulinduktivität
stray inductance module
20
Modulleitungswiderstand,
Anschlüsse - Chip
module lead resistance,
terminals - chip
T† = 25°C, pro Schalter / per switch
R††óôŠŠó
1,10
mÂ
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
Wechselrichter, Brems-Chopper / Inverter, Brake-Chopper
TÝÎ ÑÈà
TÝÎ ÓÔ
TÙÚÃ
M
175
°C
°C
°C
Temperatur im Schaltbetrieb
temperature under switching conditions
-40
-40
150
125
Lagertemperatur
storage temperature
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Schraube M5 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M5 - mounting according to valid application note
3,00
3,0
-
-
6,00 Nm
6,0 Nm
g
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
Schraube M6 - Montage gem. gültiger Applikation Note
screw M6 - mounting according to valid application note
M
Gewicht
weight
G
345
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4
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12ME4
Ausgangskennlinie IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
Ausgangskennlinienfeld IGBT-Wechselr. (typisch)
output characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V†Š)
TÝÎ = 150°C
V•Š = 15 V
900
900
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
750
V•Š = 19V
V•Š = 17V
V•Š = 15V
V•Š = 13V
V•Š = 11V
V•Š = 9V
750
600
450
300
150
0
600
450
300
150
0
0,0
0,5
1,0
1,5
V†Š [V]
2,0
2,5
3,0
3,5
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
V†Š [V]
Übertragungscharakteristik IGBT-Wechselr. (typisch)
transfer characteristic IGBT-inverter (typical)
I† = f (V•Š)
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-inverter (typical)
EÓÒ = f (I†), EÓËË = f (I†)
V†Š = 20 V
V•Š = ±15 V, R•ÓÒ = 1.3 Â, R•ÓËË = 1.3 Â, V†Š = 600 V
900
140
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
750
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
120
EÓËË, TÝÎ = 150°C
100
600
450
300
150
0
80
60
40
20
0
5
6
7
8
9
V•Š [V]
10
11
12
13
0
150
300
450
I† [A]
600
750
900
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revision: 3.1
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5
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12ME4
Schaltverluste IGBT-Wechselr. (typisch)
switching losses IGBT-Inverter (typical)
EÓÒ = f (R•), EÓËË = f (R•)
Transienter Wärmewiderstand IGBT-Wechselr.
transient thermal impedance IGBT-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
V•Š = ±15 V, I† = 450 A, V†Š = 600 V
220
0,1
EÓÒ, TÝÎ = 125°C
ZÚÌœ† : IGBT
200
180
160
140
120
100
80
EÓÒ, TÝÎ = 150°C
EÓËË, TÝÎ = 125°C
EÓËË, TÝÎ = 150°C
0,01
60
40
i:
rÍ[K/W]: 0,00396 0,02178 0,02112 0,01914
τÍ[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1
1
2
3
4
20
0
0,001
0,001
0
2
4
6
8
R• [Â]
10
12
14
16
0,01
0,1
t [s]
1
10
Sicherer Rückwärts-Arbeitsbereich IGBT-Wr. (RBSOA)
reverse bias safe operating area IGBT-inv. (RBSOA)
I† = f (V†Š)
Durchlasskennlinie der Diode-Wechselr. (typisch)
forward characteristic of diode-inverter (typical)
IŒ = f (VŒ)
V•Š = ±15 V, R•ÓËË = 1.3 Â, TÝÎ = 150°C
1000
900
I†, Modul
I†, Chip
TÝÎ = 25°C
TÝÎ = 125°C
TÝÎ = 150°C
750
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
600
450
300
150
0
0
200
400
600 800
V†Š [V]
1000 1200 1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VΠ[V]
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6
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12ME4
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (IŒ)
Schaltverluste Diode-Wechselr. (typisch)
switching losses diode-inverter (typical)
EØþÊ = f (R•)
IŒ = 450 A, V†Š = 600 V
R•ÓÒ = 1.3 Â, V†Š = 600 V
80
70
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
EØþÊ, TÝÎ = 125°C
EØþÊ, TÝÎ = 150°C
70
60
50
40
30
20
10
0
60
50
40
30
20
10
0
0
150
300
450
IΠ[A]
600
750
900
0
2
4
6
8
R• [Â]
10
12
14
16
Transienter Wärmewiderstand Diode-Wechselr.
transient thermal impedance diode-inverter
ZÚÌœ† = f (t)
NTC-Temperaturkennlinie (typisch)
NTC-temperature characteristic (typical)
R = f (T)
1
100000
ZÚÌœ† : Diode
RÚáÔ
0,1
10000
1000
100
0,01
i:
1
2
3
rÍ[K/W]: 0,006 0,033 0,032 0,029
4
τÍ[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
0
20
40
60
80
T† [°C]
100 120 140 160
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7
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12ME4
Schaltplan / circuit diagram
Gehäuseabmessungen / package outlines
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8
Technische Information / technical information
IGBT-Module
IGBT-modules
FF450R12ME4
Nutzungsbedingungen
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9
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FF450R12ME4B11BOSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
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FF450R12ME4EB11BPSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
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FF450R12ME4P
Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
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FF450R12ME4PB11BOSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
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FF450R12ME4PBOSA1
Insulated Gate Bipolar Transistor, 675A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-11
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FF450R17IE4BOSA2
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1800A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-10
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