LHT774-L [INFINEON]
TOPLED RG Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED; TOPLED RG超亮，超红GaAIAs - LED
| 型号： | LHT774-L |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | TOPLED RG Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED |
| 文件： | 总7页 (文件大小：403K) |
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TOPLED® RG
LH T774
Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED
Besondere Merkmale
● Gehäusefarbe: weiß
● Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie
● besonders hohe Lichtstärke
● als optischer Indikator einsetzbar
● zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
● für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet
● gegurtet (12-mm-Filmgurt)
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● color of package: white
● double heterojunction in GaAIAs technology
● superior luminous intensity
● for use as optical indicator
● for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
● suitable for all SMT assembly and soldering methods
● available taped on reel (12 mm tape)
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ
Emissions- Farbe der
Lichtstärke
Luminous
Lichtstrom
Bestellnummer
Ordering Code
farbe
Lichtaustritts-
fläche
Type
Color of
Color of the
Luminous
Flux
Emission
Light Emitting Intensity
Area
IF = 10 mA
IV (mcd)
IF = 10 mA
ΦV (mlm)
LH T774-KM hyper-red
LH T774-L
LH T774-M
colorless clear
6.3 ... 32
10.0 ... 20 45 (typ.)
16.0 ... 32 75 (typ.)
-
Q62703-Q2725
Q62703-Q2790
Q62703-Q2791
Q62703-Q2792
LH T774-LN
10.0 ... 50
-
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Semiconductor Group
1
11.96
LH T774
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 … + 100
– 55 … + 100
+ 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
IF
30
Stoßstrom
IFM
0.5
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
3
V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 ˚C
Ptot
90
mW
Wärmewiderstand
Rth JA
400
K/W
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Montage auf PC-Board*) (Padgröße je ≥ 16 mm2)
mounted on PC-Board*) (pad size ≥ 16 mm2 each)
)
*
PC-board: FR4
Semiconductor Group
2
LH T774
Kennwerte (TA = 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
(typ.) λpeak
(typ.)
660
645
22
nm
nm
nm
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 10 mA
(typ.) λdom
(typ.)
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max
Spectral bandwidth at 50 % Irel max
IF = 10 mA
(typ.) ∆λ
(typ.)
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ
120
Grad
deg.
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 10 mA
(typ.) VF
(max.) VF
1.75
2.6
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 3 V
(typ.) IR
(max.) IR
0.01
10
µA
µA
Kapazität
(typ.) C0
25
pF
Capacitance
VR = 0 V, f = 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.) tr
(typ.) tf
140
110
ns
ns
Semiconductor Group
3
LH T774
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LH T774
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 ˚C
Relative Lichtstärke IV/IV(10 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
Semiconductor Group
5
LH T774
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 10 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 10 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 10 mA
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 10 mA
Semiconductor Group
6
LH T774
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
Cathode mark:
abgeschrägte Ecke
bevelled edge
Semiconductor Group
7
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