KOM2100BF [INFINEON]
6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon PIN Photodiode Array; 6fach - Silizium -PIN - Fotodiodenarray 6芯片硅PIN光电二极管阵列
| 型号： | KOM2100BF |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | 6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray 6-Chip Silicon PIN Photodiode Array |
| 文件： | 总4页 (文件大小：242K) |
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6fach-Silizium-PIN-Fotodiodenarray
6-Chip Silicon PIN Photodiode Array
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (KOM
2100 B) und bei 880 nm (KOM 2100 BF)
● Kurze Schaltzeit (typ. 13 ns)
● Kathode = Chipunterseite
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (KOM 2100 B) and of
880 nm (KOM 2100 BF)
● Short switching time (typ. 13 ns)
● Cathode = back contact
● Geeignet für Diodenbetrieb (mit
Vorspannung) und Elementbetrieb
● SMT-fähig
● Available as photodiode with reverse
voltage or photovoltaic cell
● Suitable for SMT
Anwendungen
Applications
● Universell, z.B. Drehwinkelgeber
● General-purpose, e.g. encoders
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
KOM 2100 B
Q62702-K35
Q62702-K34
Platine mit SMT-Flanken, Abdeckrahmen mit
klarem bzw. schwarzem Epoxyverguß
KOM 2100 BF
pcb with SMT flanks, cover frame sealed with
transparent or black epoxy
10.95
Semiconductor Group
469
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
TA; Tstg
– 40 ... + 80
°C
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
20
V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Ptot
150
mW
Total power dissipation
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) für jede Einzeldiode
Characteristics (TA = 25 °C, λ = 950 nm) per single diode
Bezeichnung
Description
Sym- Wert
Einheit
Unit
bol
Value
KOM 2100 B KOM 2100 BF
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Ee = 0.5 mW/cm
9 (≥ 7)
8.5 (≥ 6.6)
µA
S
2
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max 870
870
nm
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10% von Smax
λ
400 ... 1100
730 ... 1100
Spectral range of sensitivity
S = 10% of Smax
2
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
2.5
2.5
mm
Abmessung der
bestrahlungsempfinlichen Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L × B 1 × 2.5
L × W
1 × 2.5
mm x mm
mm
Abstand Chipoberfläche zu Verguβober-
fläche
0.4 ... 0.6
0.4 ... 0.6
H
Distance chip front to case seal
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 60
± 60
Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current
IR
Sλ
1 (≤ 10)
0.68
1 (≤ 10)
0.64
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
A/W
Semiconductor Group
470
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm) für jede Einzeldiode
Characteristics (TA = 25 °C, λ = 950 nm) per single diode
Bezeichnung
Description
Sym- Wert
Einheit
Unit
bol
Value
KOM 2100 B KOM 2100 BF
Quantenausbeute
Quantum yield
η
0.9
0.85
Electrons
Photon
Maximale Abweichung der
∆S
± 10
± 10
%
Fotoempfindlichkeit vom Mittelwert
Max. deviation of the system spectral
sensitivity from the average
2
Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm
Short-circuit current
ISC
VO
8.5
8
µA
mV
ns
2
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm
320 (≥ 250)
320 (≥ 250)
Open-circuit voltage
Anstiegszeit/Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω, VR = 10 V;
tr, tf
13
13
λ = 850 nm; IP = 800 µA
Durchlaßspannung, IF = 100 mA; E = 0
Forward voltage
VF
C0
1.2
25
1.2
25
V
Kapazität
pF
Capacitance
VR = 0 V; f = 1 MHz; E = 0
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV
TCI
– 2.6
0.18
– 2.6
0.18
mV/K
%/K
Temperaturkoeffizient von IP
Temperature coefficient of IP
–14
–14
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR = 10 V
2.6 × 10
2.8 × 10
W
√Hz
NEP
12
12
Nachweisgrenze, VR = 10 V
D*
6.1 × 10
5.7 × 10
cm · √Hz
Detection limit
W
Semiconductor Group
471
KOM 2100 B
KOM 2100 BF
Relative spectral sensitivity
Relative spectral sensitivity
KOM 2100 BF, S = f (λ)
Photocurrent, I = f (E ); V = 5 V,
P e R
Open-circuit voltage V = f (E )
O e
KOM 2100 B, S = f (λ)
rel
rel
Total power dissipation
Dark current I = f (V ),
Capacitance C = f (V ),
R
R
R
P
= f (T )
E = 0
f = 1 MHz, E = 0
tot
A
Dark current I = f (T ),
R
A
V
= 10 V, E = 0
Directional characteristics S = f (ϕ)
R
rel
Semiconductor Group
472
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