T680N12T [INFINEON]
Silicon Controlled Rectifier, 1550A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,;型号: | T680N12T |
厂家: | Infineon |
描述: | Silicon Controlled Rectifier, 1550A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, 栅 栅极 |
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T680N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
1200 V
1400 V
Tvj = -40°C... Tvj max
T = -40°C... T
VDRM,VRRM
VDSM
PeriodischeVorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
1200 V
1400 V
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
vj vj max
non-repetitive peak forward off-state voltage
1300 V
1500 V
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25°C... Tvj max
VRSM
1250 A
681 A
990 A
1550 A
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
ITRMSM
ITAVM
TC = 85°C
TC = 55°C, θ = 180°sin, tP = 10 ms
ITAVM
ITRMS
11000 A
9500 A
Tvj = 25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
Stossstrom-Grenzwert
surge current
ITSM
605 10³ A²s
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = 25°C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t
451 10³ A²s
200 A/µs
DIN IEC 60747-6
(diT/dt)cr
(dvD/dt)cr
f = 50 Hz, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
1000 V/µs
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
max.
max.
1,75 V
1,09 V
Tvj = Tvj max, iT = 2000 A
Tvj = Tvj max, iT = 600 A
vT
0,8 V
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
Tvj = Tvj max
V(TO)
rT
0,42 mΩ
200 A ≤ iT ≤ 3400 A
A=
B=
C=
D=
1,054E+00
1,605E-04
-1,180E-01
2,836E-02
Zündstrom
Tvj = 25 °C, vD = 12V
Tvj = 25 °C, vD = 12V
IGT
VGT
IGD
VGD
IH
max.
250 mA
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
max.
2,2 V
Tvj = Tvj max, vD = 12V
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM
max.
max.
max.
10 mA
5 mA
0,25 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12V
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs, tg = 20 µs
IL
max. 1200 mA
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Zündverzug
gate controlled delay time
Tvj = Tvj max
iD, iR
tgd
max.
max.
50 mA
4 µs
vD = VDRM, vR = VRRM
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C, iGM = 1 A, diG/dt = 1 A/µs
H.Sandmann
date of publication: 2009-12-08
prepared by:
revision:
1
approved by: M.Leifeld
IFBIP D AEC / 2009-12-08, H.Sandmann
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T680N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
typ.
250 µs
Freiwerdezeit
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
tq
circuit commutated turn-off time
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, θ = 180°sin
Anode / anode, DC
RthJC
Innerer Wärmewiderstand
max.
max.
max.
max.
max.
max.
0,039 °C/W
0,035 °C/W
0,062 °C/W
0,058 °C/W
0,092 °C/W
0,089 °C/W
thermal resistance, junction to case
Kathode / cathode, θ = 180°sin
Kathode / cathode, DC
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sides
Übergangs-Wärmewiderstand
RthCH
0,0075
0,0150
max.
max.
°C/W
°C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sides
125 °C
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
Tc op
Tstg
Betriebstemperatur
operating temperature
-40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
-40…+150°C °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F
6...12 kN
Steueranschlüsse
control terminals
Gate (flat)
Gate (round, based on AMP 60598)
Kathode / cathode
A 2,8x0,5 mm
Ø 1,5 mm
A 4,8x0,5 mm
Gewicht
weight
G
typ.
110
g
Kriechstrecke
creepage distance
6
mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s²
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T680N
Phase Control Thyristor
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
4: Gate
4 5
1
2
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T680N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC
Kühlung /
Pos. n
2
3
5
-
6
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
-
-
-
[°C/W] 0,0010434
Cooling
Rthn
τn [s]
Rthn [°C/W] 0,00034
0,00024
Rthn [°C/W] 0,00026
0,00019
0,00557
0,00221
0,0054
0,019
0,085
0,01
beidseitig
two-sided
0,00027
0,36
-
0,00486
0,03760
0,0132
0,0562
0,0234
0,1580
0,0346
0,6500
0,024
2,470
0,0357
2,9100
anodenseitig
anode-sided
0,0021
τn [s]
0,00524
0,00192
kathodenseitig
cathode-sided
τn [s]
nmax
-t
τn
=
−
ZthJC
Rthn 1 e
Analytische Funktion / Analytical function:
Σ
n=1
0,10
0,09
0,08
0,07
0,06
0,05
0,04
0,03
0,02
0,01
0,00
c
a
b
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC
Z thJC = f(t)
a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T680N
Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin
Kühlung / Cooling
Θ = 180°
Θ = 120°
Θ = 90°
Θ = 60°
Θ = 30°
∆Zth Θ rec
0,00714
0,01288
0,01760
0,02477
0,03693
[°C/W]
beidseitig
two-sided
∆Zth Θ sin
0,00365
0,00708
0,00363
0,00694
0,00336
0,00617
0,01274
0,00611
0,01253
0,00576
0,00989
0,01743
0,00981
0,01725
0,00944
0,01635
0,02456
0,01630
0,02456
0,01608
0,02873
0,03659
0,02873
0,03698
0,02906
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
anodenseitig
anode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
∆Zth Θ rec
[°C/W]
kathodenseitig
cathode-sided
∆Zth Θ sin
[°C/W]
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec
Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
4000
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
Tvj = Tvj max
0
0,5
0,7
0,9
1,1
1,3
1,5
vT [V]
1,7
1,9
2,1
2,3
2,5
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T680N
Phase Control Thyristor
1400
1200
180°
120°
90°
0°
180°
0
60°
1000
800
600
400
200
0
θ = 30°
0
100
200
300
400
500
TAV [A]
600
700
800
900
I
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
60
40
θ = 30°
300
60°
90°
120°
180°
800
0°
180°
0
20
0
100
200
400
500
TAV [A]
600
700
900
I
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current
)
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T680N
Phase Control Thyristor
1800
1600
DC
0°
180°
1400
0
180°
120°
1200
1000
800
600
400
200
0
90°
60°
θ = 30°
0
200
400
600
800
ITAV [A]
1000
1200
1400
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
)
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
140
120
100
80
0°
180°
0
60
60°
90° 120°
180°
DC
θ = 30°
40
20
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
I
TAV [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV
)
Rechteckförmiger Strom / Rectangular current
Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T680N
Phase Control Thyristor
100
10
1
b
a
0,1
10
iG [mA]
100
1000
10000
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms
10000
1000
100
iTM
=
1000A
500A
200A
100A
20A
-di/dt [A/µs]
1
10
100
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)
Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM
Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T680N
Phase Control Thyristor
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0-50V
0,33 VRRM
0,67 VRRM
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves
11
12
13
14
15
16
17
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
I
T(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax
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Datenblatt / Data sheet
N
Netz-Thyristor
T680N
Phase Control Thyristor
Nutzungsbedingungen
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相关型号:
T680N12TOF
Silicon Controlled Rectifier, 1550A I(T)RMS, 681000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
T680N12TOFXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 1550A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
T680N14TOF
Silicon Controlled Rectifier, 1550A I(T)RMS, 681000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element
INFINEON
T680N14TOFHOSA1
Silicon Controlled Rectifier, 1550A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element
INFINEON
T680N14TOFXPSA1
Silicon Controlled Rectifier, 1550A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element,
INFINEON
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