Q62703-Q2380 [INFINEON]
Super Multi ARGUS LED High-Current, 3 mm T1 LED, Non Diffused; 超多ARGUS LED大电流， 3毫米T1 LED，不扩散
| 型号： | Q62703-Q2380 |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Super Multi ARGUS LED High-Current, 3 mm T1 LED, Non Diffused |
| 文件： | 总8页 (文件大小：496K) |
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Super Multi ARGUS® LED
LSG K372, LSP K372
High-Current, 3 mm (T1) LED, Non Diffused
Besondere Merkmale
● farbloses, klares Gehäuse
● Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung
● antiparallel geschaltete Leuchtdiodenchips
● besonders geeignet bei hohem Umfeldlicht durch erhöhten
Betriebsstrom (typ. 50 mA)
● hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich
● bei Einsatz eines äußeren Reflektors zur Hintergrundbe-
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet
● zur Direkteinkopplung in Lichtleiter geeignet
● gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weiß-
druck) vor dem äußeren Reflektor
● Lötspieße mit Aufsetzebene
● gegurtet lieferbar
● Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
● colorless, clear package
● plastic package with a special design
● antiparallel chip
● appropriate for high ambient light because of the higher operating current (typ. 50 mA)
● high signal efficiency possible by color change of the LED
● in connection with an additional, custom built reflector suitable for backlighting of display panels
● for optical coupling into light pipes
● uniform illumination of a diffuser screen in front of the custom built reflector
● solder leads with stand-off
● available taped on reel
● load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
LSG K372, LSP K372
Typ
Type
Emissionsfarbe Gehäusefarbe
Lichtstrom
Bestellnummer
Ordering Code
Color of
Color of
Package
Luminous Flux
IF = 50 mA
ΦV (mlm)
Emission
LSG K372-QO
LSP K372-PO
super-red / green colorless clear
≥ 100 (160 typ.)
≥ 40 (100 typ.)
Q62703-Q2647
Q62703-Q2380
super-red /
pure green
colorless clear
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0.1)
Streuung des Lichtstromes in einer LED ΦV max / ΦV min ≤ 3.0 (L*G K372), ≤ 4.0 (L*P K372).
1)
Bei MULTILED® bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous flux ratio in one packaging unit ΦV max / ΦV min ≤ 2.0.1)
Luminous flux ratio in one LED ΦV max / ΦV min ≤ 3.0 (L*G K372), ≤ 4.0 (L*P K372).
1)
In case of MULTILED®, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of
the LED.
Semiconductor Group
2
LSG K372, LSP K372
Grenzwerte 1)
Maximum Ratings 1)
Bezeichnung
Parameter
Symbol Werte
Symbol Values
Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Top
Tstg
Tj
– 55 ... + 100
˚C
˚C
˚C
mA
A
Lagertemperatur
Storage temperature range
– 55 ... + 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
+ 100
75
Durchlaßstrom
Forward current
IF
Stoßstrom
IFM
1
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 °C
Ptot
240
250
mW
K/W
2)
Wärmewiderstand
Termal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA
1)
Die angegebenen Grenzwerte gelten für den Chip, für den sie angegeben sind, unabhängig vom
Betriebszustand des anderen.
2)
Montiert auf Platine mit min. Anschlußlänge (bis Aufsatzebene, Lötfläche ≥ 16 mm2).
1)
2)
The stated maximum ratings refer to the specified chip regardless of the other one’s status.
Mounted on PC board with min. lead length (up to stand-off, pad size ≥ 16 mm2).
Semiconductor Group
3
LSG K372, LSP K372
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
S
G
P
Wellenlänge des emittierten Lichtes (typ.) λpeak
635
565
570
25
557
nm
nm
nm
Wavelength at peak emission
(typ.)
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
IF = 20 mA
(typ.) λdom
(typ.)
628
45
560
22
Spektrale Bandbreite bei 50 % Φrel max (typ.) ∆λ
Spectral bandwidth at 50 % Φrel max
IF = 20 mA
(typ.)
Durchlaßspannung
Forward voltage
IF = 50 mA
(typ.) VF
(max.) VF
2.0
3.8
2.6
3.8
2.6
3.8
V
V
Kapazität1)
Capacitance1)
VR = 0 V, f = 1 MHz
(typ.) C0
55
55
80
pF
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %
IV from 90 % to 10 %
IF = 100 mA, tp = 10 µs, RL = 50 Ω
(typ.) tr
(typ.) tf
300
150
450
200
450
200
ns
ns
1)
Die Gesamtkapazität ergibt sich aus der Summe der Einzelkapazitäten.
The total capacitance results from the sum of the single capacitances.
1)
Semiconductor Group
4
LSG K372, LSP K372
Relative spektrale Emission Φrel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Φrel = f (ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LSG K372, LSP K372
Durchlaßstrom, Pulsbetrieb IF = f (VF)
Forward current, pulsed
TA = 25 ˚C
Relativer Lichtstrom ΦV / ΦV(50 mA) = f (IF)
Relative luminous flux
TA = 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom IF = f (TA) Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Max. permissible forward current
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C
Semiconductor Group
6
LSG K372, LSP K372
Wellenlänge der Stahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 20 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 20 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 50 mA
Relativer Lichtstrom ΦV / ΦV(25 ˚C) = f (TA)
Relative luminous flux
IF = 50 mA
Semiconductor Group
7
LSG K372, LSP K372
Maßzeichnung
Package Outlines
(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
(Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung:
rot:
grün:
kürzerer Lötspieß
längerer Lötspieß
Cathode mark:
red:
green:
shorter solder lead
longer solder lead
Semiconductor Group
8
相关型号：
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