Q62702-P9 [INFINEON]
Silicon-PIN-Photodiode; 硅PIN光电二极管
| 型号： | Q62702-P9 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon-PIN-Photodiode |
| 文件： | 总4页 (文件大小：172K) |
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Silizium-PIN-Fotodiode
Silicon-PIN-Photodiode
BPY 12
BPY 12 H 1
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Wesentliche Merkmale
Features
● Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
● Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns)
● Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm
● Short switching time (typ. 25 ns)
Anwendungen
Applications
● Industrieelektronik
● “Messen/Steuern/Regeln”
● Industrial electronics
● For control and drive circuits
BPY 12
BPY 12 H 1
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
BPY 12
Q62702-P9
BPY 12 H 1
Q62702-P1029
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Top; Tstg
– 55 ... + 100
°C
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
20
V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Ptot
150
mW
Total power dissipation
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit, VR = 5 V
Spectral sensitivity
180 (≥ 100)
920
nA/Ix
S
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λS max
λ
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
400 ... 1100
nm
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
2
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
20
mm
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
L × B
4.47 × 4.47
mm
Dimensions of radiant sensitive area
L × W
Halbwinkel
Half angle
ϕ
± 60
Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 20 V
IR
10 (≤ 100)
nA
Dark current
BPY 12
BPY 12 H 1
Kennwerte (TA = 25 °C, Normlicht A, T = 2856 K)
Characteristics (TA = 25 °C, standard light A, T = 2856 K)
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Sλ
0.60
A/W
Spectral sensitivity
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield
η
0.86
Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ev = 1000 Ix
Open-circuit voltage
VO
ISC
tr, tf
365 (≥ 310)
180
mV
µA
ns
Kurzschlußstrom, Ev = 1000 Ix
Short-circuit current
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
25
RL = 50 Ω; VR = 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
Durchlaßspannung, IF = 100 mA, E = 0
VF
1.3
V
Forward voltage
Kapazität, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0
Capacitance
C0
140
– 2.6
0.15
pF
Temperaturkoeffizient für VO
Temperature coefficient of VO
TCV
TCI
NEP
mV/K
%/K
Temperaturkoeffizient für ISC
Temperature coefficient of ISC
–14
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
9.4 × 10
W
√Hz
VR = 20 V, λ = 850 nm
12
Nachweisgrenze, VR = 20 V, λ = 850 nm
D*
4.7 × 10
cm · √Hz
Detection limit
W
BPY 12
BPY 12 H 1
Relative spectral sensitivity
= f (λ)
Photocurrent I = f (E ), V = 5 V
Total power dissipation
P = f (T )
tot
P
v
R
S
Open-circuit-voltage V = f (E )
rel
O
v
A
Dark current
= f (V ), E = 0
Capacitance
C = f (V ), f = 1 MHz, E = 0
Dark current
I = f (T ), V = 10 V, E = 0
R
I
R
R
R
A
R
Directional characteristics S = f (ϕ)
rel
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