FNA41560 [ONSEMI]
智能功率模块，600V，15A;
| 型号： | FNA41560 |
| 厂家： | 
ONSEMI |
| 描述： | 智能功率模块，600V，15A |
| 文件： | 总17页 (文件大小：1099K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
Is Now Part of
To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at
www.onsemi.com
Please note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers
will need to change in order to meet ON Semiconductor’s system requirements. Since the ON Semiconductor
product management systems do not have the ability to manage part nomenclature that utilizes an underscore
(_), the underscore (_) in the Fairchild part numbers will be changed to a dash (-). This document may contain
device numbers with an underscore (_). Please check the ON Semiconductor website to verify the updated
device numbers. The most current and up-to-date ordering information can be found at www.onsemi.com. Please
email any questions regarding the system integration to Fairchild_questions@onsemi.com.
ON Semiconductor and the ON Semiconductor logo are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries. ON Semiconductor owns the rights to a number
of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent coverage may be accessed at www.onsemi.com/site/pdf/Patent-Marking.pdf. ON Semiconductor reserves the right
to make changes without further notice to any products herein. ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. Buyer is responsible for its products and applications using ON
Semiconductor products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or standards, regardless of any support or applications information provided by ON Semiconductor. “Typical” parameters which may be provided in ON
Semiconductor data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s
technical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support systems or any FDA
Class 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification in a foreign jurisdiction or any devices intended for implantation in the human body. Should Buyer purchase or use ON Semiconductor products for any such unintended
or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold ON Semiconductor and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out
of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that ON Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part. ON Semiconductor
is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
2014 年9 月
FNA41560 / FNA41560B2
®
Motion SPM 45 系列
特性
概述
FNA41560 / FNA41560B2 是一款 Motion SPM® 45 模
块，为交流感应、无刷直流电机和 PMSM 电机提供非常
全面的高性能逆变器输出平台。这些模块综合优化了内置
IGBT 的栅极驱动以最小化电磁干扰和能量损耗。同时也
提供多重模组保护特性，集成欠压闭锁，过流保护，热量
监测和故障报告。内置高速 HVIC 芯片仅需要单电源电压
并将逻辑电平栅极输入信号转换为高电压、高电流驱动信
号，从而有效驱动模块的内部IGBT。独立的IGBT 负端在
每个相位均有效，可支持大量不同种类的控制算法。
• 通过UL 第E209204 号认证(UL1557)
• 600 V - 15 A 三相 IGBT 逆变器，包含栅极驱动和保护
的控制IC
• 使用陶瓷基板实现低热阻
• 低损耗、短路额定的IGBT
• 内置自举二极管和专用的 Vs 引脚以简化印刷电路板布
局
• 内置负温度系数热敏电阻可实现温度监测
• 低端 IGBT 的独立发射极开路引脚用于三相电流感测
• 单接地电源供电
• 针对5 kHz 开关频率进行优化
• 绝缘等级：2000 Vrms / 分钟。
应用
• 运动控制- 家用设备/ 工业电机
相关资料
• AN-9070 - Motion SPM® 45 Series Users Guide
• AN-9071 - Motion SPM® 45 Series Thermal
Performance Information
• AN-9072 - Motion SPM® 45 Series Mounting
Guidance
图1. 封装概览
• RD-344 - Reference Design (Three Shunt Solution)
• RD-345 - Reference Design (One Shunt Solution)
封装标识与定购信息
器件
器件标识
FNA41560
封装
包装类型
Rail
数量
12
FNA41560
FNA41560B2
SPMAA-A26
SPMAA-C26
FNA41560B2
Rail
12
©2011 飞兆半导体公司
FNA41560 / FNA41560B2 Rev. C3
1
www.fairchildsemi.com
集成的功率功能
600 V - 15 A IGBT 逆变器，适用于三相DC / AC 功率转换（请参阅图3）
•
集成的驱动、保护和系统控制功能
• 对于逆变器高端IGBT：栅极驱动电路、高压隔离的高速电平转换控制电路欠压锁定保护(UVLO)
• 对于逆变器低端IGBT：栅极驱动电路、短路保护(SCP)、控制电源电路欠压锁定保护(UVLO)
• 故障信号：对应UVLO （低端电源）和短路故障
• 输入接口：高电平有效接口，可用于3.3 / 5 V 逻辑电平，施密特触发脉冲输入
引脚布局
VB(U)(26)
VS(U)(25)
VTH(1)
RTH(2)
VB(V)(24)
V
S(V)(23)
P(3)
U(4)
V
B(W)(22)
VS(W)(21)
IN(UH)(20)
IN(VH)(19)
IN(WH)(18)
Case Temperature (TC)
Detecting Point
V(5)
VCC(H)(17)
VCC(L)(16)
W(6)
COM(15)
IN(UL)(14)
IN(VL)(13)
IN(WL)(12)
NU(7)
NV(8)
NW(9)
V
FO(11)
CSC(10)
图2. 俯视图
©2011 飞兆半导体公司
FNA41560 / FNA41560B2 Rev. C3
2
www.fairchildsemi.com
引脚描述
引脚号
1
引脚名
VTH
引脚描述
热敏电阻偏压
2
RTH
用于热敏电阻（温度检测）的串连电阻
直流输入正端
3
P
4
U
U 相输出
5
V
V 相输出
6
W
W 相输出
7
NU
U 相的直流输入负端
8
NV
V 相的直流输入负端
9
NW
W 相的直流输入负端
短路电流感测输入电容（低通滤波器）
故障输出
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
CSC
VFO
IN(WL)
IN(VL)
IN(UL)
COM
VCC(L)
VCC(H)
IN(WH)
IN(VH)
IN(UH)
VS(W)
VB(W)
VS(V)
VB(V)
VS(U)
VB(U)
低端W 相的信号输入
低端V 相的信号输入
低端U 相的信号输入
公共电源接地
IC 和IGBT 驱动的低端公共偏压
IC 和IGBT 驱动的高端公共偏压
高端W 相的信号输入
高端V 相的信号输入
高端U 相的信号输入
W 相IGBT 驱动的高端偏压接地
W 相IGBT 驱动的高端偏压
V 相IGBT 驱动的高端偏压接地
V 相IGBT 驱动的高端偏压
U 相IGBT 驱动的高端偏压接地
U 相IGBT 驱动的高端偏压
©2011 飞兆半导体公司
FNA41560 / FNA41560B2 Rev. C3
3
www.fairchildsemi.com
内部等效电路与输入/ 输出引脚
VTH (1)
RTH (2)
P (3)
Thermister
(26) VB(U)
(25) VS(U)
UVB
UVS
OUT(UH)
UVS
(24) VB(V)
(23) VS(V)
U(4)
VVB
VVS
(22) VB(W)
(21) VS(W)
WVB
WVS
OUT(VH)
VVS
(20) IN(UH)
IN(UH)
IN(VH)
IN(WH)
VCC
V (5)
(19) IN(VH)
(18) IN(WH)
(17) VCC(H)
OUT(WH)
WVS
COM
W(6)
(16) VCC(L)
(15) COM
VCC
OUT(UL)
OUT(VL)
COM
NU (7)
NV (8)
NW (9)
(14) IN(UL)
(13) IN(VL)
IN(UL)
IN(VL)
IN(WL)
(12) IN(WL)
(11) VFO
VFO
(10) CSC
C(SC)
OUT(WL)
图3. 内部框图
注：
1. 逆变器的高端由三个IGBT 及相应的续流二极管和一个控制IC 组成。
2. 逆变器的低端由三个IGBT 及相应的续流二极管和一个控制IC 组成。具有栅极驱动和保护功能。
3. 逆变器的功率端由逆变器的四个直流母线输入端和三个输出端组成。
©2011 飞兆半导体公司
FNA41560 / FNA41560B2 Rev. C3
4
www.fairchildsemi.com
绝对最大额定值（TJ = 25°C，除非另有说明。）
逆变器部分
符号
参数
工作条件
施加在P - NU, NV, NW 之间
施加在P - NU, NV, NW 之间
额定值
450
单位
V
VPN
电源电压
500
V
VPN （浪涌） 电源电压（浪涌）
VCES
± IC
± ICP
PC
600
V
集电极- 发射极之间电压
单个IGBT 的集电极电流
单个IGBT 的集电极电流（峰值）
集电极功耗
15
A
TC = 25°C, TJ ＜150°C
TC = 25°C，TJ ＜150°C，脉冲宽度小于1 ms
TC = 25°C，单个芯片
30
A
41
W
°C
TJ
- 40 ~ 150
工作结温
（注1）
注：
®
1. Motion SPM 45 内部集成的功率芯片的最大额定结温是150°C。
控制部分
符号
VCC
参数
工作条件
额定值
20
单位
V
V
控制电源电压
高端控制偏压
施加在VCC(H), VCC(L) - COM 之间
VBS
20
施加在 VB(U) - VS(U), VB(V) - VS(V), VB(W)
-
VS(W)
VIN
-0.3 ~ VCC + 0.3
,
V
输入信号电压
施加在 IN(UH), IN(VH), IN(WH), IN(UL), IN(VL)
IN(WL) - COM 之间
VFO
IFO
-0.3 ~ VCC + 0.3
1
V
mA
V
故障输出电源电压
故障输出电流
施加在VFO - COM 之间
VFO 引脚处的灌电流
VSC
-0.3 ~ VCC + 0.3
电流感测输入电压
施加在CSC - COM 之间
自举二极管部分
符号
参数
工作条件
额定值
600
单位
V
VRRM
IF
最大重复反向电压
正向电流
0.50
A
TC = 25°C, TJ ＜150°C
IFP
TJ
1.50
A
正向电流（峰值）
工作结温
TC = 25°C，TJ ＜150°C，脉冲宽度小于1 ms
-40 ~ 150
°C
整个系统
符号
参数
工作条件
额定值
单位
VPN(PROT)
VCC = VBS = 13.5 ~ 16.5 V
400
V
自我保护电源电压限制（短路保护能力）
TJ = 150°C, 非重复性, < 2 μs
TSTG
VISO
-40 ~ 125
2000
°C
存储温度
绝缘电压
Vrms
60 Hz，正弦波形，交流1 分钟，连接陶瓷基
板到引脚
热阻
符号
Rth(j-c)Q
Rth(j-c)F
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
-
-
-
-
3.0
4.3
°C / W
°C / W
结点- 壳体的热阻
逆变器IGBT 部分（每1 / 6 模块）
逆变器FWD 部分（每1 / 6 模块）
注：
2. 关于壳体温度(T ) 的测量点，参见图2。
C
©2011 飞兆半导体公司
FNA41560 / FNA41560B2 Rev. C3
5
www.fairchildsemi.com
电气特性（TJ = 25°C，除非另有说明。）
逆变器部分
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
VCE(SAT)
VCC = VBS = 15 V
I
C = 15 A, TJ = 25°C
-
1.8
2.3
V
集电极- 发射极间饱和电压
VIN = 5 V
VF
VIN = 0 V
IF = 15 A, TJ = 25°C
-
1.8
0.75
0.25
0.75
0.25
0.15
0.75
0.25
0.75
0.25
0.15
-
2.3
1.25
0.50
1.25
0.50
-
V
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
μs
mA
FWD 正向电压
HS
tON
tC(ON)
tOFF
tC(OFF)
trr
VPN = 300 V, VCC = VBS = 15 V, IC = 15 A
TJ = 25°C
0.45
开关时间
-
VIN = 0 V ↔ 5 V，电感负载
（注3）
-
-
-
LS
tON
VPN = 300 V, VCC = VBS = 15 V, IC = 15 A
TJ = 25°C
0.45
1.25
0.50
1.25
0.50
-
tC(ON)
tOFF
tC(OFF)
trr
-
-
-
-
-
V
IN = 0 V ↔ 5 V，电感负载
（注3）
ICES
VCE = VCES
1
集电极- 发射极间漏电流
注：
3.
t
和t
包括模块内部驱动IC 的传输延迟时间。t
和t
指在内部给定的栅极驱动条件下，IGBT 本身的开关时间。详细信息，请参见图4。
C(OFF)
ON
OFF
C(ON)
100% IC 100% IC
trr
VCE
IC
IC
VCE
VIN
VIN
tON
tOFF
tC(ON)
tC(OFF)
10% IC
VIN(ON)
VIN(OFF)
10% VCE
10% IC
90% IC 10% VCE
(b) turn-off
(a) turn-on
图4. 开关时间的定义
©2011 飞兆半导体公司
FNA41560 / FNA41560B2 Rev. C3
6
www.fairchildsemi.com
Inductive Load, VPN=300V, VCC=15V, TJ=25℃
℃
Inductive Load, VPN=300V, VCC=15V, TJ=150
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
IGBT Turn-ON, Eon
IGBT Turn-OFF, Eoff
FRD Turn-OFF, Erec
IGBT Turn-ON, Eon
IGBT Turn-OFF, Eoff
FRD Turn-OFF, Erec
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
2
4
6
8
10
12
14
16
COLLECTOR CURRENT, Ic [AMPERES]
COLLECTOR CURRENT, Ic [AMPERES]
图5. 开关损耗特性（典型值）
控制部分
符号
IQCCH
IQCCL
IPCCH
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
VCC(H) = 15 V, IN(UH,VH,WH) = 0 V VCC(H) - COM
VCC(L) = 15 V, IN(UL,VL, WL) = 0 V VCC(L) - COM
-
-
-
-
-
-
0.10
2.65
0.15
mA
mA
mA
V
V
CC 静态电源电流
VCC(H) - COM
CC 电源电流
VCC(L) = 15 V, fPWM = 20 kHz, 占空
50%，施加于高端的一个
比
=
PWM 信号输入
IPCCL
VCC(L) - COM
-
-
3.65
mA
VCC(L) = 15 V, fPWM = 20 kHz, 占空
比
=
50%，施加于低端的一个
PWM 信号输入
IQBS
IPBS
VBS = 15 V, IN(UH, VH, WH) = 0 V
VB(U) - VS(U), VB(V)
-
-
-
-
-
-
0.30
2.00
mA
mA
VBS 静态电源电流
VBS 工作电源电流
V
S(V), VB(W) - VS(W)
VCC = VBS = 15 V, fPWM = 20 kHz, VB(U) - VS(U), VB(V)
VS(V), VB(W) - VS(W)
占空比 = 50%，施加于高端的一个
PWM 信号输入
VFOH
VFOL
4.5
-
-
-
V
V
故障输出电压
短路触发电平
VSC = 0 V, VFO 电路：10 kΩ 至5 V 上拉
-
0.5
0.55
13.0
13.5
12.5
13.0
-
VSC = 1 V, VFO 电路：10 kΩ 至5 V 上拉
VSC(ref)
UVCCD
UVCCR
UVBSD
UVBSR
tFOD
0.45
10.5
11.0
10.0
10.5
30
0.50
V
VCC = 15 V （注4）
检测电平
-
V
电源电路
欠压
保护
-
-
V
复位电平
V
检测电平
-
V
复位电平
-
μs
V
故障输出脉宽
导通阈值电压
关断阈值电压
VIN(ON)
VIN(OFF)
RTH
-
-
2.6
-
施加在 IN(UH), IN(VH), IN(WH), IN(UL), IN(VL), IN(WL)
COM 之间
-
0.8
-
-
V
47
2.9
-
kΩ
kΩ
阻值（热敏电阻） @TTH = 25°C，（注 5）
@TTH = 100°C
-
-
注：
4. 短路电流保护仅作用于低端。
5. T 为热敏电阻自身的温度。若需获得壳体温度(T )，请根据具体应用进行试验。
TH
C
©2011 飞兆半导体公司
FNA41560 / FNA41560B2 Rev. C3
7
www.fairchildsemi.com
R-T Curve
600
550
500
450
400
350
300
250
200
150
100
50
R-T Curve in 50℃ ~ 125℃
20
16
12
8
4
0
50
60
70
80
90
100
110
120
Temperature [℃]
0
-20 -10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120
Temperature TTH[℃]
图6. 内置热敏电阻的R-T 曲线
自举二极管部分
符号
参数
工作条件
IF = 0.1 A, TC = 25°C
IF = 0.1 A, TC = 25°C
最小值 典型值 最大值 单位
VF
trr
-
-
2.5
80
-
-
V
正向电压
反向恢复时间
ns
Built-In Bootstrap Diode VF-IF Characteristic
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
TC=25oC
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
VF [V]
图7. 内置自举二极管特性
注：
6. 内置自举二极管其阻抗特性约为15 Ω。
©2011 飞兆半导体公司
FNA41560 / FNA41560B2 Rev. C3
8
www.fairchildsemi.com
推荐工作条件
符号
参数
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
VPN
VCC
VBS
-
300
15.0
15.0
-
400
16.5
18.5
1
V
V
电源电压
施加在P - NU, NV, NW 之间
13.5
13.0
-1
控制电源电压
高端偏压
施加在VCC(H), VCC(L) 之间
V
施加在VB(U) - VS(U), VB(V) - VS(V), VB(W) - VS(W)
dVCC / dt,
dVBS / dt
V / μs
控制电源波动
tdead
fPWM
1.5
-
-
-
-
20
4
-
μs
kHz
V
防止桥臂直通的死区时间 适用于每个输入信号
PWM 输入信号
电流感测的电压
最小输入脉宽
- 40°C ＜TJ ＜150°C
VSEN
-4
施加在NU, NV, NW - COM 之间（包括浪涌电压）
（注7）
PWIN(ON)
PWIN(OFF)
0.5
0.5
-
-
μs
-
注：
7. 此产品可能不会响应，若输入脉宽值低于最低推荐值。
Allowable Maximum Output Current
13
12
11
10
9
fSW=5kHz
8
7
6
5
fSW=15kHz
VDC=300V, VCC=VBS=15V
4
3
2
1
0
TJ ＜ 150℃ , TC ≤ 125℃
M.I.=0.9, P.F.=0.8
Sinusoidal PWM
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110 120 130 140
Case Temperature, TC [℃]
图8. 允许最大输出电流
注：
8. 这个允许输出电流值是此产品安全工作时的参考值。考虑到实际应用和工作条件，它可能会改变。
©2011 飞兆半导体公司
FNA41560 / FNA41560B2 Rev. C3
9
www.fairchildsemi.com
机械特性和额定值
参数
器件平面度
安装扭矩
工作条件
最小值 典型值 最大值 单位
0
-
+ 120
0.8
μm
见图9
0.6
6.2
0.7
7.1
N • m
kg • cm
安装螺钉：M3
建议0.7 N • m
8.1
建议7.1 kg • cm
见图10
-
11.00
-
g
重量
图9. 平面度测量位置
Pre - Screwing : 1→2
Final Screwing : 2→1
2
1
图10. 安装螺钉时的扭紧顺序
注：
9. 安装或扭动螺丝时切勿过分用力。扭力过大会造成陶瓷破裂，产生毛刺并破坏铝质散热片。
®
10. 避免用力不均衡。图10 显示了安装螺钉时，推荐的扭紧顺序。不平坦的安装会导致SPM 45 封装的陶瓷基板损坏。预旋紧扭矩约为最大额定扭矩的20 ~ 30%。
©2011 飞兆半导体公司
FNA41560 / FNA41560B2 Rev. C3
10
www.fairchildsemi.com
保护功能时序图
Input Signal
Protection
Circuit State
RESET
SET
RESET
UVCCR
a1
a6
UVCCD
a2
Control
Supply Voltage
a3
a4
a7
Output Current
a5
Fault Output Signal
a1 : 控制电源电压上升：当电压上升到UVCCR 后，等到下一个开通信号时，对应的电路才开始动作。
a2 : 正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
a3 : 欠压检测(UVCCD)。
a4 : 不论控制输入的条件，IGBT 都关断。
a5 : 故障输出工作启动。
a6 : 欠压复位(UVCCR)。
a7 : 正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
图11. 欠压保护（低端）
Input Signal
Protection
RESET
SET
RESET
Circuit State
UVBSR
b5
b1
UVBSD
b2
Control
Supply Voltage
b3
b4
b6
Output Current
High-level (no fault output)
Fault Output Signal
b1：控制电源电压上升：当电压上升到UVBSR 后，等到下一个输入信号时，对应的电路才开始动作。
b2：正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
b3：欠压检测(UVBSD)。
b4：不论控制输入的条件，IGBT 都关闭，且无故障输出信号。
b5：欠压复位(UVBSR)。
b6：正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
图12. 欠压保护（高端）
©2011 飞兆半导体公司
FNA41560 / FNA41560B2 Rev. C3
11
www.fairchildsemi.com
Lower Arms
Control Input
c6
c7
Protection
Circuit State
SET
RESET
Internal IGBT
Gate - Emitter Voltage
c4
c3
c2
SC
c1
c8
Output Current
SC Reference Voltage
Sensing Voltage
of Shunt Resistance
CR Circuit Time
Constant Delay
c5
Fault Output Signal
（包含外部分流电阻和CR 连接）
c1 : 正常工作：IGBT 导通并加载负载电流。
c2 : 短路电流感测（SC 触发）。
c3 : IGBT 栅极硬中断。
c4 : IGBT 关断。
c5 : 输入“LOW”：IGBT 关断状态。
c6 : 输入“HIGH”：IGBT 导通，但是在故障输出有效的时间内，IGBT 不导通。
c7 : IGBT 关断状态。
图13. 短路保护（仅适用于低端工作）
输入/ 输出接口电路
+5 V (for MCU or Control power)
RPF = 10 kΩ
SPM
,
,
IN(UH) IN(VH)
IN(WH)
,
,
IN(UL) IN(VL)
IN(WL)
MCU
VFO
COM
图14. 推荐的MCU I/O 接口电路
注：
®
11. 每个输入端的 RC 耦合（虚线显示部分）可能随着应用程序中使用的 PWM 控制方案和应用程序印刷电路板接线抗阻而改变。Motion SPM 45 产品的输入信号部分集成了典
型值为5 kΩ 的下拉电阻。因此，当使用外部的滤波电阻时，请注意该信号在输入端的压降。
©2011 飞兆半导体公司
FNA41560 / FNA41560B2 Rev. C3
12
www.fairchildsemi.com
HVIC
(26) VB(U)
P (3)
U (4)
VB(U)
CBS
CBS
CBS
CBSC
(25) VS(U)
(20) IN(UH)
VS(U)
OUT(UH)
VS(U)
RS
RS
RS
IN(UH)
VB(V)
Gating UH
Gating VH
Gating WH
(24) VB(V)
CBSC
(23) VS(V)
(19) IN(VH)
VS(V)
OUT(VH)
VS(V)
IN(VH)
V (5)
(22) VB(W)
(21) VS(W)
M
VB(W)
VS(W)
CBSC
(18) IN(WH)
(17) VCC(H)
CDCS
VDC
IN(WH)
VCC
M
C
U
OUT(WH)
VS(W)
+15 V
W (6)
CPS CPS CPS
CSPC15
CSP15
(15) COM
(16) VCC(L)
COM
+5 V
LVIC
VCC
VFO
OUT(UL)
RPF
RSU
NU (7)
NV (8)
NW (9)
CSPC05
CSP05
RS
(11) VFO
Fault
CPF
CBPF
OUT(VL)
RS
(14) IN(UL)
(13) IN(VL)
(12) IN(WL)
RSV
Gating UL
Gating VL
Gating WL
IN(UL)
IN(VL)
IN(WL)
RS
RS
CSC
OUT(WL)
COM
CSC
(10) CSC
(1) VTH
(2) RTH
CPS CPS
CPS
RSW
RF
THERMISTOR
RTH
U-Phase Current
V-Phase Current
W-Phase Current
Input Signal for
Short-Circuit Protection
Temp. Monitoring
图15. 典型应用电路
注：
1) 为了避免故障，每个输入端的连线必须尽可能短（小于2-3cm）。
®
2) 因为Motion SPM 45 产品内部集成了一个具有特殊功能的HVIC 芯片，接口电路与CPU 终端的直接耦合是可行的，不需要任何光耦合器或变压器隔离。
3) V 输出是漏极开路型。此信号线应该用电阻上拉至MCU 或控制电源正极，以使I 达到1mA （请参考图14）。
FO
FO
4) 推荐C
的取值应大于自举电容C 的7 倍左右。
BS
SP15
5) 输入信号为高电平有效。在 IC 中，有一个 5 kΩ 的电阻将每一个输入信号线下拉接地。推荐采用 RC 耦合电路，以避免输入信号波动。R C 时间常数应在50 ~ 150 ns 的范
S
PS
围内进行选择 ( 建议R = 100 Ω, C = 1 nF)。
S
PS
6) 为了防止保护功能出错，R 和C 周围的连线应该尽可能的短。
F
SC
7) 在短路保护电路中，R C 的时间常数应在1.5 ~ 2 μs 的范围内选取。
F
SC
8) 控制GND 线和功率GND 线包括N , N , N 必须连接在同一点上。请不要用宽的模块连接控制GND 线和功率GND 线。同时，控制GND 线和功率GND 线之间的接线距离应
U
V
W
该尽可能的短。
9) 每个电容都应尽可能地靠近Motion SPM 45 产品的引脚安装。
10) 为防止浪涌的破坏，应尽可能缩短滤波电容和P & GND 引脚间的连线。推荐在P 和GND 引脚间使用0.1 ~ 0.22 μF 的高频无感电容。
11) 在各种家用电器设备系统中，几乎都用到了继电器。在这些情况下，MCU 和继电器之间应留有足够的距离。
12) 在每一对控制电源端应该采用齐纳二极管或者瞬态电压抑制器来保护IC 不受浪涌破坏（推荐22 V / 1 W，齐纳阻抗特性低于15 Ω 的齐纳二极管）。
13) 请为C 选择温度特性好的电解电容。同时，为C
选择0.1 ~ 0.2 μF 温度和频率特性好的R- 类陶瓷电容。
BS
BSC
14) 详细信息，请参考AN-9070, AN-9071, AN-9072, RD-344 和RD-345。
©2011 飞兆半导体公司
FNA41560 / FNA41560B2 Rev. C3
13
www.fairchildsemi.com
ON Semiconductor and
are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC dba ON Semiconductor or its subsidiaries in the United States and/or other countries.
ON Semiconductor owns the rights to a number of patents, trademarks, copyrights, trade secrets, and other intellectual property. A listing of ON Semiconductor’s product/patent
coverage may be accessed at www.onsemi.com/site/pdf/Patent−Marking.pdf. ON Semiconductor reserves the right to make changes without further notice to any products herein.
ON Semiconductor makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does ON Semiconductor assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
Buyer is responsible for its products and applications using ON Semiconductor products, including compliance with all laws, regulations and safety requirements or standards,
regardless of any support or applications information provided by ON Semiconductor. “Typical” parameters which may be provided in ON Semiconductor data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer
application by customer’s technical experts. ON Semiconductor does not convey any license under its patent rights nor the rights of others. ON Semiconductor products are not
designed, intended, or authorized for use as a critical component in life support systems or any FDA Class 3 medical devices or medical devices with a same or similar classification
in a foreign jurisdiction or any devices intended for implantation in the human body. Should Buyer purchase or use ON Semiconductor products for any such unintended or unauthorized
application, Buyer shall indemnify and hold ON Semiconductor and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and
expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such
claim alleges that ON Semiconductor was negligent regarding the design or manufacture of the part. ON Semiconductor is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer. This
literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
LITERATURE FULFILLMENT:
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free
USA/Canada
Europe, Middle East and Africa Technical Support:
Phone: 421 33 790 2910
Japan Customer Focus Center
Phone: 81−3−5817−1050
ON Semiconductor Website: www.onsemi.com
Order Literature: http://www.onsemi.com/orderlit
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
19521 E. 32nd Pkwy, Aurora, Colorado 80011 USA
Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303−675−2176 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada
Email: orderlit@onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative
© Semiconductor Components Industries, LLC
www.onsemi.com
相关型号：
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明