RSS070P05 [ROHM]
4V Drive Pch MOS FET; 4V驱动P沟道MOS FET
| 型号： | RSS070P05 |
| 厂家： | 
ROHM |
| 描述： | 4V Drive Pch MOS FET |
| 文件： | 总4页 (文件大小：87K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
RSS070P05
Transistor
Electrical characteristics (Ta=25 C)
п®¿³»¬»®
ͧ³¾±´
Ó·²ò ̧°ò Ó¿¨ò ˲·¬
ݱ²¼·¬·±²•
ÊÙÍãoîðÊô ÊÜÍãðÊ
×Üã –ï³ßô ÊÙÍãðÊ
ÊÜÍã –ìëÊô ÊÙÍãðÊ
ÊÜÍã –ïðÊô ×Üã –ï³ß
×Üã –éßô ÊÙÍã –ïðÊ
×Üã –éßô ÊÙÍã –ìòëÊ
×Üã –éßô ÊÙÍã –ìòðÊ
ÊÜÍã –ïðÊô ×Üã –éß
ÊÜÍã –ïðÊ
Ù¿¬»ó•±«®½» ´»¿µ¿¹»
×
–
–
–
oïð
–
kß
Ê
ÙÍÍ
Ü®¿·²ó•±«®½» ¾®»¿µ¼±©² ª±´¬¿¹» ÊøÞÎ÷ ÜÍÍ –ìë
Æ»®± ¹¿¬» ª±´¬¿¹» ¼®¿·² ½«®®»²¬
Ù¿¬» ¬¸®»•¸±´¼ ª±´¬¿¹»
×
–
–
–ï
–îòë
îé
íë
íç
–
kß
Ê
ÜÍÍ
ÊÙÍ ø¬¸÷ –ïòð
–
–
ïç
îë
îè
–
³
ͬ¿¬·½ ¼®¿·²ó•±«®½» ±²ó•¬¿¬»
®»•·•¬¿²½»
ÎÜÍ ø±²÷
–
–
³
³
Ú±®©¿®¼ ¬®¿²•º»® ¿¼³·¬¬¿²½»
ײ°«¬ ½¿°¿½·¬¿²½»
Ñ«¬°«¬ ½¿°¿½·¬¿²½»
못®•» ¬®¿²•º»® ½¿°¿½·¬¿²½»
Ì«®²ó±² ¼»´¿§ ¬·³»
η•» ¬·³»
Ǻ•
Ý·••
ݱ••
Ý®••
ïðòð
–
Í
ìïðð
ëïð
ííð
íï
íë
ïíë
ëð
–
°Ú
°Ú
°Ú
²•
²•
²•
²•
²Ý
–
–
ÊÙÍãðÊ
–
–
ºãïÓئ
¬
–
–
ÊÜÜ –îëÊ
×Üã –íòëß
ÊÙÍã –ïðÊ
ÎÔã–é
¼ ø±²÷
¨
–
–
Ì«®²ó±ºº ¼»´¿§ ¬·³»
Ú¿´´ ¬·³»
¬
–
–
¼ ø±ºº÷
¬
–
–
ÎÙãïð
º
̱¬¿´ ¹¿¬» ½¸¿®¹»
Ù¿¬»ó•±«®½» ½¸¿®¹»
Ï
Ï
–
íìòð ìéòê
¹
ÊÙÍã –ëÊ
ÊÜÜ –îëÊ
–
çòë
ïî
–
–
²Ý ×Üã –éß
ÎÔãíòë
²Ý
¹•
¹¼
ÎÙãïð
Ù¿¬»ó¼®¿·² ½¸¿®¹»
Ы´•»¼
Ï
–
Body diode characteristics(Source-Drain)
п®¿³»¬»®
Ú±®©¿®¼ ª±´¬¿¹»
ͧ³¾±´
Ó·²ò ̧°ò Ó¿¨ò ˲·¬
–ïòî
ݱ²¼·¬·±²•
ÊÍÜ
–
–
Ê
×Íã –éßô ÊÙÍãðÊ
Ы´•»¼
2/4
RSS070P05
Transistor
Electrical characteristic curves
10
1000
100
10
1000
100
10
VDS= -10V
pulsed
Ta=125oC
75oC
25oC
-25oC
VGS= -4.5V
pulsed
Ta=125oC
75oC
VGS= -10V
pulsed
25oC
-25oC
Ta=125oC
1
75oC
25oC
-25oC
0.1
1
0.01
1
0.01
0.1
1
10
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.01
0.1
1
10
Drain Current : -ID [A]
Gate-Source Voltage : -VGS [V]
Drain Current : -ID [A]
Fig.2 Static Drain-Source On-State
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
Fig.3 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Drain Current (2)
Resistance vs. Drain Current (1)
200
150
100
50
1000
10
Ta=25oC
pulsed
VGS=0V
pulsed
Ta=125oC
VGS= -4V
75oC
pulsed
25oC
-25oC
Ta=125oC
75oC
25oC
-25oC
100
1
ID= -7.0A
10
0.1
ID= -3.5A
1
0
0.01
0.01
0.1
1
10
0
5
10
15
0.0
0.5
1.0
1.5
Drain Current : -ID [A]
Gate-Source Voltage : -VGS [V]
Source-Drain Voltage : -VSD [V]
Fig.4 Static Drain-Source On-State
Fig.5 Static Drain-Source
Fig.6 Source-Current vs.
Source-Drain Voltage
Resistance vs. Drain Current (3)
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
10000
1000
100
10000
1000
100
10
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
Ta=25oC
VDD= -25V
Ta=25oC
VDD= -25V
ID= -7.0A
RG=10
VGS= -10V
Ciss
tf
RG=10
Pulsed
Pulsed
Coss
Crss
td(off)
td(on)
Ta=25oC
f=1MHz
VGS=0V
tr
10
1
0.1
1
10
100
0
10 20 30 40 50 60 70
0.01
0.1
1
10
Drain-Source Voltage : -VDS [V]
Total Gate Charge : Qg [nC]
Drain Current : -ID [A]
Fig.8 Switching Characteristics
Fig.7 Typical capacitance vs.
Source-Drain Voltage
Fig.9 Dynamic Input Characteristics
3/4
RSS070P05
Transistor
Measurement circuits
ÊÙÍ
×Ü
ÊÙÍ
ïðû
ÊÜÍ
çðû
ÎÔ
çðû
ïðû
çðû
ïðû
ÜòËòÌò
ÎÙ
ÊÜÜ
ÊÜÍ
¬¼ø±²÷
¬¼ø±ºº÷
¨
¨
¬±²
¬±ºº
Ú·¹òïï Í©·¬½¸·²¹ Ì·³» É¿ª»º±®³•
Ú·¹òïð Í©·¬½¸·²¹ Ì·³» Ì»•¬ Ý·®½«·¬
ÊÙ
ÊÙÍ
×Ü
ÊÜÍ
Ϲ
ÎÔ
ÊÙÍ
×Ù øݱ²•¬ò÷
ÜòËòÌò
Ϲ•
Ϲ¼
ÎÙ
ÊÜÜ
ݸ¿®¹»
Ú·¹òïî Ù¿¬» ݸ¿®¹» Ì»•¬ Ý·®½«·¬
Ú·¹òïí Ù¿¬» ݸ¿®¹» É¿ª»º±®³
4/4
Appendix
Ò±¬»•
Ò± ¬»½¸²·½¿´ ½±²¬»²¬ °¿¹»• ±º ¬¸·• ¼±½«³»²¬ ³¿§ ¾» ®»°®±¼«½»¼ ·² ¿²§ º±®³ ±® ¬®¿²•³·¬¬»¼ ¾§ ¿²§
³»¿²• ©·¬¸±«¬ °®·±® °»®³·••·±² ±º ÎÑØÓ ÝÑòôÔÌÜò
̸» ½±²¬»²¬• ¼»•½®·¾»¼ ¸»®»·² ¿®» •«¾¶»½¬ ¬± ½¸¿²¹» ©·¬¸±«¬ ²±¬·½»ò ̸» •°»½·º·½¿¬·±²• º±® ¬¸»
°®±¼«½¬ ¼»•½®·¾»¼ ·² ¬¸·• ¼±½«³»²¬ ¿®» º±® ®»º»®»²½» ±²´§ò Ë°±² ¿½¬«¿´ «•»ô ¬¸»®»º±®»ô °´»¿•» ®»¯«»•¬
¬¸¿¬ •°»½·º·½¿¬·±²• ¬± ¾» •»°¿®¿¬»´§ ¼»´·ª»®»¼ò
ß°°´·½¿¬·±² ½·®½«·¬ ¼·¿¹®¿³• ¿²¼ ½·®½«·¬ ½±²•¬¿²¬• ½±²¬¿·²»¼ ¸»®»·² ¿®» •¸±©² ¿• »¨¿³°´»• ±º •¬¿²¼¿®¼
«•» ¿²¼ ±°»®¿¬·±²ò д»¿•» °¿§ ½¿®»º«´ ¿¬¬»²¬·±² ¬± ¬¸» °»®·°¸»®¿´ ½±²¼·¬·±²• ©¸»² ¼»•·¹²·²¹ ½·®½«·¬•
¿²¼ ¼»½·¼·²¹ «°±² ½·®½«·¬ ½±²•¬¿²¬• ·² ¬¸» •»¬ò
ß²§ ¼¿¬¿ô ·²½´«¼·²¹ô ¾«¬ ²±¬ ´·³·¬»¼ ¬± ¿°°´·½¿¬·±² ½·®½«·¬ ¼·¿¹®¿³• ·²º±®³¿¬·±²ô ¼»•½®·¾»¼ ¸»®»·²
¿®» ·²¬»²¼»¼ ±²´§ ¿• ·´´«•¬®¿¬·±²• ±º •«½¸ ¼»ª·½»• ¿²¼ ²±¬ ¿• ¬¸» •°»½·º·½¿¬·±²• º±® •«½¸ ¼»ª·½»•ò ÎÑØÓ
ÝÑòôÔÌÜò ¼·•½´¿·³• ¿²§ ©¿®®¿²¬§ ¬¸¿¬ ¿²§ «•» ±º •«½¸ ¼»ª·½»• •¸¿´´ ¾» º®»» º®±³ ·²º®·²¹»³»²¬ ±º ¿²§
¬¸·®¼ °¿®¬§ù• ·²¬»´´»½¬«¿´ °®±°»®¬§ ®·¹¸¬• ±® ±¬¸»® °®±°®·»¬¿®§ ®·¹¸¬•ô ¿²¼ º«®¬¸»®ô ¿••«³»• ²± ´·¿¾·´·¬§ ±º
©¸¿¬•±»ª»® ²¿¬«®» ·² ¬¸» »ª»²¬ ±º ¿²§ •«½¸ ·²º®·²¹»³»²¬ô ±® ¿®·•·²¹ º®±³ ±® ½±²²»½¬»¼ ©·¬¸ ±® ®»´¿¬»¼
¬± ¬¸» «•» ±º •«½¸ ¼»ª·½»•ò
Ë°±² ¬¸» •¿´» ±º ¿²§ •«½¸ ¼»ª·½»•ô ±¬¸»® ¬¸¿² º±® ¾«§»®ù• ®·¹¸¬ ¬± «•» •«½¸ ¼»ª·½»• ·¬•»´ºô ®»•»´´ ±®
±¬¸»®©·•» ¼·•°±•» ±º ¬¸» •¿³»ô ²± »¨°®»•• ±® ·³°´·»¼ ®·¹¸¬ ±® ´·½»²•» ¬± °®¿½¬·½» ±® ½±³³»®½·¿´´§
»¨°´±·¬ ¿²§ ·²¬»´´»½¬«¿´ °®±°»®¬§ ®·¹¸¬• ±® ±¬¸»® °®±°®·»¬¿®§ ®·¹¸¬• ±©²»¼ ±® ½±²¬®±´´»¼ ¾§
ÎÑØÓ ÝÑòô ÔÌÜò ·• ¹®¿²¬»¼ ¬± ¿²§ •«½¸ ¾«§»®ò
Ю±¼«½¬• ´·•¬»¼ ·² ¬¸·• ¼±½«³»²¬ ¿®» ²± ¿²¬·®¿¼·¿¬·±² ¼»•·¹²ò
̸» °®±¼«½¬• ´·•¬»¼ ·² ¬¸·• ¼±½«³»²¬ ¿®» ¼»•·¹²»¼ ¬± ¾» «•»¼ ©·¬¸ ±®¼·²¿®§ »´»½¬®±²·½ »¯«·°³»²¬ ±® ¼»ª·½»•
ø•«½¸ ¿• ¿«¼·± ª·•«¿´ »¯«·°³»²¬ô ±ºº·½»ó¿«¬±³¿¬·±² »¯«·°³»²¬ô ½±³³«²·½¿¬·±²• ¼»ª·½»•ô »´»½¬®·½¿´
¿°°´·¿²½»• ¿²¼ »´»½¬®±²·½ ¬±§•÷ò
͸±«´¼ §±« ·²¬»²¼ ¬± «•» ¬¸»•» °®±¼«½¬• ©·¬¸ »¯«·°³»²¬ ±® ¼»ª·½»• ©¸·½¸ ®»¯«·®» ¿² »¨¬®»³»´§ ¸·¹¸ ´»ª»´ ±º
®»´·¿¾·´·¬§ ¿²¼ ¬¸» ³¿´º«²½¬·±² ±º ©·¬¸ ©±«´¼ ¼·®»½¬´§ »²¼¿²¹»® ¸«³¿² ´·º» ø•«½¸ ¿• ³»¼·½¿´ ·²•¬®«³»²¬•ô
¬®¿²•°±®¬¿¬·±² »¯«·°³»²¬ô ¿»®±•°¿½» ³¿½¸·²»®§ô ²«½´»¿®ó®»¿½¬±® ½±²¬®±´´»®•ô º«»´ ½±²¬®±´´»®• ¿²¼ ±¬¸»®
•¿º»¬§ ¼»ª·½»•÷ô °´»¿•» ¾» •«®» ¬± ½±²•«´¬ ©·¬¸ ±«® •¿´»• ®»°®»•»²¬¿¬·ª» ·² ¿¼ª¿²½»ò
ß¾±«¬ Û¨°±®¬ ݱ²¬®±´ Ñ®¼»® ·² Ö¿°¿²
Ю±¼«½¬• ¼»•½®·¾»¼ ¸»®»·² ¿®» ¬¸» ±¾¶»½¬• ±º ½±²¬®±´´»¼ ¹±±¼• ·² ß²²»¨ ï ø׬»³ ïê÷ ±º Û¨°±®¬ Ì®¿¼» ݱ²¬®±´
Ñ®¼»® ·² Ö¿°¿²ò
ײ ½¿•» ±º »¨°±®¬ º®±³ Ö¿°¿²ô °´»¿•» ½±²º·®³ ·º ·¬ ¿°°´·»• ¬± þ±¾¶»½¬·ª»þ ½®·¬»®·¿ ±® ¿² þ·²º±®³»¼þ ø¾§ Ó×Ì× ½´¿«•»÷
±² ¬¸» ¾¿•·• ±º þ½¿¬½¸ ¿´´ ½±²¬®±´• º±® Ò±²óЮ±´·º»®¿¬·±² ±º É»¿°±²• ±º Ó¿•• Ü»•¬®«½¬·±²ò
Appendix1-Rev1.1
相关型号：
RSS075P03TB
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
ROHM
RSS090N03TB
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
ROHM
RSS090P03TB
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8
ROHM
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明