B5819W-SOD-123 [JCST]
SCHOTTKY BARRIER DIODE; 肖特基二极管
| 型号： | B5819W-SOD-123 |
| 厂家： | 
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD |
| 描述： | SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| 文件： | 总2页 (文件大小：122K) |
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOD-123 Plastic-Encapsulate Diode
SOD-123
B5819W SCHOTTKY BARRIER DIODE
FEATURES：
Power dissipation
PD :
450
mW（Tamb=25℃）
Collector current
2.70
3.70
IF:
Collector-base voltage
VR: 40
1
A
V
Operating and storage junction temperature range
TJ，Tstg: -55℃ to +150℃
Unit：mm
MARKING：SL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃
unless otherwise specified）
Parameter
Symbol
Test
conditions
MIN
40
MAX
UNIT
Reverse breakdown voltage
V
(BR)
IR= 1mA
V
VR=40V
VR=4V
VR=6V
1
Reverse voltage leakage current
IR
0.05
0.075
mA
V
IF=0.1A
IF=1A
0.45
0.6
Forward voltage
VF
IF=3A
0.9
Diode capacitance
CD
VR=4V
f=1MHz
120
pF
SOD-123 PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS
E
A1
A2
E1
A
L
L1
θ
Dimensions In Millimeters
Dimensions In Inches
Symbol
Min
Max
Min
Max
A
1.050
0.000
1.050
0.450
0.080
1.500
2.600
3.550
1.250
0.100
1.150
0.650
0.150
1.700
2.800
3.850
0.041
0.000
0.041
0.018
0.003
0.059
0.102
0.140
0.049
0.004
0.045
0.026
0.006
0.067
0.110
0.152
A1
A2
b
c
D
E
E1
L
0.500REF
0.020REF
L1
θ
0.250
0°
0.450
8°
0.010
0°
0.018
8°
相关型号：
B5819WS-TP
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 40V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
MCC
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