FS3L200R10W3S7F_B11 [INFINEON]
PressFIT;
| 型号： | FS3L200R10W3S7F_B11 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | PressFIT |
| 文件： | 总12页 (文件大小：1154K) |
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FS3L200R10W3S7F_B11
EasyPACK™ꢀModulꢀmitꢀTRENCHSTOP™ꢀIGBT7ꢀundꢀCoolSiC™ꢀSchottkyꢀDiodeꢀundꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
EasyPACK™ꢀmoduleꢀwithꢀTRENCHSTOP™ꢀIGBT7ꢀandꢀCoolSiC™ꢀSchottkyꢀdiodeꢀandꢀPressFITꢀ/ꢀNTC
VCES = 950V
IC nom = 100A / ICRM = 200A
PotentielleꢀAnwendungen
• 3-Level-Applikationen
• SolarꢀAnwendungen
• USV-Systeme
PotentialꢀApplications
• 3-level-applications
• Solarꢀapplications
• UPSꢀsystems
ElektrischeꢀEigenschaften
• CoolSiCTMꢀSchottkyꢀDiodeꢀGenꢀ5
• NiedrigeꢀSchaltverluste
ElectricalꢀFeatures
• CoolSiCTMꢀSchottkyꢀdiodeꢀgenꢀ5
• Lowꢀswitchingꢀlosses
• TrenchstopTMꢀIGBT7
• TrenchstopTMꢀIGBT7
MechanischeꢀEigenschaften
MechanicalꢀFeatures
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
• Al2O3ꢀsubstrateꢀwithꢀlowꢀthermalꢀresistance
Widerstand
• IntegrierterꢀNTCꢀTemperaturꢀSensor
• KompaktesꢀDesign
• IntegratedꢀNTCꢀtemperatureꢀsensor
• Compactꢀdesign
• PressFITꢀVerbindungstechnik
• PressFITꢀcontactꢀtechnology
ModuleꢀLabelꢀCode
BarcodeꢀCodeꢀ128
ContentꢀofꢀtheꢀCode
ModuleꢀSerialꢀNumber
Digit
1ꢀ-ꢀꢀꢀ5
ModuleꢀMaterialꢀNumber
ProductionꢀOrderꢀNumber
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)
6ꢀ-ꢀ11
12ꢀ-ꢀ19
20ꢀ-ꢀ21
22ꢀ-ꢀ23
DMXꢀ-ꢀCode
Datasheet
PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument
Vꢀ3.0
www.infineon.com
2020-05-08
FS3L200R10W3S7F_B11
IGBT,ꢀHochsetzstellerꢀ/ꢀIGBT,ꢀBoost
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emitterꢀvoltage
Tvj = 25°C
VCES
ICN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
950
100
70
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
V
ImplementierterꢀKollektor-Strom
Implementedꢀcollectorꢀcurrent
Kollektor-Dauergleichstrom
TH = 65°C, Tvj max = 175°C
ICDC
ICRM
VGES
ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent
PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms
200
+/-20
Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage
IC = 25 A
VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,27 1,55
1,33
1,33
V
V
V
VCE sat
Gate-Schwellenspannung
Gateꢀthresholdꢀvoltage
IC = 1,67 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
VGE = -15 / 15 V, VCE = 600 V
Tvj = 25°C
VGEth
QG
4,35 5,10 5,85
V
µC
Ω
Gateladung
Gateꢀcharge
0,23
1,5
InternerꢀGatewiderstand
Internalꢀgateꢀresistor
RGint
Cies
Cres
ICES
IGES
td on
Eingangskapazität
Inputꢀcapacitance
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
f = 100 kHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
6,48
0,02
nF
nF
Rückwirkungskapazität
Reverseꢀtransferꢀcapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent
VCE = 950 V, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
0,031 mA
100 nA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,074
0,071
0,062
µs
µs
µs
Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,013
0,015
0,015
µs
µs
µs
tr
td off
tf
Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast
Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,178
0,275
0,308
µs
µs
µs
Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast
Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload
IC = 25 A, VCE = 500 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,107
0,139
0,161
µs
µs
µs
EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 25 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH
di/dt = 880 A/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,575
0,589
0,596
mJ
mJ
mJ
Eon
Eoff
AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls
Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse
IC = 25 A, VCE = 500 V, Lσ = 35 nH
du/dt = 2700 V/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 10 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,05
1,62
1,79
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCꢀdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 600 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C
300
A
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT
RthJH
Tvj op
0,673
K/W
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
°C
Datasheet
2
Vꢀ3.0
2020-05-08
FS3L200R10W3S7F_B11
Diode,ꢀHochsetzstellerꢀ/ꢀDiode,ꢀBoost
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFN
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
30
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
A
ImplementierterꢀDurchlassstrom
Implementedꢀforwardꢀcurrent
Dauergleichstrom
ContinuousꢀDCꢀforwardꢀcurrent
IF
25
PeriodischerꢀSpitzenstrom
tP = 1 ms
IFRM
I²t
60
Repetitiveꢀpeakꢀforwardꢀcurrent
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
88,4
66,0
A²s
A²s
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
Durchlassspannung
Forwardꢀvoltage
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
1,32 1,85
1,55
1,70
V
V
V
VF
IRM
Qr
Rückstromspitze
Peakꢀreverseꢀrecoveryꢀcurrent
IF = 25 A, - diF/dt = 880 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
16,4
16,4
16,4
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredꢀcharge
IF = 25 A, - diF/dt = 880 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,74
0,74
0,74
µC
µC
µC
AbschaltenergieꢀproꢀPuls
Reverseꢀrecoveryꢀenergy
IF = 25 A, - diF/dt = 880 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,249
0,249
0,249
mJ
mJ
mJ
Erec
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
0,894
K/W
°C
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
150
Bypass-Diodeꢀ/ꢀBypass-Diode
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFRMSM
IRMSM
IFSM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
50
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip
TH = 75°C
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom
TH = 75°C
50
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput
StoßstromꢀGrenzwert
Surgeꢀforwardꢀcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 110°C
1070
957
A
A
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 110°C
5770
4580
A²s
A²s
I²t
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 45 A
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
0,85
VF
IR
V
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1200 V
Reverseꢀcurrent
1,00
mA
K/W
°C
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
0,870
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
110
Datasheet
3
Vꢀ3.0
2020-05-08
FS3L200R10W3S7F_B11
VerpolschutzꢀDiodeꢀAꢀ/ꢀInverse-polarityꢀprotectionꢀdiodeꢀA
HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues
PeriodischeꢀSpitzensperrspannung
Repetitiveꢀpeakꢀreverseꢀvoltage
Tvj = 25°C
VRRM
IFRMSM
IRMSM
IFSM
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
1200
30
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
V
A
A
DurchlassstromꢀGrenzeffektivwertꢀproꢀChip
TH = 70°C
MaximumꢀRMSꢀforwardꢀcurrentꢀperꢀchip
GleichrichterꢀAusgangꢀGrenzeffektivstrom
TH = 70°C
30
MaximumꢀRMSꢀcurrentꢀatꢀrectifierꢀoutput
StoßstromꢀGrenzwert
Surgeꢀforwardꢀcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 110°C
378
326
A
A
Grenzlastintegral
I²tꢀ-ꢀvalue
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 110°C
714
531
A²s
A²s
I²t
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 15 A
Forwardꢀvoltage
min. typ. max.
0,89
VF
IR
V
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1200 V
Reverseꢀcurrent
1,00
1,31
mA
K/W
°C
Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀKühlkörper
proꢀDiodeꢀ/ꢀperꢀdiode
RthJH
Tvj op
Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀheatsink
TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb
Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions
-40
110
NTC-Widerstandꢀ/ꢀNTC-Thermistor
CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues
min. typ. max.
5,00
Nennwiderstand
Ratedꢀresistance
TNTC = 25°C
R25
∆R/R
P25
kΩ
AbweichungꢀvonꢀR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
DeviationꢀofꢀR100
-5
5
%
Verlustleistung
TNTC = 25°C
20,0 mW
Powerꢀdissipation
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
B25/80
B25/100
3375
3411
3433
K
K
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B-Wert
B-value
AngabenꢀgemäßꢀgültigerꢀApplicationꢀNote.
Specificationꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀvalidꢀapplicationꢀnote.
Datasheet
4
Vꢀ3.0
2020-05-08
FS3L200R10W3S7F_B11
Modulꢀ/ꢀModule
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Isolationꢀtestꢀvoltage
VISOL
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
3,2
ꢀ kV
ꢀ
InnereꢀIsolation
Internalꢀisolation
Basisisolierungꢀ(Schutzklasseꢀ1,ꢀEN61140)
basicꢀinsulationꢀ(classꢀ1,ꢀIECꢀ61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepageꢀdistance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
11,2
6,8
ꢀ mm
ꢀ mm
ꢀ
Luftstrecke
Clearance
Kontaktꢀ-ꢀKühlkörperꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀheatsink
Kontaktꢀ-ꢀKontaktꢀ/ꢀterminalꢀtoꢀterminal
9,4
5,5
VergleichszahlꢀderꢀKriechwegbildung
Comperativeꢀtrackingꢀindex
CTI
RTI
> 400
RelativerꢀTemperaturindexꢀ(elektr.)
RTIꢀElec.
Gehäuse
housing
140
ꢀ °C
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
Strayꢀinductanceꢀmodule
LsCE
Tstg
M
20
nH
°C
Lagertemperatur
Storageꢀtemperature
-40
125
Anzugsdrehmomentꢀf.ꢀModulmontage
Mountingꢀtorqueꢀforꢀmodulꢀmounting
Schraubeꢀꢀꢀ-ꢀMontageꢀgem.ꢀgültigerꢀApplikationsschrift
Screwꢀꢀꢀ-ꢀMountingꢀaccordingꢀtoꢀvalidꢀapplicationꢀnote
1,30
1,50 Nm
g
Gewicht
Weight
G
78
IGBT- and diode- RthJH parameters measured with thermal grease of λPaste = 3.3 W/(m·K)
The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.
Datasheet
5
Vꢀ3.0
2020-05-08
FS3L200R10W3S7F_B11
AusgangskennlinieꢀIGBT,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBoostꢀ(typical)
AusgangskennlinienfeldꢀIGBT,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
outputꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBoostꢀ(typical)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE)
VGEꢀ=ꢀ15ꢀV
Tvjꢀ=ꢀ150°C
50
50
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
45
40
35
30
25
20
15
10
5
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0,0
0,5
1,0
VCE [V]
1,5
2,0
0,0
0,5
1,0
VCE [V]
1,5
2,0
ÜbertragungscharakteristikꢀIGBT,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
transferꢀcharacteristicꢀIGBT,ꢀBoostꢀ(typical)
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBoostꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(IC)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VGE
)
VCEꢀ=ꢀ20ꢀV
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV
50
3
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
45
40
35
30
25
20
15
10
5
2
1
0
0
4
5
6
7
8
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
VGE [V]
IC [A]
Datasheet
6
Vꢀ3.0
2020-05-08
FS3L200R10W3S7F_B11
SchaltverlusteꢀIGBT,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀIGBT,ꢀBoostꢀ(typical)
Eonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀEoffꢀ=ꢀfꢀ(RG)
SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀBoostꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(IC),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(IC)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ25ꢀA
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
3
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
tdon
tr
tdoff
tf
1
2
1
0
0,1
0,01
0,001
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
RG [Ω]
IC [A]
SchaltzeitenꢀIGBT,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
switchingꢀtimesꢀIGBT,ꢀBoostꢀ(typical)
tdonꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtrꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtdoffꢀ=ꢀfꢀ(RG),ꢀtfꢀ=ꢀfꢀ(RG)
TransienterꢀWärmewiderstandꢀIGBT,ꢀHochsetzstellerꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀIGBT,ꢀBoostꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGonꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀRGoffꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ500ꢀV,ꢀICꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀTvjꢀ=
150°C
10
1
tdon
tr
ZthJH : IGBT
tdoff
tf
1
0,1
0,1
0,01
i:
ri[K/W]: 0,026 0,084 0,282 0,281
τi[s]: 0,0006 0,0105 0,11 0,11
1
2
3
4
0,01
0,001
0,001
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0,01
0,1
t [s]
1
10
RG [Ω]
Datasheet
7
Vꢀ3.0
2020-05-08
FS3L200R10W3S7F_B11
SichererꢀRückwärts-ArbeitsbereichꢀIGBT,ꢀHochsetzsteller
(RBSOA)
reverseꢀbiasꢀsafeꢀoperatingꢀareaꢀIGBT,ꢀBoostꢀ(RBSOA)
DurchlasskennlinieꢀderꢀDiode,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀDiode,ꢀBoostꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
ICꢀ=ꢀfꢀ(VCE
)
VGEꢀ=ꢀ±15ꢀV,ꢀRGoffꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀTvjꢀ=ꢀ150°C
240
50
IC, Modul
Tvj = 25°C
IC, Chip
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
220
45
40
35
30
25
20
15
10
5
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
VCE [V]
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
2,0
2,5
3,0
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBoostꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(IF)
SchaltverlusteꢀDiode,ꢀHochsetzstellerꢀ(typisch)
switchingꢀlossesꢀDiode,ꢀBoostꢀ(typical)
Erecꢀ=ꢀfꢀ(RG)
RGonꢀ=ꢀ10ꢀΩ,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
IFꢀ=ꢀ25ꢀA,ꢀVCEꢀ=ꢀ600ꢀV
0,50
0,50
Erec, Tvj = 125°C; Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C; Erec, Tvj = 150°C
0,45
0,40
0,35
0,30
0,25
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
0,45
0,40
0,35
0,30
0,25
0,20
0,15
0,10
0,05
0,00
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
IF [A]
RG [Ω]
Datasheet
8
Vꢀ3.0
2020-05-08
FS3L200R10W3S7F_B11
TransienterꢀWärmewiderstandꢀDiode,ꢀHochsetzstellerꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀDiode,ꢀBoostꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
DurchlasskennlinieꢀderꢀBypass-Diodeꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀBypass-Diodeꢀ(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
10
90
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 110°C
Tvj = 150°C
80
70
60
50
40
30
20
10
0
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,047 0,116 0,217 0,514
τi[s]: 0,0004 0,0033 0,0213 0,121
1
2
3
4
0,01
0,001
0,01
0,1
1
10
0,0
0,2
0,4
0,6
VF [V]
0,8
1,0
1,2
t [s]
TransienterꢀWärmewiderstandꢀBypass-Diodeꢀ
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀBypass-Diodeꢀ
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
DurchlasskennlinieꢀderꢀVerpolschutzꢀDiodeꢀAꢀ(typisch)
forwardꢀcharacteristicꢀofꢀInverse-polarityꢀprotectionꢀdiodeꢀA
(typical)
IFꢀ=ꢀfꢀ(VF)
10
30
ZthJH: Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 110°C
Tvj = 150°C
25
20
15
10
5
1
0,1
i:
ri[K/W]: 0,048 0,108 0,354 0,36
τi[s]: 0,0018 0,0163 0,0869 0,238
1
2
3
4
0,01
0,001
0
0,01
0,1
t [s]
1
10
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
VF [V]
Datasheet
9
Vꢀ3.0
2020-05-08
FS3L200R10W3S7F_B11
TransienterꢀWärmewiderstandꢀVerpolschutzꢀDiodeꢀAꢀ
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinieꢀ(typisch)
transientꢀthermalꢀimpedanceꢀInverse-polarityꢀprotectionꢀdiode NTC-Thermistor-temperatureꢀcharacteristicꢀ(typical)
Aꢀ
Rꢀ=ꢀfꢀ(T)
ZthJHꢀ=ꢀfꢀ(t)
10
100000
ZthJH: Diode
Rtyp
1
10000
1000
100
0,1
i:
ri[K/W]: 0,113 0,308 0,449 0,44
τi[s]: 0,0016 0,0135 0,0861 0,0861
1
2
3
4
0,01
0,001
0,01
0,1
1
10
0
20
40
60
80
TNTC [°C]
100 120 140 160
t [s]
Datasheet
10
Vꢀ3.0
2020-05-08
FS3L200R10W3S7F_B11
Schaltplanꢀ/ꢀCircuitꢀdiagram
Gehäuseabmessungenꢀ/ꢀPackageꢀoutlines
dimensioned for EJOT Delta PT WN5451 25
choose length according to pcb thickness
4x
B
r
(P2,3) Dome
e
P0,25ABC
L
4x
h
s
a
P3,5 4x
pcb hole pattern
w
d
a
e
h
26
14
w
DC1N
DC1-
e
DC1+
DC2-
DC2N
DC2+
r
c
s
24
x
o
2
t
1
,
GC2
EC2
g
17,6
14,4
11,2
8
0
n
i
2
B
GA2
EA2
d
PVC+
1
r
4
P
o
,
PVA+
BSTC-
EC1
c
5
x
c
5
P
2
a
4
,
0
BSTA-
4,8
B
0
2
BSTA+
6
0
C
EA1
GA1
4,8
8
11,2
B
NTC1
NTC2
GC1
A
PVC-
5
14
26
2
,
0
EB1
GB1
P
x
L
2
20,8
24
BSTB-
GB2
PVB+
BSTC+
BSTB+
PVA- PVB-
EB2
)
4
,
3
P
(
0
7
7
4
4
4
4
,
,
,
,
,
,
9
9
7
7
4
4
4
4
4
4
4
4
C
109,9B0,45
0
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
8
0
8
6
2
0
8
6
2
0
0
2
6
8
0
2
6
8
0
4
4
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
6
2
9
3
0
6
3
7
7
3
6
0
3
9
2
6
0
4
4
0
1
1
1
1
1
1
3
3
2
2
2
2
2
2
3
3
A
1
,
0
)
)
B
2
1
4
(
,
2
,
6
2
1
1
(
recommended design hight
Datasheet
11
Vꢀ3.0
2020-05-08
Trademarks
Allꢀreferencedꢀproductꢀorꢀserviceꢀnamesꢀandꢀtrademarksꢀareꢀtheꢀpropertyꢀofꢀtheirꢀrespectiveꢀowners.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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ꢀ
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dieꢀsichꢀaufꢀdieꢀAnwendungꢀdesꢀProduktesꢀbeziehen,ꢀistꢀjeglicheꢀGewährleistungꢀundꢀHaftungꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀausgeschlossen,
einschließlich,ꢀohneꢀhieraufꢀbeschränktꢀzuꢀsein,ꢀdieꢀGewährꢀdafür,ꢀdassꢀkeinꢀgeistigesꢀEigentumꢀDritterꢀverletztꢀist.
DesꢀWeiterenꢀstehenꢀsämtliche,ꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀInformationen,ꢀunterꢀdemꢀVorbehaltꢀderꢀEinhaltungꢀderꢀinꢀdiesem
DokumentꢀfestgelegtenꢀVerpflichtungenꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀallerꢀimꢀHinblickꢀaufꢀdasꢀProduktꢀdesꢀKundenꢀsowieꢀdieꢀNutzungꢀdesꢀInfineon
ProduktesꢀinꢀdenꢀAnwendungenꢀdesꢀKundenꢀanwendbarenꢀgesetzlichenꢀAnforderungen,ꢀNormenꢀundꢀStandardsꢀdurchꢀdenꢀKunden.
DieꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenenꢀDatenꢀsindꢀausschließlichꢀfürꢀtechnischꢀgeschultesꢀFachpersonalꢀbestimmt.ꢀDieꢀBeurteilungꢀder
EignungꢀdiesesꢀProduktesꢀfürꢀdieꢀbeabsichtigteꢀAnwendungꢀsowieꢀdieꢀBeurteilungꢀderꢀVollständigkeitꢀderꢀinꢀdiesemꢀDokumentꢀenthaltenen
ProduktdatenꢀfürꢀdieseꢀAnwendungꢀobliegtꢀdenꢀtechnischenꢀFachabteilungenꢀdesꢀKunden.
SolltenꢀSieꢀvonꢀunsꢀweitereꢀInformationenꢀimꢀZusammenhangꢀmitꢀdemꢀProdukt,ꢀderꢀTechnologie,ꢀLieferbedingungenꢀbzw.ꢀPreisen
benötigen,ꢀwendenꢀSieꢀsichꢀbitteꢀanꢀdasꢀnächsteꢀVertriebsbüroꢀvonꢀInfineonꢀTechnologiesꢀ(www.infineon.com).
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Personenverletzungenꢀführen.
ꢀ
ꢀ
ꢀ
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Theꢀinformationꢀgivenꢀinꢀthisꢀdocumentꢀshallꢀinꢀnoꢀeventꢀbeꢀregardedꢀasꢀaꢀguaranteeꢀofꢀconditionsꢀorꢀcharacteristics
(“Beschaffenheitsgarantie”).ꢀWithꢀrespectꢀtoꢀanyꢀexamples,ꢀhintsꢀorꢀanyꢀtypicalꢀvaluesꢀstatedꢀhereinꢀand/orꢀanyꢀinformationꢀregardingꢀthe
applicationꢀofꢀtheꢀproduct,ꢀInfineonꢀTechnologiesꢀherebyꢀdisclaimsꢀanyꢀandꢀallꢀwarrantiesꢀandꢀliabilitiesꢀofꢀanyꢀkind,ꢀincludingꢀwithout
limitationꢀwarrantiesꢀofꢀnon-infringementꢀofꢀintellectualꢀpropertyꢀrightsꢀofꢀanyꢀthirdꢀparty.
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Theꢀdataꢀcontainedꢀinꢀthisꢀdocumentꢀisꢀexclusivelyꢀintendedꢀforꢀtechnicallyꢀtrainedꢀstaff.ꢀItꢀisꢀtheꢀresponsibilityꢀofꢀcustomer’sꢀtechnical
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