RBV-608 [SANKEN]

Bridge Diodes; 桥式二极管
RBV-608
型号: RBV-608
厂家: SANKEN ELECTRIC    SANKEN ELECTRIC
描述:

Bridge Diodes
桥式二极管

整流二极管 桥式整流二极管 局域网
文件: 总2页 (文件大小:26K)
中文:  中文翻译
下载:  下载PDF数据表文档文件
Bridge Diodes  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Mass  
Parameter  
IFSM  
(A)  
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Tj  
(°C)  
Tstg  
(°C)  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
IR  
(H)  
(µA)  
Rth (j-c)  
VRM  
(V)  
IF (AV)  
(A)  
With Heatsink  
Fig.  
Type No.  
VR =VRM  
max per element max per element  
V
=V , Tj=100°C  
RM  
max per  
element  
IF  
(A)  
R
(°C/ W)  
(g)  
100  
200  
400  
600  
800  
600  
RBV-601  
RBV-602  
RBV-604  
RBV-606  
RBV-608  
RBV-606H  
1.00  
120  
150  
100  
6.0  
–40 to +150  
1.05  
3.0  
10  
3.0  
6.45  
A
0.95  
1.05  
170  
140  
200  
*
RBV-606H  
t
5.0µs  
rr  
*
RBV-601, 602  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta IF(AV) Derating  
100  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
6.0  
5.0  
4.0  
20ms  
10  
1
3.0  
2.0  
1.0  
0
=
T
a
150°C  
100°C  
60°C  
0.1  
25°C  
0.01  
0
0
0
0.5  
1.0  
1.5  
1
1
1
5
10  
50  
0
25 40 50  
75  
100  
125 150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RBV-604, 606  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta IF(AV) Derating  
100  
150  
120  
90  
6.0  
5.0  
4.0  
20ms  
10  
1
3.0  
2.0  
1.0  
0
60  
30  
=
T
a
150°C  
100°C  
60°C  
0.1  
25°C  
0.01  
0
0.5  
1.0  
1.5  
5
10  
50  
0
25 40 50  
75  
100  
125 150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RBV-608  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
Ta IF(AV) Derating  
100  
10  
1
170  
160  
6.0  
5.0  
4.0  
20ms  
140  
120  
100  
80  
3.0  
2.0  
1.0  
0
60  
=
T
a
150°C  
100°C  
60°C  
0.1  
40  
20  
25°C  
0.01  
0
0.5  
1.0  
1.5  
5
10  
50  
0
25 40 50  
75  
100  
125 150  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
External Dimensions  
Fig.  
C3  
A
(Unit: mm)  
3.2±0.1  
4.6  
3.6  
30  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
+
+
4-1.0  
0.7  
10 7.5 7.5  
2.7  
20  
RBV-606H  
Ta IF(AV) Derating  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
140  
120  
100  
80  
50  
10  
6.0  
5.0  
4.0  
20ms  
1
3.0  
2.0  
1.0  
0
60  
0.1  
=
T
a
150°C  
100°C  
60°C  
40  
0.01  
20  
27°C  
0.001  
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4  
Forward Voltage VF (V)  
1
5
10  
50  
0
25 40 50  
Ambient Temperature Ta (°C)  
75  
100  
125 150  
Overcurrent Cycles  
21  

相关型号:

RBV1000

SILICON BRIDGE RECTIFIERS
EIC

RBV1000

SILICON BRIDGE RECTIFIERS
SYNSEMI

RBV10005

Silicon Bridge Rectifiers
LGE

RBV1000D

SILICON BRIDGE RECTIFIERS
EIC

RBV1000D_05

SILICON BRIDGE RECTIFIERS
EIC

RBV1000_05

SILICON BRIDGE RECTIFIERS
EIC

RBV1001

SILICON BRIDGE RECTIFIERS
EIC

RBV1001

SILICON BRIDGE RECTIFIERS
SYNSEMI

RBV1001

Silicon Bridge Rectifiers
LGE

RBV1001D

SILICON BRIDGE RECTIFIERS
EIC

RBV1002

SILICON BRIDGE RECTIFIERS
EIC

RBV1002

SILICON BRIDGE RECTIFIERS
SYNSEMI