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IPP60R040C7_15 [INFINEON]

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor;
IPP60R040C7_15
型号： IPP60R040C7_15
厂家： Infineon    Infineon
描述：

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
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IPP60R040S7

 600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET (IPP60R040S7) 针对低导通损耗进行优化，采用 TO-220 封装，可提供最优的 RDS(on) x 价格，适用于低频开关应用，如有源桥式整流器、浪涌继电器、 PLC、 高压 DC 线路、 功率 固态继电器 和固态断路器。600V CoolMOS™ S7 超结 MOSFET 可实现更高的能效，降低 BOM 费用。

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IPP60R060C7

 600V CoolMOS™ C7 超级结（SJ）MOSFET 系列比 CoolMOS™ CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E oss），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！

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INFINEON

IPP60R060P7

 600V CoolMOS™ P7 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。

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IPP60R070CFD7

 600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。

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IPP60R080P7

 600V CoolMOS™ P7 是600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G)，确保高效率。

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IPP60R080P7XKSA1

 Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IPP60R090CFD7

 600V CoolMOS™ CFD7 是英飞凌最新具有集成快速体二极管的高压 superjunction MOSFET 技术，补全了 CoolMOS™ 7 系列。 该 CoolMOS™ CFD7 拥有更低的栅极电荷(Qg)和更好的关断性能。此外，其反向恢复电荷(Qrr)比市场上的竞争性产品低 69% 之多，且具有市场上最短的反向恢复时间(trr)。

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IPP60R099C6

 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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IPP60R099C7

 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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IPP60R099C7XKSA1

 Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IPP60R099C7_15

 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

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IPP60R099CP

 CoolMOS Power Transistor

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IPP60R099CPA

 CoolMOS Power Transistor

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IPP60R099CPAAKSA1

 Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP60R099CPAXK

 Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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IPP60R099CPXKSA1

 Power Field-Effect Transistor, 31A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP60R099CP_07

 CoolMOSTM Power Transistor

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IPP60R099P6

 英飞凌 CoolMOS™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率，同时易于在 CoolMOS™ P6 中设计，填补了专注于提供最佳性能的技术与更专注于易用性的技术之间的空白。

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IPP60R099P6XKSA1

 Power Field-Effect Transistor,

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IPP60R099P7XKSA1

 Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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