FF6MR12KM1P [INFINEON]

TIM;


型号：	FF6MR12KM1P
厂家：	Infineon
描述：	TIM
文件：	总8页 (文件大小：541K)
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FF6MR12KM1P

62mmꢀC-SerienꢀModulꢀmitꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀundꢀbereitsꢀaufgetragenemꢀThermalꢀInterface

Material

62mmꢀC-SeriesꢀmoduleꢀwithꢀCoolSiC™ꢀTrenchꢀMOSFETꢀandꢀpre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial

VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData

V_DSS= 1200V

I_{D nom}= 250A / I_DRM= 500A

PotentielleꢀAnwendungen

• AnwendungenꢀmitꢀhohenꢀSchaltfrequenzen

• DC/DCꢀWandler

PotentialꢀApplications

• HighꢀFrequencyꢀSwitchingꢀapplication

• DC/DCꢀconverter

• SolarꢀAnwendungen

• Solarꢀapplications

• USV-Systeme

• UPSꢀsystems

ElektrischeꢀEigenschaften

• HoheꢀStromdichte

ElectricalꢀFeatures

• Highꢀcurrentꢀdensity

• Lowꢀswitchingꢀlosses

• NiedrigeꢀSchaltverluste

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

• Thermisches Interface Material bereits

• Pre-appliedꢀThermalꢀInterfaceꢀMaterial

aufgetragen

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

Datasheet

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ2.0

www.infineon.com

2020-05-20

FF6MR12KM1P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

MOSFETꢀ/ꢀMOSFET

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Drain-Source-Spannung

Drain-sourceꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_H= 30°C

V_DSS

I_{D nom}

I_{D pulse}

V_GSS

ꢀ

1200

250

ꢀ

Drain-Gleichstrom

T_vj= 175°C, V_GS= 15 V

DCꢀdrainꢀcurrent

GepulsterꢀDrainstrom

Pulsedꢀdrainꢀcurrent

verifiziertꢀdurchꢀDesign,ꢀt_pꢀlimitiertꢀdurchꢀT_vjmax

verifiedꢀbyꢀdesign,ꢀt_pꢀlimitedꢀbyꢀT_vjmax

500

Gate-SourceꢀSpannung

Gate-sourceꢀvoltage

-10 / 20

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Einschaltwiderstand

Drain-sourceꢀonꢀresistance

I_D= 250 A

V_GS= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

5,81

7,56

8,50

R_{DS on}

mΩ

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_Dꢀ=ꢀ80,0ꢀmA,ꢀV_DSꢀ=ꢀV_GS,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C

(testedꢀafterꢀ1msꢀpulseꢀatꢀV_GSꢀ=ꢀ+20ꢀV)

V_GS(th)3,45 4,50 5,15

GesamtꢀGateladung

Totalꢀgateꢀcharge

V_GS= -5 V / 15 V, V_DS= 800 V

T_vj= 25°C

Q_G

R_Gint

C_iss

C_oss

C_rss

E_oss

I_DSS

I_GSS

0,496

1,0

µC

Ω

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C

V_DS= 800 V, V_GS= 0 V

14,7

0,88

0,112

352

µJ

Ausgangskapazität

Outputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C

V_DS= 800 V, V_GS= 0 V

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C

V_DS= 800 V, V_GS= 0 V

C_OSSꢀSpeicherenergie

C_OSSꢀstoredꢀenergy

T_vj= 25°C

V_DS= 800 V, V_GS= -5 V / 15 V

Drain-Source-Reststrom

Zeroꢀgateꢀvoltageꢀdrainꢀcurrent

V_DS= 1200 V, V_GS= -5 V

T_vj= 25°C

0,80 660 µA

Gate-Source-Reststrom

Gate-sourceꢀleakageꢀcurrent

V_DS= 0 V

T_vj= 25°C

V_GS= 20 V

V_GS= -10 V

400

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turnꢀonꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_D= 250 A, V_DS= 600 V

V_GS= -5 V / 15 V

R_Gon= 3,00 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

69,1

66,4

65,5

t_{d on}

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_D= 250 A, V_DS= 600 V

V_GS= -5 V / 15 V

R_Gon= 3,00 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

33,7

32,0

31,9

t_r

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turnꢀoffꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_D= 250 A, V_DS= 600 V

V_GS= -5 V / 15 V

R_Goff= 3,90 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

124

134

t_{d off}

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_D= 250 A, V_DS= 600 V

V_GS= -5 V / 15 V

R_Goff= 3,90 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

43,9

45,2

t_f

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_D= 250 A, V_DS= 600 V, Lσ = 10 nH

di/dt = 8,95 kA/µs (T_vj= 150°C)

V_GS= -5 V / 15 V, R_Gon= 3,00 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

4,26

4,75

4,95

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_D= 250 A, V_DS= 600 V, Lσ = 10 nH

du/dt = 12,9 kV/µs (T_vj= 150°C)

V_GS= -5 V / 15 V, R_Goff= 3,90 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

5,72

5,99

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink

proꢀMOSFETꢀ/ꢀperꢀMOSFET

validꢀwithꢀIFXꢀpre-appliedꢀthermalꢀinterfaceꢀmaterial

R_thJH

T_{vj op}

0,181 K/W

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

-40

150

°C

BodyꢀDiodeꢀ/ꢀBodyꢀdiode

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

BodyꢀDiode-Gleichstrom

DCꢀbodyꢀdiodeꢀforwardꢀcurrent

T_vj= 175°C, V_GS= -5 V

T_H= 30°C

I_SD

ꢀ

110

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

Durchlassspannung

Forwardꢀvoltage

min. typ. max.

I_SD= 250 A, V_GS= -5 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

4,80 5,85

4,55

4,50

V_SD

Datasheet

Vꢀ2.0

2020-05-20

FF6MR12KM1P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Modulꢀ/ꢀModule

Isolations-Prüfspannung

Isolationꢀtestꢀvoltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

V_ISOL

ꢀ

4,0

ꢀ kV

MaterialꢀModulgrundplatte

Materialꢀofꢀmoduleꢀbaseplate

ꢀ

InnereꢀIsolation

Internalꢀisolation

Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)

basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)

Al₂O₃

ꢀ

Kriechstrecke

Creepageꢀdistance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

29,0

23,0

ꢀ mm

ꢀ

Luftstrecke

Clearance

Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink

Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal

23,0

11,0

VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung

Comperativeꢀtrackingꢀindex

CTI

RTI

> 400

RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)

RTIꢀElec.

Gehäuse

housing

140

ꢀ °C

min. typ. max.

Modulstreuinduktivität

Strayꢀinductanceꢀmodule

L_sCE

R_CC'+EE'

T_stg

mΩ

°C

Modulleitungswiderstand,ꢀAnschlüsseꢀ-

Chip

Moduleꢀleadꢀresistance,ꢀterminalsꢀ-ꢀchip

T_Hꢀ=ꢀ25°C,ꢀproꢀSchalterꢀ/ꢀperꢀswitch

0,485

Lagertemperatur

Storageꢀtemperature

-40

125

Höchstzulässige

Bodenplattenbetriebstemperatur

Maximumꢀbaseplateꢀoperationꢀtemperature

T_BPmax

°C

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage

Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting

SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

3,00

2,5

6,00 Nm

5,0 Nm

Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀelektr.ꢀAnschlüsse

Terminalꢀconnectionꢀtorque

SchraubeꢀM6ꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift

ScrewꢀM6ꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote

Gewicht

Weight

340

Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design

guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime.

Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07

Datasheet

Vꢀ2.0

2020-05-20

FF6MR12KM1P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

AusgangskennlinieꢀMOSFETꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)

AusgangskennlinieꢀMOSFETꢀ(typisch)

outputꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)

I_Dꢀ=ꢀfꢀ(V_DS

)

V_GSꢀ=ꢀ15ꢀV

T_vjꢀ=ꢀ150ꢀ°C

500

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

V_GS= 19 V

V_GS= 17 V

V_GS= 15 V

V_GS= 13 V

V_GS= 11 V

V_GS= 9 V

V_GS= 7 V

450

400

350

300

250

200

150

100

450

400

350

300

250

200

150

100

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5

V_DS[V]

ÜbertragungscharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)

transferꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)

GateladungsꢀCharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)

gateꢀchargeꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)

V_GSꢀ=ꢀfꢀ(Q_G)

I_Dꢀ=ꢀfꢀ(V_GS

)

V_DSꢀ=ꢀ20ꢀV

V_DSꢀ=ꢀ800ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ250ꢀA,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C

500

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

T_vj= 150°C

450

400

350

300

250

200

150

100

-5

100

200

Q_G[nC]

300

400

500

V_GS[V]

Datasheet

Vꢀ2.0

2020-05-20

FF6MR12KM1P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

KapazitätsꢀCharakteristikꢀMOSFETꢀ(typisch)

capacityꢀcharacteristicꢀMOSFETꢀ(typical)

SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(I_D),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(I_D)

Cꢀ=ꢀfꢀ(V_DS

)

V_GSꢀ=ꢀ0ꢀV,ꢀT_vjꢀ=ꢀ25°C,ꢀfꢀ=ꢀ1ꢀMHz

V_GSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ+15ꢀV,ꢀR_Gonꢀ=ꢀ3,0ꢀΩ,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀV_DSꢀ=ꢀ600ꢀV

100

E_on: T_vj= 125°C

E_on: T_vj= 150°C

E_off: T_vj= 125°C, T_vj= 150°C

C_iss

C_oss

C_rss

0,1

V_DS[V]

100

1000

50 100 150 200 250 300 350 400 450 500

I_D[A]

SchaltverlusteꢀMOSFETꢀ(typisch)

switchingꢀlossesꢀMOSFETꢀ(typical)

E_onꢀ=ꢀfꢀ(R_G),ꢀE_offꢀ=ꢀfꢀ(R_G)

SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀMOSFETꢀ(RBSOA)

reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀMOSFETꢀ(RBSOA)

I_Dꢀ=ꢀfꢀ(V_DS

)

V_GSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ+15ꢀV,ꢀI_Dꢀ=ꢀ250ꢀA,ꢀV_DSꢀ=ꢀ600ꢀV

V_GSꢀ=ꢀ-5ꢀVꢀ/ꢀ+15ꢀV,ꢀR_Goffꢀ=ꢀ3,9ꢀΩ,ꢀT_vjꢀ=ꢀ150°C

550

E_on: T_vj= 125°C

E_on: T_vj= 150°C

E_off: T_vj= 125°C, T_vj= 150°C

500

I_D, Modul

I_D, Chip

450

400

350

300

250

200

150

100

12 16 20 24 28 32 36 40

200

400

600

800

1000 1200 1400

R_G[Ω]

V_DS[V]

Datasheet

Vꢀ2.0

2020-05-20

FF6MR12KM1P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

TransienterꢀWärmewiderstandꢀMOSFETꢀ

transientꢀthermalꢀimpedanceꢀMOSFETꢀ

Z_thJHꢀ=ꢀfꢀ(t)

0,1

0,01

r_i[K/W]: 0,0163 0,0735 0,0569 0,0343

τ_i[s]: 0,00103 0,018 0,115 1,23

0,001

0,01

0,1

t [s]

Datasheet

Vꢀ2.0

2020-05-20

FF6MR12KM1P

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram

Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines

Infineon

Datasheet

Vꢀ2.0

2020-05-20

Trademarks

Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.

ꢀ

Editionꢀ2020-05-20

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InfineonꢀTechnologiesꢀAG

81726ꢀMünchen,ꢀGermany

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applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout

limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.

Inꢀaddition,ꢀanyꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀsubjectꢀtoꢀcustomer’sꢀcomplianceꢀwithꢀitsꢀobligationsꢀstatedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀandꢀany

applicableꢀlegalꢀrequirements,ꢀnormsꢀandꢀstandardsꢀconcerningꢀcustomer’sꢀproductsꢀandꢀanyꢀuseꢀofꢀtheꢀproductꢀofꢀInfineonꢀTechnologies

inꢀcustomer’sꢀapplications.

Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical

departmentsꢀtoꢀevaluateꢀtheꢀsuitabilityꢀofꢀtheꢀproductꢀforꢀtheꢀintendedꢀapplicationꢀandꢀtheꢀcompletenessꢀofꢀtheꢀproductꢀinformationꢀgivenꢀin

thisꢀdocumentꢀwithꢀrespectꢀtoꢀsuchꢀapplication.

Forꢀfurtherꢀinformationꢀonꢀtheꢀproduct,ꢀtechnology,ꢀdeliveryꢀtermsꢀandꢀconditionsꢀandꢀpricesꢀpleaseꢀcontactꢀyourꢀnearestꢀInfineon

Technologiesꢀofficeꢀ(www.infineon.com).

WARNINGS

Dueꢀtoꢀtechnicalꢀrequirementsꢀproductsꢀmayꢀcontainꢀdangerousꢀsubstances.ꢀForꢀinformationꢀonꢀtheꢀtypesꢀinꢀquestionꢀpleaseꢀcontactꢀyour

nearestꢀInfineonꢀTechnologiesꢀoffice.

ExceptꢀasꢀotherwiseꢀexplicitlyꢀapprovedꢀbyꢀInfineonꢀTechnologiesꢀinꢀaꢀwrittenꢀdocumentꢀsignedꢀbyꢀauthorizedꢀrepresentativesꢀofꢀInfineon

Technologies,ꢀInfineonꢀTechnologies’ꢀproductsꢀmayꢀnotꢀbeꢀusedꢀinꢀanyꢀapplicationsꢀwhereꢀaꢀfailureꢀofꢀtheꢀproductꢀorꢀanyꢀconsequencesꢀof

theꢀuseꢀthereofꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀexpectedꢀtoꢀresultꢀinꢀpersonalꢀinjury.

FF6MR12KM1P [INFINEON]

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