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 PD - 9.1099B 初步 IRF7107 N沟道MOSFET 1 8 HEXFET ® 功率MOSFET 先进的工艺技术 超低导通电阻 双N和P沟道MOSFET 表面贴装 可在磁带卷& 动态的dv / dt额定值 快速开关 描述 国际整流器第四代HEXFETs利用先进 加工技术，以实现尽可能低的导通电阻每硅片 区。这样做的好处，结合快速开关速度和加固装置 设计的量HEXFET功率MOSFET是众所周知，为设计者提供 用一个非常有效的装置，用于在各种各样的应用中使用。 采用SO-8已经通过定制的引线框架，可增强被修改 热特性和多模能力使它成为理想的各种 电源应用。有了这些改进，多个器件可以在使用 应用程序极大地降低了电路板空间。该软件包是专为 气相，红外，或波焊技术。更大的功耗 超过0.8W能够在典型的印刷电路板安装的应用程序。 N沟道 D1 D1 D2 D2 P沟道 -20V S1 G1 S2 G2 2 7 V DSS 20V 3 6 4 5 R DS （ ON） 0.125 Ω 0.160 Ω I D 3.0A -2.8A P沟道MOSFET 顶视图 SO-8 绝对最大额定值 马克斯。 N沟道 I D @ T C = 25°C I D @ T C = 70°C I DM P D @T C = 25°C V GS dv / dt的 T J, T 英镑 连续漏电流， V GS @ 10V 连续漏电流， V GS @ 10V 漏电流脉冲 功耗 线性降额因子 栅极 - 源极电压 峰值二极管恢复的dv / dt 结温和存储温度范围 3.0 2.5 10 2.0 0.016 ± 20 3.0 -55到+ 150 -1.3 P沟道 -2.8 -2.3 -10 A V V / ns的 °C 热阻 参数 R θ JA 结到环境（印刷电路板安装） ** 分钟。 –––– 典型值。 –––– 马克斯。 62.5 单位 **当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料） 。 对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。 修订版3 77
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