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IQC48025A015V-000 [TDK]

DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 37.5W, Hybrid;
IQC48025A015V-000
型号： IQC48025A015V-000
厂家： TDK ELECTRONICS    TDK ELECTRONICS
描述：

DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 37.5W, Hybrid
文件： 总6页 (文件大小：83K)
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IQC48025A015V-001

 DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 37.5W, Hybrid

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2 TDK

IQC48025A018V-000

 DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 45W, Hybrid

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1 TDK

IQC48025A018V-001

 DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 45W, Hybrid

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2 TDK

IQD-2K-1.9G

 I&Q DETECTOR

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18 MERRIMAC

IQDN-10

 IQDN series I/Q demondulator

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28 BOWEI

IQDN-120

 IQDN series I/Q demondulator

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21 BOWEI

IQDN-140

 IQDN series I/Q demondulator

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9 BOWEI

IQDN-240

 IQDN series I/Q demondulator

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18 BOWEI

IQDN-30

 IQDN series I/Q demondulator

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9 BOWEI

IQDN-36

 IQDN series I/Q demondulator

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14 BOWEI

IQDN-60

 IQDN series I/Q demondulator

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34 BOWEI

IQDN-70

 IQDN series I/Q demondulator

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11 BOWEI

IQDN-868

 IQDN series I/Q demondulator

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9 BOWEI

IQE006NE2LM5

 创新的OptiMOS™源极底置25V低压功率MOSFET（IQE006NE2LM5）采用PQFN3.3x3.3封装，使其容易与漏极底置解决方案一起用于同一PCB布线中。在相同的 3.3x3.3mm 封装外形中，最新源极底置封装将当前标准 RDS(on) 降低了约 30%，界定了新的行业基准 RDS(on)。此外，源极底置封装显著缩小了尺寸。现在，可以使用 PQFN3.3x3.3 的封装实现与 5x6mm SuperSO8 相同的性能，从而更高效地利用 PCB 基板面。另外，源极底置还提供了更好的功率损耗转移，这意味着卓越的热管理。总体而言，全新的创新源极底置技术可在最终应用中实现更高的系统效率和功率密度。这对于驱动器、电信系统、SMPS和服务器尤其必要。

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0 INFINEON

IQE006NE2LM5CG

 在英飞凌创新的源极底置技术下推出了OptiMOS™ 低压功率MOSFET（IQE006NE2LM5CG）中心门极封装版本。将门极放置在封装的中间位置，从而实现最佳的源极连接。由于中心门极具有更大的漏极至源极爬电距离，因此中心门极封装提供 MOSFET 优化且易于并联的优势。这样，即可在一个 PCB 层上连接多个设备的门极，从而提高电流能力，实现更高的输出电平。此外，源极底置中心门极封装提供高系统效率和高功率密度。

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0 INFINEON

IQE006NE2LM5CGSC

 英飞凌推出了创新型 源极底置 技术系列扩展的新产品， PQFN 3.3x3.3 源极底置 DSC 封装OptiMOSTM 5 25 V：IQE006NE2LM5CGSC。革命性的源极底置技术引入了倒置式硅芯片，该芯片在组件内部上下颠倒。这种调整使得源极电位（而不是漏极电位）可以通过导热垫与 PCB 连接。因此，它具有几点优势，如热能力增强，先进的功率密度，或具有改善板上布局的可能性。

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0 INFINEON

IQE008N03LM5

 IQE008N03LM5 是英飞凌对创新性 源极底置 技术的延伸。 OptiMOS™ 5 30V  PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使 源极底置 概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括 电机驱动、 电信、 SMPS  或 服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。

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IQE008N03LM5CG

 IQE008N03LM5CG 是英飞凌对创新性 源极底置 技术的延伸。 OptiMOS™ 5 30 V PQFN 3.3x3.3 源极底置具有 30 V 和极低 0.85 mOhm RDS(on)。革命性的源极底置技术使硅片倒置在元件内部。调整后，源极电位（而非漏极电位）即可通过导热垫连接到 PCB。这样就能提供多项优势，如增强热性能、高功率密度和改善布局。此外，更高的效率、更低的主动散热要求及有效的热管理布局有利于实现系统级优势。RDS(on) 新标杆和创新布局能力使 源极底置 概念在温度管理方面处于领先地位。源极底置产品组合解决了各种应用问题，包括 电机驱动、 电信、 SMPS  或 服务器。目前，有两种不同的产品尺寸采用了这项新技术：源极底置标准栅极和源极底置置中栅极（并行优化）。

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0 INFINEON

IQE013N04LM6

 IQE013N04LM6，这款 1.35mOhm 的 40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 扩展了英飞凌的创新型 Source-Down  产品系列，采用 3.3x3.3 PQFN 封装。该功率 MOSFET 是同类中的佼佼者，突破业界目前的功率密度和形状因数，优化了终端用户的体验。

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IQE013N04LM6CG

 IQE013N04LM6，这款 1.35mOhm 的 40V OptiMOS™ 功率 MOSFET 扩展了英飞凌的创新型 Source-Down  产品系列，采用 3.3x3.3 PQFN 封装。该功率 MOSFET 是同类中的佼佼者，突破业界目前的功率密度和形状因数，优化了终端用户的体验。

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