T2561N80TOH [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 5600A I(T)RMS, 2560000mA I(T), 8000V V(DRM), 8000V V(RRM), 1 Element,;
| 型号： | T2561N80TOH |
| 厂家： | 
Infineon |
| 描述： | Silicon Controlled Rectifier, 5600A I(T)RMS, 2560000mA I(T), 8000V V(DRM), 8000V V(RRM), 1 Element, 栅 栅极 |
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
T 2561N 75...80TOH
N
Phase Control Thyristor
.
Features:
Volle Sperrfähigkeit bei 125° mit 50 Hz
Full blocking capability at 125°C with 50 Hz
Hohe Stoßströme und niedriger Wärme-
widererstände durch NTV-Verbindung
zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe.
High surge currents and low thermal resistance
by using low temperature-connection NTV between
silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
f = 50 Hz
Periodische Vorwärts - und Rückwärts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
VDRM
,
tvj min = -40°C tvj min = 0°C
VRRM
ITRMSM
ITAVM
ITSM
7500
8000
7700
8200
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
5600
A
tC = 85°C, f = 50Hz
C = 60°C, f = 50Hz
Dauergrenzstrom
2560
3570
A
A
t
mean forward current
tvj = 25°C, tp = 10ms, VR = 0
vj = tvj max, tp = 10ms, VR = 0
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
63 kA
56 kA
t
I2t
19,8·106 A2s
tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms
Grenzlastintegral
I2t-value
A2s
15,7·106
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, vD = 0,67 VDRM
iGM = 3A, diG/dt = 6A/µs
Kritische Stromsteilheit
(di/dt)cr
300 A/µs
critical rate of rise of on-state current
tvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter H
Kritische Spannungssteilheit
(dv/dt)cr
2000 V/µs
critical rate of rise of off-state current
BIP AM / SM PB 2001-05-04, Przybilla J. / Keller
Release 3
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
T 2561N 75...80TOH
N
Phase Control Thyristor
.
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ
max
2,95
tvj = tvj max, iT = 6kA
Durchlaßspannung
on-state voltage
vT
2,75
V
typ
max
tvj = tvj max
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
V(TO)
rT
1,23
0,253
1,28
0,278
V
mΩ
typ
max
tvj = tvj max
A
B
C
D
-0,00607
0,000181
0,162
-0,00503
0,000187
0,16
Durchlaßrechenkennlinien
500 A ≤ iT ≤ 6000 A
On - state characteristics for calculation
V = A +B⋅i + C⋅ln i +1 + D⋅ i
(
)
T
T
T
T
0,00342
0,0057
tvj = 25°C, vD = 6V
tvj = 25°C, vD = 6V
tvj = tvj max, vD = 6V
Zündstrom
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
350 mA
2,5
gate trigger current
Zündspannung
V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
20 mA
10 mA
t
vj = tvj max, vD = 0,5VDRM
tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM
nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
0,4
V
tvj = 25°C, vD = 12V, RA = 4,7Ω
Haltestrom
350 mA
holding current
tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω
iGM = 3A, diG/dt= 6 A/µs, tg = 20µs
Einraststrom
IL
3 A
latching current
tvj = tvj max
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
iD, iR
tgd
900 mA
2,5 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
forward off-state and reverse currents
DIN IEC 747-6
Zündverzug
t
vj = 25°C,
gate controlled delay time
i
GM = 3A, diG/dt = 6A/µs
tvj = tvj max, iTM = ITAVM
typ
Freiwerdezeit
tq
550 µs
vRM = 100V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
circuit commutated turn-off time
tvj = tvj max
ITM = 2,5 kA, di/dt = 10 A/µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Qr
22 mAs
V
R = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
tvj = tvj max
Rückstromspitze
IRM
400 A
ITM = 2,5 kA, di/dt = 10 A/µs
peak reverse recovery current
VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
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Release 3
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
T 2561N 75...80TOH
N
Phase Control Thyristor
.
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin
Innerer Wärmewiderstand
RthJC
0,0046 °C/W
0,0043 °C/W
0,0075 °C/W
0,01 °C/W
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
thermal resistance, junction to case
DC
DC
Kathode / cathode
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCK
tvj max
tc op
0,001 °C/W
0,002 °C/W
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
125 °C
Betriebstemperatur
-40...+125 °C
-40...+150 °C
operating temperature
Lagertemperatur
tstg
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amplifying gate
119TN80
Anpreßkraft
F
90...130 KN
clampig force
typ
Gewicht
weight
G
4000 g
Kriechstrecke
49 mm
C
creepage distance
DIN 40040
f = 50Hz
Feuchteklasse
humidity classification
Schwingfestigkeit
50 m/s2
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
T 2561N 75...80TOH
N
Phase Control Thyristor
.
Maßbild / Outline
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
T 2561N 75...80TOH
N
Phase Control Thyristor
.
Durchlaßkennlinie iT = f ( vT )
Limiting and typical on-state characteristic
tvj = 125 ° C
6500
6000
5500
5000
4500
4000
typ
max
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
1
2
3
VT [V]
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
T 2561N 75...80TOH
N
Phase Control Thyristor
.
Steuerkreischarakteristik mit Zündbereichen
Gate characteristic with triggering areas
vG = f (iG), VD = 6V
Parameter
a
b
1
c
Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration tg(ms)
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung
10
0,5
Max. rated peak power dissipation
PGM (W)
20
40
60
3 0
2 0
1 0
c
b
5
a
- 4 0 ° C
2
+ 2 5 ° C
+ 1 2 5 ° C
1
0 , 5
0 , 2
1 0
2 0
5 0
1 0 0
2 0 0
5 0 0
1 0 0 0
2 0 0 0
5 0 0 0
1 0 0 0 0
iG [ m A ]
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
T 2561N 75...80TOH
N
Phase Control Thyristor
.
Transienter innerer Wärmewiderstand
Transient thermal impedance Z(th)JC = f (t)
doppelseitige
Kühlung
anodenseitige
Kühlung
kathodenseitige
Kühlung
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
1 0,00183
2 0,00132
3 0,00075
4 0,00038
5 0,00002
0,0043
1,9
0,3
0,065
0,011
0,003
0,00465
0,00052
0,00157
0,00054
0,00022
0,0075
7,5
0,00715
0,00052
0,00157
0,00054
0,00022
0,01
10,2
0,85
0,225
0,029
0,0075
0,85
0,225
0,029
0,0075
-
-
-
nmax
R ⋅ 1 − e − t /τ
n
ZthJC
=
(
)
thn
n=1
0,012
0,01
0,008
0,006
0,004
0,002
0
a
d
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t / [sec.]
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Netz Thyristor
T 2561N 75...80TOH
N
Phase Control Thyristor
.
Sperrverzögerungsladung Qr = f ( - di/dt )
recovered charge
tvj = 125°C, ITM = 2500A,vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM
50
40
30
20
10
9
8
Qrr [mAs]
7
6
5
4
3
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
20
30
di/dt [A/µs]
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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
T 2561N 75...80TOH
N
Phase Control Thyristor
.
Rückstromspitze / reverse recovery current
(typische Abhängigkeit / typical dependence)
IRM = f (di/dt)
tvj = 125°C, ITM = 2500A, vR = 0,5⋅VRRM, vRM = 0,8⋅VRRM
700
650
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11 12
13
14
15 16
17
18
19 20
21
22
di / dt [A/ µs]
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