SFH4850E7800 [OSRAM]
IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant; IR- Lumineszenzdiode （ 850纳米），麻省理工学院达赫Ausgangsleistung高功率红外发射器（ 850纳米），铅（Pb ）免费产品 - 符合RoHS
| 型号： | SFH4850E7800 |
| 厂家： | 
OSRAM GMBH |
| 描述： | IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant |
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IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung
High Power Infrared Emitter (850 nm)
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
SFH 4850 E7800
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Features
Wesentliche Merkmale
• High Power Infrared LED
• Anode is electrically connected to the case
• Peak wavelength typ. 850 nm
• Very high radiance
• DIN humidity category in acc. with
DIN 40 040 GQG
• Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
• Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
verbunden
• Emissionswellenlänge typ. 850 nm
• Sehr hohe Strahldichte
• Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG
Applications
Anwendungen
• Sensor technology
• Light curtains
• Sensorik
• Lichtgitter
Safety Advices
Sicherheitshinweise
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 and IEC 62471.
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Normen 60825-1 und 62471
behandelt werden.
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
Strahlstärkegruppierung1) (IF = 100 mA, tp = 20 ms)
Radiant Intensity Grouping1)
Ie (mW/sr)
SFH 4850 E7800
Q65110A2093
≥ 4 (typ. 7)
1) gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr / measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr
ATTENTION - Observe Precautions For Handling - Electrostatic Sensitive Device
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SFH 4850 E7800
Grenzwerte (TC = 25 °C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Top , Tstg
– 40 … + 80
°C
Operating and storage temperature range
Sperrspannung
Reverse voltage
VR
5
V
Vorwärtsgleichstrom
Forward current
IF
200
1
mA
A
Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0
Surge current
IFSM
Ptot
Verlustleistung
470
mW
Power dissipation
Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung
Thermal resistance junction - ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht - Gehäuse
Thermal resistance junction - case
RthJA
RthJC
450
160
K/W
K/W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlänge der Strahlung
Wavelength at peak emission
IF = 100 mA
λpeak
850
nm
Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax
Spectral bandwidth at 50% of Imax
IF = 100 mA
∆λ
35
nm
Abstrahlwinkel
Half angle
ϕ
± 23
Grad
deg.
Aktive Chipfläche
Active chip area
0.09
mm2
mm²
ns
A
Abmessungen der aktiven Chipfläche
Dimension of the active chip area
L × B
L × W
0.3 × 0.3
12
Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% tr, tf
auf 10%, bei IF = 100 mA, RL = 50 Ω
Switching times, Ιe from 10% to 90% and from
90% to 10%, IF = 100 mA, RL = 50 Ω
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SFH 4850 E7800
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Durchlassspannung
Forward voltage
IF = 100 mA, tp = 20 ms
IF = 1 A, tp = 100 µs
VF
VF
1.5 (< 1.8)
2.4 (< 3.0)
V
V
Sperrstrom
Reverse current
VR = 5 V
IR
not designed for µA
reverse
operation
Gesamtstrahlungsfluss
Total radiant flux
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Φe typ
TCI
50
mW
Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe,
IF = 100 mA
– 0.5
%/K
Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA
Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA
Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA
TCV
TCλ
– 0.7
+ 0.2
mV/K
nm/K
Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA
Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA
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3
SFH 4850 E7800
Strahlstärke Ie in Achsrichtung1)
gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr
Radiant Intensity Ie in Axial Direction
at a solid angle of Ω = 0.01 sr
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
SFH 4850 E7800 -P
SFH 4850 E7800 -Q
Strahlstärke
Radiant intensity
IF = 100 mA, tp = 20 ms
Ie min
Ie max
4
8
6.3
12.5
mW/sr
mW/sr
Strahlstärke
Ie typ
45
55
mW/sr
Radiant intensity
IF = 1 A, tp = 100 µs
1) Nur eine Gruppe in einer Verpackungseinheit (Streuung kleiner 2:1)
Die Messung der Strahlstärke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser
der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehäuserückseite: 4,0 mm). Dadurch wird sichergestellt, dass
bei der Strahlstärkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der
Chipoberfläche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen
nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberfläche über Zusatzoptiken
störend (z.B. Lichtschranken großer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen
ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses der Anwendung entsprechende Messverfahren ergibt sich für
die Anwender eine besser verwertbare Größe. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag
„E 7800“, der an die Typenbezeichnung angehängt ist.
1)
Only one group in one packing unit, (variation lower 2:1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter
of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4.0 mm). This ensures that solely the radiation
in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant
intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair
the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the
application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring
procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted
by ’E 7800’ added to the type designation.
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SFH 4850 E7800
Ie
= f (IF)
Relative Spectral Emission
Irel = f (λ)
Radiant Intensity
Max. Permissible Forward Current
IF = f (TA)
Ie 100 mA
Single pulse, tp = 20 µs
OHF02644
OHL01714
OHL01715
100
%
101
250
Ie
mA
IF
Ie (100 mA)
Irel
80
60
40
20
0
200
100
5
RthJC = 160 K/W
150
100
50
10-1
5
RthJA = 450 K/W
10-2
5
10-3
100
5
101
5
102
103
mA
IF
700
750
800
850
nm 950
0
λ
0
20
40
60
80 ˚C 100
T
Forward Current IF = f (VF)
Single pulse, tp = 20 µs
Permissible Pulse Handling
Capability IF = f (τ), TC = 25 °C,
duty cycle D = parameter
OHF02645
104
mA
tP
OHL01713
100
tP
IF
IF
D
= T
A
IF
T
D
=
10-1
5
0.005
0.01
0.02
0.05
103
102
101
0.1
0.2
10-2
5
0.5
1
10-3
5
10-4
0
0.5
1
1.5
2
2.5 V 3
VF
10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 s 102
tp
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5
SFH 4850 E7800
Maßzeichnung
Package Outlines
Chip position
2.7 (0.106)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
ø0.45 (0.018)
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
1
2
14.5 (0.571)
12.5 (0.492)
3.6 (0.142)
3.0 (0.118)
ø5.5 (0.217)
ø5.2 (0.205)
GETY6625
Maße in mm (inch) / Dimensions in mm (inch).
Gehäuse / Package
18 A3 DIN 41870 (TO-18), Bodenplatte, klares Epoxy-Gießharz, Anschlüsse im
2.54-mm-Raster (1/10“)
18 A3 DIN 41870 (TO-18), clear epoxy resin,
lead spacing 2.54-mm(1/10“)
Anschlussbelegung
Pin configuration
1 = Kathode / cathode
2 = Anode / anode
Abstrahlcharakteristik
Radiation Characteristics Irel = f (ϕ)
40
30
20
10
0
OHR01457
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
50
60
70
80
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
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SFH 4850 E7800
Lötbedingungen
Soldering Conditions
Wellenlöten (TTW)
TTW Soldering
(nach CECC 00802)
(acc. to CECC 00802)
OHLY0598
300
C
10 s
Normalkurve
standard curve
250
200
150
100
50
T
235 C ... 260 C
Grenzkurven
limit curves
2. Welle
2. wave
1. Welle
1. wave
ca 200 K/s
2 K/s
5 K/s
100 C ... 130 C
Zwangskühlung
forced cooling
2 K/s
0
0
50
100
150
200
s
250
t
Published by
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Wernerwerkstrasse 2, D-93049 Regensburg
www.osram-os.com
© All Rights Reserved.
The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain
dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office.
By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing
material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs
incurred.
Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical
components 1 , may only be used in life-support devices or systems 2 with the express written approval of OSRAM OS.
1 A critical component is a component usedin a life-support device or system whose failure can reasonably be expected
to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or effectiveness of that device or system.
2 Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain
and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health of the user may be endangered.
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