T1589N28TOC [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 1560000mA I(T), 2800V V(DRM);型号: | T1589N28TOC |
厂家: | Infineon |
描述: | Silicon Controlled Rectifier, 1560000mA I(T), 2800V V(DRM) 栅 栅极 |
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22...28
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Tvj = - 40°C...Tvj max
Tvj = - 40°C...Tvj max
Tvj = + 25°C...Tvj max
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
VDRM , VRRM
2200, 2400
2600, 2800
V
V
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
VDSM
2200, 2400
2600, 2800
V
V
non-repetitive peak foward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
VRSM
2300, 2500
2700, 2900
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMSM on-state current
ITRSMSM
3200
A
TC = 85 °C
TC = 67 °C
Dauergrenzstrom
ITAVM
1589
2040
A
A
average on-state current
Tvj = 25°C, tp = 10 ms
Tvj = Tvj max, tp = 10 ms
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
ITSM
32000
28000
A
A
Tvj = 25°C, tp = 10ms
Tvj = Tvj max, tp = 10ms
Grenzlastintegral
I²t-value
I²t
5120 A²s*10³
3920 A²s*10³
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(diT/dt)cr
150 A/µs
f=50 Hz, vL = 10V, iGM = 1 A
diG/dt = 1 A/µs
critical rate of rise of on-state current
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter C
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Kritische Spannungssteilheit
(dvD/dt)cr
critical rate of rise of off-state voltage
500 V/µs
1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iT = 5000 A
Tvj = Tvj max, iT = 1000 A
Durchlaßspannung
on-state voltage
vT
max. 2,45
V
V
max. 1,38
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Schleusenspannung
threshold voltage
VT(TO)
1,1
V
mW
Ersatzwiderstand
slope resistance
rT
0,237
Durchlaßkennlinie
on-state voltage
vT = A + B x iT + C x ln (iT + 1) + D x Ö iT
A
B
C
1,8186
2,508E-05
-0,22082
D
3,3705E-02
max. 300
Tvj = 25°C, vD = 6 V
Tvj = 25°C, vD = 6V
Zündstrom
IGT
mA
V
gate trigger current
Zündspannung
VGT
IGD
VGD
IH
max.
3,0
gate trigger voltage
Tvj = Tvj max, vD = 6 V
Nicht zündener Steuerstrom
gate non-trigger current
max.
max.
10
5
mA
mA
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max,vD = 0,5 VDRM
Nicht zündene Steuerspannung
gate non-trigger voltage
max. 0,25
max. 300
max. 1500
mV
mA
mA
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 W
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK>=10 W
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
tg = 20 µs
Einraststrom
IL
latching current
Tvj = Tvj max
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
iD, iR
max. 250
mA
µs
vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug
DIN IEC 747-6
tgd
max.
3
Tvj = 25°C
gate controlled delay time
iGM = 1,6 A, diG/dt = 1,6 A/µs
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22...28
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Tvj = Tvj max, iTM=ITAVM
Freiwerdezeit
tq
vRM =100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
circuit commutatet turn-off time
typ.
400
µs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
RthJC
beidseitig / two-sided, Q =180°sin
thermal resitance, junction to case
max. 0,0124 °C/W
max. 0,0116 °C/W
beidseitig / two-sided, DC
Übergangs- Wärmewiderstand
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
RthJK
thermal resitance, case to heatsink
max. 0,0030 °C/W
max. 0,0060 °C/W
einseitig / single-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
125
-40...125
-40...150
°C
°C
°C
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
Seite 3
page 3
case, see appendix
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
Anpreßkraft
F
30 ...65
kN
g
clamping force
Gewicht
weight
G
typ.
900
30
C
Kriechstrecke
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
f = 50Hz
humidity classification
Schwingfestigkeit
vibration resistance
50
m/s²
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22 ... 28
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
Zn. Nr.: 1
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22...28
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical ementes of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung
cooling
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
Rthn [°C/W]
beidseitig
two-sided
0,000036 0,0006 0,00097 0,00266 0,00412 0,0032
t [s]
n
0,000287 0,00298 0,0135 0,134
0,449
2,05
Rthn [°C/W]
anodenseitig
anode-sided
t [s]
n
Rthn [°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
t [s]
n
n max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC = S Rthn ( 1 - EXP ( - t / tn ))
n=1
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22...28
8.000
7.000
6.000
5.000
4.000
3.000
2.000
1.000
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
vT [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting 0n-state characteristic i T = f(vT)
Tvj = Tvj max
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
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Zn. Nr.: 2
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22... 28
5000
180°
120°
90°
4000
60°
Q = 30°
3000
2000
1000
0
0
500
1000
1500
2000
2500
I TAV [A]
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
)
Parameter: Stromflußwinkel / current conduction angle Q
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
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Z.Nr.: 3
Seite/page 6
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22... 28
140
120
100
80
60
40
90°
120°
1500
180°
2000
60°
Q = 30°
500
20
0
1000
2500
ITAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Q / current conduction angle Q
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
A121/ 98
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
Z.Nr.: 4
Seite/page 7
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22 ... 28
6000
DC
180°
5000
120°
90°
4000
3000
2000
1000
0
60°
Q = 30°
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
ITAV [A]
Durchlaßverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
)
Parameter: Stromflußwinkel Q / current conduction angle Q
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SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
Z.Nr.: 5
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22... 28
140
120
100
80
60
40
180°
2000
DC
120°
60°
90°
Q = 30°
500
20
0
1000
1500
2500
3000
3500
ITAVM [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T C = f(ITAVM
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Q / current conduction angle Q
Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert berücksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)
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SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
Z.Nr.: 6
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22 ... 28
100.000
I TAV (vor)
0 A
=
130 A
210 A
260 A
300 A
320 A
10.000
1.000
100
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
Überstrom / Overload on-state current IT(OV) = f(t)
Beidseitige Luftselbstkühlung / Two-sided natural cooling K0.048F
TA = 45°C
Parameter: Vorlaststrom / pre-load current ITAV (vor)
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Z. Nr.: 7
Seite/page 10
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22...28
100.000
I TAV (vor)
0 A
=
350 A
550 A
670 A
780 A
850 A
10.000
1.000
0,01
0,1
1
10
100
1000
t [s]
Überstrom / Overload on-state current IT(OV) = f(t)
Beidseitige verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K0.048F
TA = 35°C, VL = 120 l/s
Parameter: Vorlaststrom / pre-load current ITAV(vor)
A 121/98
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
Z. Nr.: 8
Seite/page 11
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22...28
35.000
30.000
a
25.000
TA = 35 °C
vL = 120l/s
20.000
b
15.000
TA = 45 °C
10.000
5.000
0
0,01
0,1
1
10
t [s]
Grenzstrom / Max. overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Kühlkörper / Heatsink: K 0.048F
Belastung aus / Surge current occurs:
a - Leerlauf / No-load conditions
b - Betrieb mit Dauergrenzstrom / During operation at max. average on-state
current ITAVM
A 121/98
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
Z. Nr.: 9
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Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22...28
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated
peak gate power disspation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
Z.Nr.: 10
Seite/page 13
A 121/ 98
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22...28
Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iGM
)
Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs
a - maximaler Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
A121/ 98
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
Z.Nr.: 11
Seite/page 14
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22...28
100.000
10.000
1.000
iTM[A]
4000
2000
1000
500
200
100
- diT/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj = Tvj max, vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM
A 121/98
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
Zn. Nr.:12
Seite/page15
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22 ... 28
0,018
0,016
0,014
0,012
0,010
0,008
0,006
0,004
0,002
0,000
Q =
30°
60°
90°
120°
180°
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z (th)JC = f(t)
Beidseitige Kühlung /Ttwo-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Q / current conduction angle Q
A121/ 98
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
Z.Nr.: 13
Seite/page 16
Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
N
T 1589 N 22 ... 28
0,018
0,016
0,014
0,012
0,010
0,008
0,006
0,004
0,002
0,000
Q =
30°
60°
90°
120°
180°
DC
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z (th)JC = f(t)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflußwinkel Q / current conduction angle Q
A121/ 98
SZ-M / 21.12.98, K.-A.Rüther
Z.Nr.: 14
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