US6M2 [ROHM]
2.5 Drive Nch+Pch MOS FET; 2.5驱动N沟道+ P沟道MOS FET
| 型号： | US6M2 |
| 厂家： | 
ROHM |
| 描述： | 2.5 Drive Nch+Pch MOS FET |
| 文件： | 总4页 (文件大小：53K) |
| 中文： | 中文翻译 | 下载： | 下载PDF数据表文档文件 |
US6M2
Transistors
2.5V Drive Nch+Pch MOS FET
US6M2
Structure
External dimensions (Unit : mm)
Silicon N-channel MOS FET /
Silicon P-channel MOS FET
ÌËÓÌê
îòð
ïòí
ðòèëÓ¿¨ò
ðòéé
ðòêë ðòêë
øë÷
øê÷
øï÷
øì÷
Features
ð¢ðòï
1) Nch MOS FET and Pch MOS FET are put in TUMT6 package.
2) High-speed switching, low On-resistance.
3) Low voltage drive (2.5V drive).
øî÷ øí÷
ðòí
ðòïé
4) Built-in G-S Protection Diode.
ß¾¾®»ª·¿¬»¼ •§³¾±´ æ Óðî
Applications
Switching
Packaging specifications
Inner circuit
øê÷
øë÷
øì÷
п½µ¿¹»
Ì¿°·²¹
ÌÎ
̧°»
ݱ¼»
ï
Þ¿•·½ ±®¼»®·²¹ «²·¬ ø°·»½»•÷
íððð
î
ËÍêÓî
î
ï
øï÷ Ì®ï øÒ½¸÷ ͱ«®½»
øî÷ Ì®ï øÒ½¸÷ Ù¿¬»
øí÷ Ì®î øн¸÷ Ü®¿·²
øì÷ Ì®î øн¸÷ ͱ«®½»
øë÷ Ì®î øн¸÷ Ù¿¬»
øê÷ Ì®ï øÒ½¸÷ Ü®¿·²
øï÷
øî÷
øí÷
ï ÛÍÜ ÐÎÑÌÛÝÌ×ÑÒ Ü×ÑÜÛ
î ÞÑÜÇ Ü×ÑÜÛ
Absolute maximum ratings (Ta=25 C)
Ô·³·¬•
Ì®ï æ Ò½¸¿²²»´ Ì®î æ н¸¿²²»´
п®¿³»¬»®
ͧ³¾±´
˲·¬
Ü®¿·²ó•±«®½» ª±´¬¿¹»
Ù¿¬»ó•±«®½» ª±´¬¿¹»
ÊÜÍÍ
ÊÙÍÍ
íð
ïî
–îð
–ïî
oï
Ê
Ê
×
Ü
oïòë
oê
ß
ݱ²¬·²«±«•
Ы´•»¼
Ü®¿·² ½«®®»²¬
ï
×
ÜÐ
oì
ß
×
ðòê
ê
–ðòì
–ì
ß
ݱ²¬·²«±«•
Ы´•»¼
Í
ͱ«®½» ½«®®»²¬
øÞ±¼§ ¼·±¼»÷
ï
î
×
ÍÐ
ß
É ñ ÌÑÌßÔ
É ñ ÛÔÛÓÛÒÌ
pÝ
ïòð
ðòé
̱¬¿´ °±©»® ¼·••·°¿¬·±²
ݸ¿²²»´ ¬»³°»®¿¬«®»
ÐÜ
̽¸
ïëð
ͬ±®¿¹» ¬»³°»®¿¬«®»
Ì•¬¹
–ëë ¬± õïëð
pÝ
ï Щ ïðk•ô Ü«¬§ ½§½´» ïû
î Ó±«²¬»¼ ±² ¿ ½»®¿³·½ ¾±¿®¼ò
Thermal resistance
п®¿³»¬»®
ͧ³¾±´
Ô·³·¬•
ïîë
˲·¬
pÝñÉ ñ ÌÑÌßÔ
pÝñÉ ñ ÛÔÛÓÛÒÌ
ݸ¿²²»´ ¬± ¿³¾·»²¬
ά¸ø½¸ó¿÷
ïéç
Ó±«²¬»¼ ±² ¿ ½»®¿³·½ ¾±¿®¼
1/3
US6M2
Transistors
N-ch
Electrical characteristics (Ta=25 C)
п®¿³»¬»®
ͧ³¾±´ Ó·²ò ̧°ò Ó¿¨ò
ݱ²¼·¬·±²•
ÊÙÍãïîÊô ÊÜÍãðÊ
˲·¬
kß
Ê
Ù¿¬»ó•±«®½» ´»¿µ¿¹»
×
–
–
–
ïð
–
ÙÍÍ
Ü®¿·²ó•±«®½» ¾®»¿µ¼±©² ª±´¬¿¹» ÊøÞÎ÷ ÜÍÍ íð
×Üã ï³ßô ÊÙÍãðÊ
ÊÜÍã íðÊô ÊÙÍãðÊ
ÊÜÍã ïðÊô ×Üã ï³ß
×Üã ïòëßô ÊÙÍã ìòëÊ
×Üã ïòëßô ÊÙÍã ìÊ
×Üã ïòëßô ÊÙÍã îòëÊ
ÊÜÍã ïðÊô ×Üã ïòëß
ÊÜÍã ïðÊ
Æ»®± ¹¿¬» ª±´¬¿¹» ¼®¿·² ½«®®»²¬
Ù¿¬» ¬¸®»•¸±´¼ ª±´¬¿¹»
×
–
ðòë
–
–
ï
kß
Ê
ÜÍÍ
ÊÙÍ ø¬¸÷
–
ïòë
îìð
îëð
íìð
–
ïéð
ïèð
îìð
–
³
ͬ¿¬·½ ¼®¿·²ó•±«®½» ±²ó•¬¿¬»
®»•·•¬¿²½»
ÎÜÍ ø±²÷
–
³
–
³
Ú±®©¿®¼ ¬®¿²•º»® ¿¼³·¬¬¿²½»
ײ°«¬ ½¿°¿½·¬¿²½»
Ñ«¬°«¬ ½¿°¿½·¬¿²½»
못®•» ¬®¿²•º»® ½¿°¿½·¬¿²½»
Ì«®²ó±² ¼»´¿§ ¬·³»
η•» ¬·³»
Ǻ•
Ý·••
ݱ••
Ý®••
ïòë
–
Í
èð
ïí
ïî
é
–
°Ú
°Ú
°Ú
²•
²•
²•
²•
–
–
ÊÙÍãðÊ
–
–
ºãïÓئ
¬
–
–
ÊÜÜ ïëÊ
×Üã ðòéëß
ÊÙÍã ìòëÊ
ÎÔã îð
¼ ø±²÷
¨
–
ç
–
Ì«®²ó±ºº ¼»´¿§ ¬·³»
Ú¿´´ ¬·³»
¬
–
ïë
ê
–
¼ ø±ºº÷
¬
–
–
ÎÙãïð
º
̱¬¿´ ¹¿¬» ½¸¿®¹»
Ù¿¬»ó•±«®½» ½¸¿®¹»
Ï
–
ïòê
ðòë
ðòí
îòî
–
²Ý ÊÜÜ ïëÊô ÊÙÍã ìòëÊ
²Ý ×Üã ïòëß
¹
Ï
–
¹•
Ù¿¬»ó¼®¿·² ½¸¿®¹»
Ы´•»¼
Ï
–
–
²Ý ÎÔã ïð ÎÙã ïð
¹¼
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 C)
п®¿³»¬»® ͧ³¾±´
Ú±®©¿®¼ ª±´¬¿¹»
Ó·²ò ̧°ò Ó¿¨ò ˲·¬
ïòî
ݱ²¼·¬·±²•
×Íã ðòêßô ÊÙÍãðÊ
ÊÍÜ
–
–
Ê
2/3
US6M2
Transistors
P-ch
Electrical characteristics (Ta=25 C)
п®¿³»¬»®
ͧ³¾±´ Ó·²ò ̧°ò Ó¿¨ò
ݱ²¼·¬·±²•
ÊÙÍã –ïîÊô ÊÜÍãðÊ
×Üã –ï³ßô ÊÙÍãðÊ
ÊÜÍã –îðÊô ÊÙÍãðÊ
ÊÜÍã –ïðÊô ×Üã –ï³ß
×Üã –ïßô ÊÙÍã –ìòëÊ
×Üã –ïßô ÊÙÍã –ìÊ
×Üã –ðòëßô ÊÙÍã –îòëÊ
ÊÜÍã –ïðÊô ×Üã –ðòëß
ÊÜÍã –ïðÊ
˲·¬
kß
Ê
Ù¿¬»ó•±«®½» ´»¿µ¿¹»
×
–
–
–
ïð
–
ÙÍÍ
Ü®¿·²ó•±«®½» ¾®»¿µ¼±©² ª±´¬¿¹» ÊøÞÎ÷ ÜÍÍ –îð
Æ»®± ¹¿¬» ª±´¬¿¹» ¼®¿·² ½«®®»²¬
Ù¿¬» ¬¸®»•¸±´¼ ª±´¬¿¹»
×
–
–
–ï
–îòð
íçð
ìíð
èðð
–
kß
Ê
ÜÍÍ
ÊÙÍ ø¬¸÷ –ðòé
–
–
îèð
íïð
ëéð
–
³
ͬ¿¬·½ ¼®¿·²ó•±«®½» ±²ó•¬¿¬»
®»•·•¬¿²½»
ÎÜÍ ø±²÷
–
–
³
³
Ú±®©¿®¼ ¬®¿²•º»® ¿¼³·¬¬¿²½»
ײ°«¬ ½¿°¿½·¬¿²½»
Ñ«¬°«¬ ½¿°¿½·¬¿²½»
못®•» ¬®¿²•º»® ½¿°¿½·¬¿²½»
Ì«®²ó±² ¼»´¿§ ¬·³»
η•» ¬·³»
Ǻ•
Ý·••
ݱ••
Ý®••
ðòé
–
Í
ïëð
îð
îð
ç
–
°Ú
°Ú
°Ú
²•
²•
²•
²•
–
–
ÊÙÍã ðÊ
–
–
ºãïÓئ
¬
–
–
ÊÜÜ –ïëÊ
×Üã –ðòëß
ÊÙÍã –ìòëÊ
ÎÔã íð
¼ ø±²÷
¨
–
è
–
Ì«®²ó±ºº ¼»´¿§ ¬·³»
Ú¿´´ ¬·³»
¬
–
îë
ïð
îòï
ðòë
ðòë
–
¼ ø±ºº÷
¬
–
–
ÎÙã ïð
º
̱¬¿´ ¹¿¬» ½¸¿®¹»
Ù¿¬»ó•±«®½» ½¸¿®¹»
Ï
–
–
²Ý ÊÜÜ –ïëÊô ÊÙÍã –ìòëÊ
²Ý ×Üã –ïß
¹
Ï
–
–
¹•
Ù¿¬»ó¼®¿·² ½¸¿®¹»
Ы´•»¼
Ï
–
–
²Ý ÎÔã ïë ÎÙã ïð
¹¼
Body diode characteristics (Source-drain) (Ta=25 C)
п®¿³»¬»® ͧ³¾±´
Ú±®©¿®¼ ª±´¬¿¹»
Ó·²ò ̧°ò Ó¿¨ò ˲·¬
–ïòî
ݱ²¼·¬·±²•
ÊÍÜ
–
–
Ê
×Íã –ðòìßô ÊÙÍãðÊ
3/3
Appendix
Ò±¬»•
Ò± ¬»½¸²·½¿´ ½±²¬»²¬ °¿¹»• ±º ¬¸·• ¼±½«³»²¬ ³¿§ ¾» ®»°®±¼«½»¼ ·² ¿²§ º±®³ ±® ¬®¿²•³·¬¬»¼ ¾§ ¿²§
³»¿²• ©·¬¸±«¬ °®·±® °»®³·••·±² ±º ÎÑØÓ ÝÑòôÔÌÜò
̸» ½±²¬»²¬• ¼»•½®·¾»¼ ¸»®»·² ¿®» •«¾¶»½¬ ¬± ½¸¿²¹» ©·¬¸±«¬ ²±¬·½»ò ̸» •°»½·º·½¿¬·±²• º±® ¬¸»
°®±¼«½¬ ¼»•½®·¾»¼ ·² ¬¸·• ¼±½«³»²¬ ¿®» º±® ®»º»®»²½» ±²´§ò Ë°±² ¿½¬«¿´ «•»ô ¬¸»®»º±®»ô °´»¿•» ®»¯«»•¬
¬¸¿¬ •°»½·º·½¿¬·±²• ¬± ¾» •»°¿®¿¬»´§ ¼»´·ª»®»¼ò
ß°°´·½¿¬·±² ½·®½«·¬ ¼·¿¹®¿³• ¿²¼ ½·®½«·¬ ½±²•¬¿²¬• ½±²¬¿·²»¼ ¸»®»·² ¿®» •¸±©² ¿• »¨¿³°´»• ±º •¬¿²¼¿®¼
«•» ¿²¼ ±°»®¿¬·±²ò д»¿•» °¿§ ½¿®»º«´ ¿¬¬»²¬·±² ¬± ¬¸» °»®·°¸»®¿´ ½±²¼·¬·±²• ©¸»² ¼»•·¹²·²¹ ½·®½«·¬•
¿²¼ ¼»½·¼·²¹ «°±² ½·®½«·¬ ½±²•¬¿²¬• ·² ¬¸» •»¬ò
ß²§ ¼¿¬¿ô ·²½´«¼·²¹ô ¾«¬ ²±¬ ´·³·¬»¼ ¬± ¿°°´·½¿¬·±² ½·®½«·¬ ¼·¿¹®¿³• ·²º±®³¿¬·±²ô ¼»•½®·¾»¼ ¸»®»·²
¿®» ·²¬»²¼»¼ ±²´§ ¿• ·´´«•¬®¿¬·±²• ±º •«½¸ ¼»ª·½»• ¿²¼ ²±¬ ¿• ¬¸» •°»½·º·½¿¬·±²• º±® •«½¸ ¼»ª·½»•ò ÎÑØÓ
ÝÑòôÔÌÜò ¼·•½´¿·³• ¿²§ ©¿®®¿²¬§ ¬¸¿¬ ¿²§ «•» ±º •«½¸ ¼»ª·½»• •¸¿´´ ¾» º®»» º®±³ ·²º®·²¹»³»²¬ ±º ¿²§
¬¸·®¼ °¿®¬§ù• ·²¬»´´»½¬«¿´ °®±°»®¬§ ®·¹¸¬• ±® ±¬¸»® °®±°®·»¬¿®§ ®·¹¸¬•ô ¿²¼ º«®¬¸»®ô ¿••«³»• ²± ´·¿¾·´·¬§ ±º
©¸¿¬•±»ª»® ²¿¬«®» ·² ¬¸» »ª»²¬ ±º ¿²§ •«½¸ ·²º®·²¹»³»²¬ô ±® ¿®·•·²¹ º®±³ ±® ½±²²»½¬»¼ ©·¬¸ ±® ®»´¿¬»¼
¬± ¬¸» «•» ±º •«½¸ ¼»ª·½»•ò
Ë°±² ¬¸» •¿´» ±º ¿²§ •«½¸ ¼»ª·½»•ô ±¬¸»® ¬¸¿² º±® ¾«§»®ù• ®·¹¸¬ ¬± «•» •«½¸ ¼»ª·½»• ·¬•»´ºô ®»•»´´ ±®
±¬¸»®©·•» ¼·•°±•» ±º ¬¸» •¿³»ô ²± »¨°®»•• ±® ·³°´·»¼ ®·¹¸¬ ±® ´·½»²•» ¬± °®¿½¬·½» ±® ½±³³»®½·¿´´§
»¨°´±·¬ ¿²§ ·²¬»´´»½¬«¿´ °®±°»®¬§ ®·¹¸¬• ±® ±¬¸»® °®±°®·»¬¿®§ ®·¹¸¬• ±©²»¼ ±® ½±²¬®±´´»¼ ¾§
ÎÑØÓ ÝÑòô ÔÌÜò ·• ¹®¿²¬»¼ ¬± ¿²§ •«½¸ ¾«§»®ò
Ю±¼«½¬• ´·•¬»¼ ·² ¬¸·• ¼±½«³»²¬ ¿®» ²± ¿²¬·®¿¼·¿¬·±² ¼»•·¹²ò
̸» °®±¼«½¬• ´·•¬»¼ ·² ¬¸·• ¼±½«³»²¬ ¿®» ¼»•·¹²»¼ ¬± ¾» «•»¼ ©·¬¸ ±®¼·²¿®§ »´»½¬®±²·½ »¯«·°³»²¬ ±® ¼»ª·½»•
ø•«½¸ ¿• ¿«¼·± ª·•«¿´ »¯«·°³»²¬ô ±ºº·½»ó¿«¬±³¿¬·±² »¯«·°³»²¬ô ½±³³«²·½¿¬·±²• ¼»ª·½»•ô »´»½¬®·½¿´
¿°°´·¿²½»• ¿²¼ »´»½¬®±²·½ ¬±§•÷ò
͸±«´¼ §±« ·²¬»²¼ ¬± «•» ¬¸»•» °®±¼«½¬• ©·¬¸ »¯«·°³»²¬ ±® ¼»ª·½»• ©¸·½¸ ®»¯«·®» ¿² »¨¬®»³»´§ ¸·¹¸ ´»ª»´ ±º
®»´·¿¾·´·¬§ ¿²¼ ¬¸» ³¿´º«²½¬·±² ±º ©·¬¸ ©±«´¼ ¼·®»½¬´§ »²¼¿²¹»® ¸«³¿² ´·º» ø•«½¸ ¿• ³»¼·½¿´ ·²•¬®«³»²¬•ô
¬®¿²•°±®¬¿¬·±² »¯«·°³»²¬ô ¿»®±•°¿½» ³¿½¸·²»®§ô ²«½´»¿®ó®»¿½¬±® ½±²¬®±´´»®•ô º«»´ ½±²¬®±´´»®• ¿²¼ ±¬¸»®
•¿º»¬§ ¼»ª·½»•÷ô °´»¿•» ¾» •«®» ¬± ½±²•«´¬ ©·¬¸ ±«® •¿´»• ®»°®»•»²¬¿¬·ª» ·² ¿¼ª¿²½»ò
ß¾±«¬ Û¨°±®¬ ݱ²¬®±´ Ñ®¼»® ·² Ö¿°¿²
Ю±¼«½¬• ¼»•½®·¾»¼ ¸»®»·² ¿®» ¬¸» ±¾¶»½¬• ±º ½±²¬®±´´»¼ ¹±±¼• ·² ß²²»¨ ï ø׬»³ ïê÷ ±º Û¨°±®¬ Ì®¿¼» ݱ²¬®±´
Ñ®¼»® ·² Ö¿°¿²ò
ײ ½¿•» ±º »¨°±®¬ º®±³ Ö¿°¿²ô °´»¿•» ½±²º·®³ ·º ·¬ ¿°°´·»• ¬± þ±¾¶»½¬·ª»þ ½®·¬»®·¿ ±® ¿² þ·²º±®³»¼þ ø¾§ Ó×Ì× ½´¿«•»÷
±² ¬¸» ¾¿•·• ±º þ½¿¬½¸ ¿´´ ½±²¬®±´• º±® Ò±²óЮ±´·º»®¿¬·±² ±º É»¿°±²• ±º Ó¿•• Ü»•¬®«½¬·±²ò
Appendix1-Rev1.1
相关型号：
US6T4TR
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6 PIN
ROHM
US6T5TR
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6 PIN
ROHM
US6T6TR
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TUMT6, 6 PIN
ROHM
©2020 ICPDF网 联系我们和版权申明