TPS7H1111-SP [TI]
耐辐射加固保障(RHA)、1.5A、超低噪声、超高 PSRR RF LDO 线性稳压器;
| 型号： | TPS7H1111-SP |
| 厂家： | 
TEXAS INSTRUMENTS |
| 描述： | 耐辐射加固保障(RHA)、1.5A、超低噪声、超高 PSRR RF LDO 线性稳压器 稳压器 |
| 文件： | 总65页 (文件大小：3927K) |
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TPS7H1111-SP, TPS7H1111-SEP
ZHCSRP0D –FEBRUARY 2023 –REVISED JUNE 2023
TPS7H1111-SP 和TPS7H1111-SEP 1.5A 超低噪声、高PSRR 耐辐射加固型低压降
(LDO) 线性稳压器
1 特性
3 说明
• 电离辐射总剂量(TID) 特征值
TPS7H1111 是一款超低噪声、高 PSRR、低压降线性
稳压器 (LDO)，针对为航天环境中的射频 (RF) 器件供
电进行了优化。它能够在0.85V 至7V 输入范围内提供
高达 1.5A 的电流，并由 2.2V 至 14V 的辅助电源供
电。
– 耐辐射加固保障(RHA) 为100krad(Si) 或
50krad(Si)
• 单粒子效应(SEE) 特性
– 单粒子锁定(SEL)、单粒子烧毁(SEB) 和单粒子
栅穿(SEGR) 对于线性能量传递(LET) 的抗扰度
高达75MeV-cm2/mg
该器件具有高性能，可抑制电源产生的相位噪声和时钟
抖动，因此它非常适合为高性能 ADC、DAC、VCO、
PLL、串行器/解串器和卫星中的其他射频元件供电。
对于需要低电压运行的数字负载（ 如 FPGA 和
DSP），超高的精度和出色的瞬态性能可确保实现出
色的系统性能。
– 单粒子功能中断(SEFI) 和单粒子瞬变(SET) 对
于LET 的额定值高达75MeV-cm2/mg
• 超低噪声(10Hz –100kHz)：
– 1.71µVRMS（典型值）
• 高电源抑制比，PSRR（典型值）：
QML 型号 5962R21203 提供了标准微电路图
(SMD)。-SEP 型号 V62/23602 提供了供应商项目图
(VID)。
– 1kHz 时为109dB
– 100kHz 时为71dB
– 在1MHz 时为66dB
器件信息
• 输入电压范围：0.85 V 至7 V
• 2.2V 至14V 的辅助电源，可更大限度降低功率耗
散
• 输出电压低至0.4 V
• 高达1.5A 输出电流
器件型号(1)
封装(2)
等级
5962R2120301VXC
QMLV-RHA
14 引脚陶瓷
8.03 mm x 9.12 mm
质量= 1.23 g
TPS7H1111HBL/EM
工程样品
5962R2120302PYE(3)
TPS7H1111MPWPTSEP
QMLP-RHA
28 引脚塑料
4.40mm x 9.70mm
质量= 181 mg
• 在线路和负载范围内出色的输出精度：
9 月
– 整个温度范围内-1.3% 至+1.2%
– 25°C 时为–0.7% 至+0.9%
• 低压降：1.5A 时为215mV（典型值）
• 可编程软启动控制(SS_SET)
• 开漏电源正常状态(PG) 指示器
• 可配置电源正常阈值(FB_PG)
KGD(4)
裸片
5962R2120301V9A(3)
(QMLV-RHA) 2.61 mm x 5.04 mm
(1) 有关更多信息，请查看器件选项表。
(2) 尺寸和质量值为标称值。
(3) 产品预发布。
(4) 已知正常的裸片。
• 带有外部补偿STAB 引脚的外露控制环路
• 具有可配置行为的内部电流限制
• 电流共享，支持高达2.9A 的运行电流
• 军用级温度范围（–55°C 至125°C）
TPS7H1111
0.4 V t ñXñ V @ 1.5A
0.85V t ó V
IN
OUT
OUT
IN
CIN
REN_TOP
COUT
2 应用
CCOMP
RCOMP
RPG
CLM
EN
STAB
PG
• 卫星电力系统(EPS)
REN_BOT
• 适用于高速和高精度电路的电源
– 数据转换器：ADC 和DAC（模数转换器和数模
转换器）
VPG
SS_SET
REF
BIAS
OUTS
FB_PG
GND
RFBPG_TOP
– VCO（压控振荡器）
– PLL（锁相环）
RSET
RBIAS
CSS
RFBPG_BOT
RREF
2.2 V t íð V
CBIAS
– SerDes（串行器和解串器）
– 图像传感器
• 为FPGA（现场可编程门阵列）和DSP（数字信号
处理器）提供精确电源
• 用于空间受限区域的耐辐射超洁净模拟电源
典型应用电路
本文档旨在为方便起见，提供有关TI 产品中文版本的信息，以确认产品的概要。有关适用的官方英文版本的最新信息，请访问
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内容
1 特性................................................................................... 1
2 应用................................................................................... 1
3 说明................................................................................... 1
4 修订历史记录.....................................................................2
5 器件选项表.........................................................................3
6 引脚配置和功能................................................................. 4
7 规格................................................................................... 8
7.1 绝对最大额定值...........................................................8
7.2 ESD 等级.................................................................... 8
7.3 建议运行条件.............................................................. 9
7.4 热性能信息..................................................................9
7.5 电气特性....................................................................10
7.6 质量合格检验............................................................ 13
7.7 典型特性....................................................................14
8 参数测量信息...................................................................26
9 详细说明.......................................................................... 27
9.1 概述...........................................................................27
9.2 功能模块图................................................................27
9.3 特性说明....................................................................28
9.4 器件功能模式............................................................ 40
10 应用和实施.....................................................................41
10.1 应用信息..................................................................41
10.2 典型应用..................................................................41
10.3 已测试的电容器.......................................................47
10.4 TID 效应..................................................................47
10.5 电源相关建议.......................................................... 49
10.6 布局.........................................................................50
11 器件和文档支持..............................................................52
11.1 文档支持..................................................................52
11.2 接收文档更新通知................................................... 52
11.3 支持资源..................................................................52
11.4 商标.........................................................................52
11.5 静电放电警告...........................................................52
11.6 术语表..................................................................... 52
12 机械、封装和可订购信息...............................................53
4 修订历史记录
注：以前版本的页码可能与当前版本的页码不同
Changes from Revision C (May 2023) to Revision D (June 2023)
Page
• 更新了塑料封装器件的标称质量.........................................................................................................................1
• 将TPS7H1111-SEP 的标称状态从“预告信息”更改为“量产数据”............................................................... 1
Changes from Revision B (April 2023) to Revision C (May 2023)
Page
• 将计划的QMLP 器件型号从 5962R2120301PYE 更改为5962R2120302PYE..................................................1
• 将TPS7H1111-SP 的状态从“预告信息”更改为“量产数据”.........................................................................1
• 更新了陶瓷封装器件的标称质量.........................................................................................................................1
• 添加了有关散热焊盘的其他信息......................................................................................................................... 4
• 更新了125°C 时VACC 的最大值.......................................................................................................................10
• 更新了ISET 的最小值和最大值..........................................................................................................................10
• 更新了VOS 的最小值和最大值..........................................................................................................................10
• 添加了针对塑料封装选项的全新VREF 规格...................................................................................................... 10
• 添加了额外的负载阶跃图.................................................................................................................................. 14
Changes from Revision A (February 2023) to Revision B (April 2023)
Page
• 将TPS7H1111-SEP 状态从“产品预发布”更改为“预告信息”...................................................................... 1
• 将“承受100krad(Si) 后”规格更改为“承受TID 后”规格，可以是50krad(Si) 或100krad(Si)...................... 1
• 更正了塑料封装散热焊盘的说明......................................................................................................................... 4
• 为波特图和由此产生的电容器建议添加了有关塑料封装差异的注释................................................................. 14
• 更正了简化的砖墙电流限制波形，使其不显示软启动.......................................................................................34
• 添加了有关并联器件的输出电容器放置的注释..................................................................................................37
Changes from Revision * (February 2023) to Revision A (February 2023)
Page
• 对典型特性部分中的各种注释进行了少量更新..................................................................................................14
• 对“电流共享”部分进行了少量更新，并更新了典型值................................................................................... 37
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5 器件选项表
辐射等级(1)
等级(2)
QMLV-RHA
通用器件型号
封装
14 引脚CFP HBL
28 引脚HTSSOP PWP
裸片
可订购器件型号
5962R2120301VXC
5962R2120302PYE(4)
5962R2120301V9A(4)
TPS7H1111HBL/EM
TPS7H1111Y/EM(4)
TID 为100krad(Si) RLAT，
不考虑DSEE 的影响为75MeV-
cm2/mg
QMLP-RHA
TPS7H1111-SP
TPS7H1111-SEP
KGD (QMLV-RHA)
14 引脚CFP HBL
裸片
工程模型(3)
无
TID 为50krad(Si) RLAT，
不考虑DSEE 的影响为43MeV- 增强型航天塑料
TPS7H1111MPWPTSEP
28 引脚HTSSOP PWP
cm2/mg
(1) TID 是总电离剂量，DSEE 是破坏性单粒子效应。每个产品的关联TID 报告和SEE 报告中提供了额外信息。
(2) 有关器件等级的其他信息，请查看SLYB235。
(3) 这些器件仅适用于工程评估。它们按照不合规流程进行处理（例如，未进行老化处理，仅在25°C 下进行测试）。这些部件不适用于质
检、量产、辐射测试或飞行。部件在温度范围以外或超过使用寿命时的性能不受保证。
(4) 产品预发布。
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6 引脚配置和功能
HBL 封装
14 引脚CFP
（俯视图）
PWP 封装
28 引脚HTSSOP
（俯视图）
NC
NC
1
2
28
NC
NC
BIAS
EN
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
FB_PG
OUTS
OUT
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
BIAS
EN
3
FB_PG
OUTS
NC
4
NC
IN
5
IN
6
OUT
OUT
OUT
STAB
SS_SET
REF
IN
7
IN
Thermal Pad
OUT
Thermal Pad
IN
8
CLM
GND
GND
PG
9
CLM
GND
PG
STAB
SS_SET
REF
10
11
12
13
14
NC
NC
NC
8
NC
NC
表6-1. 引脚功能
引脚
I/O(1)
说明
PWP (28)
编号
HBL (14) 编
号
名称
辅助电源。为了支持最大输出电流，如果余量电压低于1.6V (Vheadroom = Vin –Vout
<
1.6V)，则需要单独的辅助电源。将单独的辅助电源设置为至少比VOUT 高1.6V 的电压，
以支持最大输出电流。12V 辅助电源可满足这些条件（通常5V 电源也足够了）。VBIAS 和
VIN 之间没有时序要求。
BIAS
1
3
I
为了限制BIAS 上的噪声，除非VBIAS 是超洁净电源，否则建议使用RC 滤波器（通常为
10Ω和4.7μF）。如果未使用单独的辅助电源，则将BIAS 连接至VIN（还建议通过RC
滤波器将VIN 电源轨连接至BIAS 引脚）。
使能。将此引脚驱动为逻辑高电平可启用器件；将引脚驱动为逻辑低电平可禁用器件。如
果不需要启用功能，则将此引脚连接至IN。请勿将该引脚悬空。
EN
IN
2
4
I
I
3、4
6、7、8
输入电源。建议在此引脚附近使用一个输入电容器（标称值为10μF）。
限流模式。将CLM 连接至VIN 以实现砖墙式电流限制模式（当达到电流限制时，调节
V
OUT 以保持恒定的输出电流，直至消除故障）。将CLM 连接至GND 以实现关断电流限
CLM
5
9
I
制模式（当达到电流限制时，VOUT 停止调节，直至切换EN）。启用器件时，请勿更改此
引脚的值，也不要将此引脚悬空。
GND
PG
6
7
10、11
接地。
—
电源正常指示。这是一个开漏引脚。使用上拉电阻器将此引脚上拉至VOUT 或期望的逻辑
电平。如果未使用PG，建议将其下拉至地，但也可以将其保持悬空状态。
12
O
基准引脚。REF 输出标称1.2V 电压。在REF 至GND 之间放置一个高精度12.0kΩ外部
电阻器，以设置内部100μA 电流源。
REF
8
9
18
19
I/O
I/O
软启动和电压设置引脚。使用外部电容器（标称值为4.7μF 的陶瓷电容器）在启动期间降
低输出电压斜升速率，同时滤除内部器件噪声。低于4.7μF 的电容器值会导致出现略高的
输出噪声。有一个内部快速启动电路可实现合理的软启动时间。
SS_SET
此外，连接在SS_SET 至GND 之间的电阻器可设置输出电压。在标称运行期间，此引脚
上输出100μA，而SS_SET 至GND 之间的电阻器用于设置输出电压。
稳定性引脚。这是来自内部OTA（运算跨导放大器）误差放大器的输出，有助于测量或优
化控制环路。使用4.7nF 和5kΩ的串联电容器(CCOMP) 和电阻器(RCOMP) 来补偿器件。
有关不同的补偿选项，请查看节9.3.8.2。建议使用能够承受VBIAS 或7.5V 中较低者的
C0G (NP0) 型电容器（例如，额定电压为25V 的电容器）。
STAB
10
20
I/O
输出功率引脚。稳定输出电压。建议使用单个220µF 或两个100µF 的钽或钽聚合物电容
器。有关更多信息，请参阅节9.3.8.1。
OUT
O
I
11、12
21、22、23
输出检测引脚。此引脚用于检测输出电压以进行调节。将OUTS 连接至期望稳压点（遥
感）处的OUT 引脚。
OUTS
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表6-1. 引脚功能(continued)
引脚
I/O(1)
说明
PWP (28)
编号
HBL (14) 编
号
名称
反馈和电源正常引脚。FB_PG 引脚用于设置可配置的电源正常阈值。通过电阻分压器将输
出电压馈送到此引脚来实现此功能（典型阈值为300mV）。达到阈值时，PG 被置为有
效。
此外，当达到此引脚上的阈值时，启动结束，并且禁用内部快速启动电路。如果此引脚直
接连接至OUT，则快速启动操作会停止，并且在VOUT 达到300mV（典型值）后PG 会置
为有效。
FB_PG
14
26
I
1、2、5、
13、14、
15、16、
17、24、
27、28
无连接。这个引脚不是内部连接。建议将这些引脚连接至GND 以防止电荷积聚；但是，
这些引脚也可以保持断开或连接至GND 和VBIAS 之间的任何电压。
NC
—
陶瓷封装散热焊盘在内部通过导电路径连接到芯片的背面，并连接到GND 引脚。建议将
该金属散热焊盘连接到一个较大的接地层上，以便实现有效散热。
塑料封装散热焊盘通过导电路径连接到芯片的背面，但它未在内部接地。将散热焊盘连接
到一个较大的接地层上以实现有效散热，并提供芯片背面至GND 的连接以确保正常运
行。
散热焊盘
金属盖
—
—
Lid
盖子从内部通过密封圈连接到散热焊盘和GND。
不适用
(1) I = 输入；O = 输出；I/O = 输入或输出；—= 其他
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表6-2. 裸片信息
背面电势
芯片厚度
背面光洁度
硅片减薄
接合焊盘金属化合物
接合焊盘厚度
3000nm
GND
15 密耳
铝（0.5% 铜）
25
24
1
2
3
4
5
6
7
8
23
22
21
20
19
18
9
17
10
11
12
13
16
15
14
(0,0)
2538
2614
38
38
1. 所有尺寸均以微米(μm) 为单位。
2. 内矩形是芯片，外矩形是芯片加切割线。
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表6-3. 接合焊盘坐标以微米(μm) 为单位
X 最小值
250.605
160.740
434.655
434.655
434.655
434.655
434.655
434.655
169.740
138.780
169.695
79.335
Y 最小值
4647.420
4409.235
3362.535
3184.335
3006.135
2827.935
2649.735
2471.535
1604.340
1348.425
1166.715
850.725
X 最大值
362.205
272.340
546.255
546.255
546.255
546.255
546.255
546.255
281.340
250.380
281.295
190.935
190.935
272.340
2377.260
2377.260
2377.260
2103.345
2103.345
2103.345
2103.345
2103.345
2103.345
2377.305
2377.305
Y 最大值
4759.020
4520.835
3474.135
3295.935
3117.735
2939.535
2761.335
2583.135
1715.940
1460.025
1278.315
962.325
说明
BIAS
EN
焊盘号码
1
2
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
VIN
CLM
3
4
5
6
7
8
9
10
NC（无连接）
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
NC（无连接）
GND
GND
79.335
622.125
733.725
PG
160.740
2265.660
2265.660
2265.660
1991.745
1991.745
1991.745
1991.745
1991.745
1991.745
2265.705
2265.705
163.980
275.580
VREF
160.965
272.565
SS_SET
STAB
751.320
862.920
1602.765
2441.565
2619.765
2797.965
2976.165
3154.365
3332.565
4276.350
4679.730
1714.365
2553.165
2731.365
2909.565
3087.765
3265.965
3444.165
4387.950
4791.330
VOUT
VOUT
VOUT
VOUT
VOUT
VOUT
OUTS
FB_PG
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7 规格
7.1 绝对最大额定值
在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值
–0.3
-0.3
最大值
单位
IN
7.5
16
BIAS
V
输入电压
7.5
EN、PG、FB_PG、OUTS、CLM
–0.3
-0.3
OUT
7.5
V
输出电压
7.5
SS_SET、REF、STAB
–0.3
-0.001
-2
PG
OUT
TJ
0.01
2.25
150
150
A
A
输入电流
输出电流
结温
-55
°C
°C
Tstg
–65
存储温度
(1) 超出绝对最大额定值运行可能会对器件造成损坏。绝对最大额定值并不表示器件在这些条件下或在建议运行条件以外的任何其他条件下
能够正常运行。如果超出建议运行条件但在绝对最大额定值范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、功能
和性能并缩短器件寿命。
7.2 ESD 等级
值
单位
人体放电模型(HBM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-001，所有引脚(1)
充电器件模型(CDM)，符合ANSI/ESDA/JEDEC JS-002 标准，所有引脚(2)
±2000
V(ESD)
V
静电放电
±1000
(1) JEDEC 文档JEP155 指出：500V HBM 能够在标准ESD 控制流程下安全生产。
(2) JEDEC 文件JEP157 指出：250V CDM 可实现在标准ESD 控制流程下安全生产。
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7.3 建议运行条件
在工作温度范围TJ = -55°C 至125°C 内测得（除非另有说明）
最小值
标称值
最大值
单位
IN
0.85
VIN
2.2
0
7
VOUT + 1.6V
BIAS(1)
14
PG
7
V
输入电压
EN
0
7
FB_PG
CLM
0
6
VIN
0
VIN –VDO
5.5
OUT(2)
0.4
V
输出电压
VIN –VDO
5.5
SS_SET(2)
0.4
0
PG
0.002
1.5
A
A
输入电流
输出电流
OUT
COUT
ESR
ESL
RREF
tEN_LOW
TJ
0
132
7
200
12
308
µF
mΩ
nH
kΩ
µs
输出大容量电容(3)
40
0.8
11
20
2.4
13
基准配置
EN 切换时间(4)
结温
125
°C
–55
(1) BIAS 有两个最小值VIN 和2.2V。BIAS 必须设置为大于或等于这两个值中的较大者。BIAS 最大值始终为14V。要充分发挥性能，请设
置VBIAS ≥VOUT + 1.6V。有关更多详细信息，请参阅辅助电源部分。
(2) OUT 和SS_SET 有两个最大值(VIN –VDO) 和5.5V。OUT 和SS_SET 必须设置为小于或等于这两个值中的较小者。OUT 和SS_SET
最小值始终为0.4V。
(3) 这些是大容量电容的默认可接受输出电容、等效串联电阻(ESR) 和等效串联电感(ESL) 值。可能也可以接受其他值，例如使用STAB 引
脚通过外部补偿修改控制环路。通常使用钽或钽聚合物电容器来满足这些要求。不需要额外的陶瓷去耦电容器，但可接受在负载点附近
使用具有低ESL 的单个0.1μF 陶瓷电容器。
由于TPS7H1111 LDO 在宽带宽范围内提供高PSRR 和低噪声，因此无需额外的较大陶瓷电容器。因此，TPS7H1111 不支持较大的陶
瓷电容器。有关更多信息，请参阅输出电容部分。
(4)
t
EN_LOW 是为检测复位而将器件再次驱动为高电平之前必须将EN 引脚驱动为低电平的时间。这通常仅在尝试退出关断电流限制模式时适
用。
7.4 热性能信息
TPS7H1111-SP
TPS7H1111-SP、-SEP
热指标(1)
CFP HBL
14 引脚
25.1
6.3
PWP (HTSSOP)
单位
28 引脚
24.7
15.6
6.6
RθJA
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
RθJC(top)
RθJB
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
9.3
1.4
0.2
ΨJT
结至顶部特征参数
9.1
6.6
ΨJB
结至电路板特征参数
结至外壳（底部）热阻
RθJC(bot)
0.5
1.0
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和IC 封装热指标应用报告。
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7.5 电气特性
在0.85V ≤VIN ≤7V、VBIAS ≥VOUT + 1.6V（VIN ≤VBIAS ≤14V 且VBIAS ≥2.2V）、VOUT(target) ≤VIN –1.6V、IOUT
1mA、COUT = 220µF(1)、RREF = 12.0kΩ，以及工作温度范围（TA = –55°C 至125°C）内（典型值为TA = 25°C）测得，除
非另有说明；如果QML RHA 和SEP 器件存在子组编号，则包括TA = 25°C 时的RLAT(2)
=
最小 典型 最大
子组(3)
参数
测试条件
单位
值
值
值
电源和电流
IOUT = 0.1 A
17
75
40
150
280
430
1、2、3
1、2、3
1、2、3
1、2、3
1、2、3
1、2、3
1、2、3
1、2、3
3
0.85V ≤VIN ≤7V，
VOUT = 98.5% ×
VOUT(NOM)
IOUT = 0.5A
IOUT = 1A
压降电压，
VDO
mV
V
BIAS ≥VOUT + 1.6V
110
215
IOUT = 1.5A
IOUT = 0.1 A
IOUT = 0.5A
IOUT = 1A
785 1100
908 1150
1063 1250
1168 1400
2.2V ≤VIN ≤7V，
VOUT = 98.5% ×
VOUT(NOM)
VDO
mV
A
压降电压，VBIAS = VIN
IOUT = 1.5A
TA = -55°C
TA = 25°C
TA = 125°C
1.8 1.95
2.1
2
2.5V ≤VIN ≤7V
VOUT = 0.5V，
VCLM = VIN
ILIM
1
1.75 1.85
输出电流限制
2
1.7
1.8 1.95
ICLM(LKG)
IQ_IN
VCLM = 7V
5
19
16
20
17
20
150
27
nA
CLM 输入漏电流
静态电流
1、2、3
1、2、3
1、2、3
1、2、3
1、2、3
1、2、3
1、2、3
VEN = 7V，IOUT = 0A
VEN = 7V，IOUT = 0A
VEN = 7V，IOUT = 1.5A
VEN = 7V，IOUT = 1.5A
mA
IQ_BIAS
IIN_GND
IBIAS
25
无输出负载时的偏置电流
IIN –IOUT，满输出负载
满输出负载时的偏置电流
关断电流
27
mA
µA
25
ISHDN
VEN = 0V，IOUT = 0A，VOUT = 0V
VEN = 0V，IOUT = 0A，VOUT = 0V
350
ISHDN_BIAS
精度
550 1000
关断偏置电流
–55°C ≤
TA ≤125°C
-1.3%
1.2%
1、2、3
1mA ≤IOUT ≤1.5A，
2.2V ≤VBIAS
14V(4)
PD ≤4W(5)
TA = -55°C
TA = 25°C
3
1
-1.3%
-0.7%
0.5%
0.9%
≤
VACC
输出电压精度
，
TA = 25°C，承受
TID 后(6)
1
-0.7%
-0.7%
1.1%
1.2%
TA = 125°C
2
98.8 99.9
98.8 99.4 100.3
99.0 100 100.9
101
–55°C ≤TA ≤125°C
TA = -55°C
1、2、3
3
ISET
µA
设置VOUT 的SS_SET 引脚电流
TA = 25°C
1
TA = 125°C
2
99.2 100.2
-2
101
0.78
–55°C ≤TA ≤125°C
TA = -55°C
1、2、3
3
1
1
2
-1.33
-0.2 0.78
输出失调电压
(VOUT - VSS_SET
VOS
TA = 25°C
-1.45 -0.25 0.76
mV
)
TA = 25°C，承受TID 后(6)
TA = 125°C
-1.45
-2
1.5
0.7
-0.5
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7.5 电气特性(continued)
在0.85V ≤VIN ≤7V、VBIAS ≥VOUT + 1.6V（VIN ≤VBIAS ≤14V 且VBIAS ≥2.2V）、VOUT(target) ≤VIN –1.6V、IOUT
=
1mA、COUT = 220µF(1)、RREF = 12.0kΩ，以及工作温度范围（TA = –55°C 至125°C）内（典型值为TA = 25°C）测得，除
非另有说明；如果QML RHA 和SEP 器件存在子组编号，则包括TA = 25°C 时的RLAT(2)
最小 典型 最大
子组(3)
参数
测试条件
单位
值
值
值
0.004%
将TA 从-55°C 更改为125°C
将TA 从-55°C 更改为-40°C
将TA 从-40°C 更改为0°C
将TA 从0°C 更改为25°C
将TA 从25°C 更改为85°C
将TA 从85°C 更改为125°C
0.011%
0.007%
0.005%
0.003%
0.001%
VOUT
°C
/
VOUTtempco
V
OUT 温度系数
VREF
VREF
1.191 1.206 1.220
1.190 1.206 1.221
基准电压，陶瓷封装
基准电压，塑料封装
1、2、3
1、2、3
V
0.85V ≤VIN ≤7V，IOUT = 1mA，VBIAS
5V，VOUT = 0.4V
=
3
200 µV/V
500 1000 µV/A
±1%
ΔVOUT/ΔVIN 线路调节，请参阅图8-1
1、2、3
1、2、3
ΔVOUT
ΔIOUT
/
1mA ≤IOUT ≤1.5A，VBIAS = 5V，VIN
2.5V，VOUT = 1.8V
=
负载调节，请参阅图8-2
IOUT(TOTAL) = 1.2A
IOUT(TOTAL) = 2.9A
Rballast = 5mΩ，
TA = 25°C
电流共享误差百分比
±0.1%
20
IOUTS(LKG)
ENABLE
VEN(rising)
VEN(falling)
tEN(delay)
IEN(LKG)
200
nA
OUTS 漏电流
1、2、3
0.58 0.60 0.62
0.48 0.50 0.52
使能上升阈值（导通）
使能下降阈值（关断）
EN 传播延迟
1、2、3
1、2、3
9，10，11
1、2、3
V
90
3
500
150
µs
EN 高电平至VOUT = 10mV
VEN = 7 V
nA
使能输入漏电流
热关断进入
TSD(enter)
TSD(exit)
160
130
°C
热关断退出
电源正常
VFB_PG(rising)
290
7
306
14
313
19
1、2、3
1、2、3
1、2、3
1、2、3
电源正常状态上升阈值
电源正常状态迟滞
mV
VFB_PG(HYS)
IFB_PG(LKG)
VPG(OL)
VFB_PG = 6V
9
150
200
nA
FB_PG 输入漏电流
电源正常状态输出低电平
IPG(SINK) = 2mA
113
mV
有效PG (VPG < 0.5V) 的最小VIN
或VBIAS
VIN(MIN_PG)
IPG(LKG)
IPG(sink) = 0.6mA
0.6
0.1
0.8
2
V
1、2、3
1、2、3
VPG = 7V，VFB_PG > VFB_PG(rising threshold)
µA
电源正常状态泄漏
软启动
ISS_SET(start)
1.68
2.1 2.52
1.7
mA
ms
启动期间的SS_SET 引脚电流
1、2、3
VIN = 2.5V，VOUT
1.8V，
IOUT = 1A，
=
CSS = 2.2µF
CSS = 4.7µF
3.7
tSS
软启动时间
RFB_PG(top) = 44.2kΩ，
RFB_PG(bot) = 10kΩ
CSS = 10µF
7.8
噪声和PSRR
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7.5 电气特性(continued)
在0.85V ≤VIN ≤7V、VBIAS ≥VOUT + 1.6V（VIN ≤VBIAS ≤14V 且VBIAS ≥2.2V）、VOUT(target) ≤VIN –1.6V、IOUT
1mA、COUT = 220µF(1)、RREF = 12.0kΩ，以及工作温度范围（TA = –55°C 至125°C）内（典型值为TA = 25°C）测得，除
非另有说明；如果QML RHA 和SEP 器件存在子组编号，则包括TA = 25°C 时的RLAT(2)
=
最小 典型 最大
子组(3)
参数
测试条件
fripple = 100Hz
单位
值
值
109
109
90
值
fripple = 1kHz
fripple = 10kHz
fripple = 100kHz
fripple = 1MHz
fripple = 10MHz
fripple = 100Hz
fripple = 1kHz
fripple = 10kHz
fripple = 100kHz
fripple = 1MHz
fripple = 10MHz
CSS = 2.2µF
VIN = 2.5V，VOUT
=
1.8V，VBIAS = 5V，IOUT
= 1A，CSS = 4.7µF，
CBIAS = 4.7µF，
PSRR
dB
电源抑制比
71
RBIAS = 10Ω
66
30
102
105
87
VIN = 2.5V，VOUT
=
1.8V，VBIAS = 5V，IOUT
= 1A，CSS = 4.7µF，
CBIAS = 4.7µF，
电源抑制比，
BIAS 至VOUT
PSRRBIAS
dB
V
97
RBIAS = 10Ω
118
68
1.73
1.71
1.69
97
VIN = 2.5V，VOUT
=
输出噪声均方根电压
（带宽为10Hz 至100kHz）
VN
1.8V，VBIAS = 5V，IOUT CSS = 4.7µF
µVRMS
= 1A
CSS = 10µF
f = 10Hz
f = 100Hz
f = 1kHz
11.2
5.4
5.6
4.9
1.6
1.7
VIN = 2.5V，VOUT
=
nV/√
Hz
eN
1.8V，VBIAS = 5V，
IOUT = 1A，CSS = 4.7µF
f = 10kHz
f = 100kHz
f = 1MHz
f = 10MHz
输出噪声电压密度
稳定性
PM
98°
19
相位裕度
增益裕度
VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，IOUT = 1.0A，
COUT = 2x100µF(7)
GM
dB
(1) 使用了一个220µF 钽电容器
(2) 有关QML RHA 器件的额外信息，请参阅5962R21203 SMD，有关SEP 器件的额外信息，请参阅V62/23602 VID。
(3) 子组仅适用于器件的QML 版本；有关子组定义，请参阅节7.6。
(4) 此外，VBIAS ≥VIN 且VBIAS ≥VOUT + 1.6V。
(5) PD 是内部功耗。当PD 超过4W 时，电流会降低以避免局部过热（由于测试仪限制)。
(6) 对于QMLV 和QMLP 器件，TID = 100krad(Si)；对于SEP 器件，TID = 50krad(Si)。
(7) 有关更多信息，请参阅节10.3。
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7.6 质量合格检验
MIL-STD-883，方法5005 - 组A
温度(°C)
25
子组
1
说明
静态测试
静态测试
静态测试
动态测试
动态测试
动态测试
功能测试
功能测试
功能测试
开关测试
开关测试
开关测试
2
125
-55
3
4
25
5
125
-55
6
7
25
8A
8B
9
125
-55
25
10
11
125
-55
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7.7 典型特性
VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，COUT = 2 × 100µF，CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS
= 4.7µF，TA = 25°C，除非另有说明，否则在10Hz 至100kHz 带宽下报告积分噪声。
140
120
100
80
140
120
100
80
60
60
40
40
VIN = 1.8 V, VOUT = 1.1 V
VIN = 2.5 V, VOUT = 1.8 V
VIN = 5 V, VOUT = 3.3 V
VIN = 5 V, VOUT = 1.1 V
VIN = 1.8 V, VOUT = 1.1 V
VIN = 2.5 V, VOUT = 1.8 V
VIN = 5 V, VOUT = 3.3 V
VIN = 5 V, VOUT = 1.1 V
20
20
0
0
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
10M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
VBIAS = 5V
VBIAS = 12 V
图7-1. PSRR 与频率间的关系（常见配置）
图7-2. PSRR 与频率间的关系（常见配置）
140
120
100
80
140
120
100
80
VDO = 3 V
VDO = 2 V
VDO = 1 V
VDO = 0.8 V
VDO = 0.7 V
VDO = 0.5 V
VDO = 0.4 V
VDO = 0.3 V
VDO = 0.2 V
60
60
IOUT = 1.5 A
IOUT = 1 A
IOUT = 500 mA
IOUT = 100 mA
IOUT = 10 mA
IOUT = 1 mA
40
40
20
20
0
10
0
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
100
1k
10k
100k
1M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
图7-4. 不同输出电流下PSRR 与频率间的关系
VIN = VOUT + VDO
VOUT = 1.8 V
VBIAS = VOUT + 1.6V
图7-3. 不同压降下PSRR 与频率间的关系
140
120
100
80
140
120
100
80
60
60
VOUT = 1.1 V
VOUT = 1.8 V
VOUT = 2.5 V
VOUT = 3.3 V
VOUT = 5 V
VIN = 1.5 V
VIN = 1.8 V
VIN = 2.5 V
VIN = 3.3 V
VIN = 5 V
40
40
20
20
0
10
0
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
100
1k
10k
100k
1M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
VIN = VOUT + 0.8V
VBIAS = VIN + 1.6V
VBIAS = VOUT + 1.6V
图7-6. 不同输入电压下PSRR 与频率间的关系
VOUT = VIN –0.8V
图7-5. 不同输出电压下PSRR 与频率间的关系
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7.7 典型特性(continued)
VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，COUT = 2 × 100µF，CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS
= 4.7µF，TA = 25°C，除非另有说明，否则在10Hz 至100kHz 带宽下报告积分噪声。
140
120
100
80
140
120
100
80
60
60
40
40
COUT = 2x100 µF
COUT = 2x100 µF + 0.1 µF
COUT = 220 µF
CSS = 2.2 µF
CSS = 4.7 µF
CSS = 10 µF
CSS = 22 µF
20
20
COUT = 220 µF + 0.1 µF
0
0
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
图7-8. 不同软启动电容下PSRR 与频率间的关系
有关所用的电容器器件型号，请参阅表10-4。
图7-7. 不同输出电容下PSRR 与频率间的关系
140
120
100
80
140
120
100
80
60
60
TA = 125°C
TA = 85°C
TA = 25°C
TA = 0°C
VBIAS = 3.1 V
VBIAS = 3.4 V
VBIAS = 5V
40
40
VBIAS = 12 V
VBIAS = 14 V
TA = -40°C
TA = -55°C
20
0
20
0
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
图7-9. 不同辅助电源下PSRR 与频率间的关系
IOUT = 500mA
图7-10. 不同温度下PSRR 与频率间的关系
140
120
100
80
140
120
100
80
60
60
40
40
VBIAS = 2.7 V
VBIAS = 3.3 V
VBIAS = 5 V
VIN = 5 V, VOUT = 1.1 V
VIN = 5 V, VOUT = 3.3 V
VIN = 3.3 V, VOUT = 1.1 V
20
20
VBIAS = 12 V
0
0
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
CBIAS = 0µF
RBIAS = 0Ω
RBIAS = 0Ω
图7-11. VIN = VBIAS 时PSRR 与频率间的关系
图7-12. 不使用RC 时在不同偏置电压下PSRRBIAS 与频率间的关系
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7.7 典型特性(continued)
VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，COUT = 2 × 100µF，CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS
= 4.7µF，TA = 25°C，除非另有说明，否则在10Hz 至100kHz 带宽下报告积分噪声。
140
120
100
80
140
120
100
80
60
60
TA = 125°C
TA = 85°C
TA = 25°C
TA = 0°C
TA = -40°C
TA = -55°C
40
40
VBIAS = 2.7 V
VBIAS = 3.3 V
VBIAS = 5 V
20
20
VBIAS = 12 V
0
0
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
IOUT = 500mA
图7-14. 不同温度下PSRRBIAS 与频率间的关系
RBIAS = 10Ω
图7-13. 使用RC 时在不同偏置电压下PSRRBIAS 与频率间的关系
10000
10000
CSS = 2.2 µF, 1.73 µVRMS
CSS = 4.7 µF, 1.71 µVRMS
CSS = 10 µF, 1.69 µVRMS
CSS = 22 µF, 1.68 µVRMS
IOUT = 1.5 A, 1.68 µVRMS
IOUT = 1 A, 1.67 µVRMS
IOUT = 500 mA, 1.65 µVRMS
IOUT = 100 mA, 1.69 µVRMS
IOUT = 10 mA, 1.76 µVRMS
IOUT = 1 mA, 1.76 µVRMS
1000
100
10
1000
100
10
1
1
0.1
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
图7-15. 不同CSS 下输出噪声与频率间的关系（噪声频谱密度）
图7-16. 不同输出电流下输出噪声与频率间的关系（噪声频谱密度）
VIN = VOUT + 0.8V
有关所用的电容器器件型号，请参阅表10-4。
图7-17. 不同输出电容下输出噪声与频率间的关系（噪声频谱密度）
图7-18. 不同输出电压下输出噪声与频率间的关系（噪声频谱密度）
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7.7 典型特性
VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，COUT = 2 × 100µF，CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS
= 4.7µF，TA = 25°C，除非另有说明，否则在10Hz 至100kHz 带宽下报告积分噪声。
10000
VIN = 1.5 V, 1.55 µVRMS
VIN = 1.8 V, 1.60 µVRMS
VIN = 2.5 V, 1.60 µVRMS
VIN = 3.3 V, 1.65 µVRMS
VIN = 5 V, 1.58 µVRMS
1000
100
10
1
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
VOUT = VIN –0.8V
图7-19. 不同输入电压下输出噪声与频率间的关系（噪声频谱密度）
100
80
200
160
120
80
100
80
200
160
120
80
60
60
40
40
20
40
20
40
0
0
0
0
-20
-40
-60
-80
-100
-40
-80
-120
-160
-200
-20
-40
-60
-80
-100
-40
-80
-120
-160
-200
Gain 0 A
Phase 0 A
Gain 1.5 A
Phase 1.5 A
Gain 1 A
Phase 1 A
1k
10k
100k
1M
10M
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
COUT = 2 × 100μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装和塑料封
装差异的信息，请参阅表10-4。
COUT = 2 × 100μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装和塑料封
装差异的信息，请参阅表10-4。
IOUT = 0A：相位裕度= 83°，增益裕度= 29dB
相位裕度= 98°，增益裕度= 19dB
图7-21. 增益和相位与频率间的关系（波特图）
IOUT = 1.5A：相位裕度= 99°，增益裕度= 19dB
图7-20. 增益和相位与频率间的关系（波特图）
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7.7 典型特性(continued)
VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，COUT = 2 × 100µF，CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS
= 4.7µF，TA = 25°C，除非另有说明，否则在10Hz 至100kHz 带宽下报告积分噪声。
100
80
200
160
120
80
60
40
20
40
0
0
-20
-40
-60
-80
-100
-40
-80
-120
-160
-200
Gain 1 A
Phase 1 A
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
COUT = 2 × 100μF + 0.1μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装
和塑料封装差异的信息，请参阅表10-4。
COUT = 2 × 100μF + 0.1μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装
和塑料封装差异的信息，请参阅表10-4。
IOUT = 0A：相位裕度= 61°，增益裕度= 27dB
相位裕度= 98°，增益裕度= 13dB
图7-23. 增益和相位与频率间的关系（波特图）
IOUT = 1.5A：相位裕度= 99°，增益裕度= 12dB
图7-22. 增益和相位与频率间的关系（波特图）
100
80
200
160
120
80
100
80
200
160
120
80
60
60
40
40
20
40
20
40
0
0
0
0
-20
-40
-60
-80
-100
-40
-80
-120
-160
-200
-20
-40
-60
-80
-100
-40
-80
-120
-160
-200
Gain 0 A
Phase 0 A
Gain 1.5 A
Phase 1.5 A
Gain 1 A
Phase 1 A
1k
10k
100k
1M
10M
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
COUT = 1 × 220μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装和塑料封
装差异的信息，请参阅表10-4。
COUT = 1 × 220μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装和塑料封
装差异的信息，请参阅表10-4。
IOUT = 0A：相位裕度= 71°，增益裕度= 30dB
相位裕度= 98°，增益裕度= 14dB
图7-25. 增益和相位与频率间的关系（波特图）
IOUT = 1.5A：相位裕度= 91°，增益裕度= 14dB
图7-24. 增益和相位与频率间的关系（波特图）
100
80
200
160
120
80
100
80
200
160
120
80
60
60
40
40
20
40
20
40
0
0
0
0
-20
-40
-60
-80
-100
-40
-80
-120
-160
-200
-20
-40
-60
-80
-100
-40
-80
-120
-160
-200
Gain 0 A
Phase 0 A
Gain 1.5 A
Phase 1.5 A
Gain 1 A
Phase 1 A
1k
10k
100k
1M
10M
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
COUT = 1 × 220μF + 0.1μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装
和塑料封装差异的信息，请参阅表10-4。
COUT = 1 × 220μF + 0.1μF。有关使用的电容器以及陶瓷封装
和塑料封装差异的信息，请参阅表10-4。
IOUT = 0A：相位裕度= 72°，增益裕度= 19dB
相位裕度= 94°，增益裕度= 9dB
图7-27. 增益和相位与频率间的关系（波特图）
IOUT = 1.5A：相位裕度= 66°，增益裕度= 8dB
图7-26. 增益和相位与频率间的关系（波特图）
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7.7 典型特性(continued)
VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，COUT = 2 × 100µF，CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS
= 4.7µF，TA = 25°C，除非另有说明，否则在10Hz 至100kHz 带宽下报告积分噪声。
200
180
160
140
120
100
80
220
200
180
160
140
120
100
80
60
60
40
40
VDO: VIN = 0.85 V, VBIAS = 2.2 V
VDO: VIN = 5 V, VBIAS = 6.6 V
20
20
0
-55
0
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
0
200
400
600
Current (mA)
800
1000 1200 1400
VBIAS = VIN + 1.6V
Temperature (°C)
图7-28. 压降电压与温度间的关系
VIN = 5V
图7-29. 压降电压与电流间的关系
1.1
1.2
1.15
1.1
1.075
1.05
1.025
1
1.05
1
0.95
0.9
0.85
0.8
0.975
0.95
0.925
0.9
0.75
0.7
VDO: VIN = VBIAS = 2.2 V
VDO: VIN = VBIAS = 5 V
VDO: VIN = VBIAS = 5 V
VDO: VIN = VBIAS = 3.3 V
0.65
0.6
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
0
200
400
600 800 1000 1200 1400
Current (mA)
Temperature (°C)
图7-30. 不使用单独的VBIAS 时压降电压与温度间的关系
图7-31. 不使用单独的VBIAS 时压降电压与电流间的关系
26
20
IQ_IN: VIN = 0.85 V, VBIAS = 2.2 V, VOUT = 0.4 V
IQ_IN: VIN = 7 V, VBIAS = 14 V, VOUT = 5.5 V
IQ_BIAS: VIN = 0.85 V, VBIAS = 2.2 V, VOUT = 0.4 V
IQ_BIAS: VIN = 7 V, VBIAS = 14 V, VOUT = 5.5 V
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
19
18
17
16
15
14
13
12
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
Temperature (°C)
Temperature (°C)
IOUT = 0A
图7-32. 静态电流与温度间的关系
IOUT = 0A
图7-33. 偏置电流与温度间的关系
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7.7 典型特性(continued)
VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，COUT = 2 × 100µF，CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS
= 4.7µF，TA = 25°C，除非另有说明，否则在10Hz 至100kHz 带宽下报告积分噪声。
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
20
19
18
17
16
15
14
13
12
IIN_GND: VIN = 0.85 V, VBIAS = 2.2 V, VOUT = 0.4 V
IIN_GND: VIN = 7 V, VBIAS = 14 V, VOUT = 5.5 V
IBIAS: VIN = 0.85 V, VBIAS = 2.2 V, VOUT = 0.4 V
IBIAS: VIN = 7 V, VBIAS = 14 V, VOUT = 5.5 V
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
Temperature (°C)
Temperature (°C)
IOUT = 1.5A
IOUT = 1.5A
图7-34. 接地电流与温度间的关系
图7-35. 偏置电流与温度间的关系
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
750
700
650
600
550
500
450
400
350
ISHDN_BIAS: VIN = 0.85 V, VBIAS = 2.2 V
ISHDN_BIAS: VIN = 7 V, VBIAS = 14 V
ISHDN: VIN = 0.85 V, VBIAS = 2.2 V
ISHDN: VIN = 7 V, VBIAS = 14 V
0
-55
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
Temperature (°C)
Temperature (°C)
VEN = 0V
图7-37. 偏置关断电流与温度间的关系
VEN = 0V
图7-36. 关断电流与温度间的关系
101
100.8
100.6
100.4
100.2
100
100
50
0
-50
-100
-150
-200
-250
-300
-350
-400
99.8
99.6
99.4
99.2
99
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
Temperature (°C)
Temperature (°C)
图7-38. SET 引脚电流与温度间的关系
IOUT = 1mA
图7-39. 失调电压与温度间的关系
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7.7 典型特性(continued)
VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，COUT = 2 × 100µF，CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS
= 4.7µF，TA = 25°C，除非另有说明，否则在10Hz 至100kHz 带宽下报告积分噪声。
-25
-26
-27
-28
-29
-30
-31
-32
-33
-34
-35
1.823
1.821
1.819
1.817
1.815
1.813
1.811
1.809
1.807
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
0
250
500
750
1000
1250
1500
Temperature (°C)
Current (mA)
图7-41. 输出电压与温度间的关系
图7-40. 失调电压与电流间的关系
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
Temperature (°C)
VEN = 7 V
VIN = 7 V
VBIAS = 14 V
VFB_PG = 6V
IOUT = 1mA
VIN = 7 V
VBIAS = 14 V
图7-42. 使能漏电流与温度间的关系
图7-43. FB_PG 引脚漏电流与温度间的关系
200
180
160
140
120
100
80
260
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
60
40
40
20
20
0
0
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
Temperature (°C)
Temperature (°C)
VIN = 0.85 V
IPG = 2 mA
VBIAS = 2.2 V
IOUT = 1mA
VIN = 7 V
VPG = 7 V
VBIAS = 14 V
IOUT = 1mA
图7-44. PG 引脚输出低电平与温度间的关系
图7-45. PG 引脚漏电流与温度间的关系
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7.7 典型特性(continued)
VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，COUT = 2 × 100µF，CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS
= 4.7µF，TA = 25°C，除非另有说明，否则在10Hz 至100kHz 带宽下报告积分噪声。
2.13
2.12
2.11
2.1
18%
16%
14%
12%
10%
8%
ISS_SET(start): VIN = 2.5 V, VBIAS = 3.5 V
ISS_SET(start): VIN = 7 V, VBIAS = 14 V
2.09
2.08
2.07
2.06
2.05
6%
4%
2%
0
-55
-35
-15
5
25
45
65
85
105 125
Temperature (°C)
IOUT = 0mA
图7-46. 启动期间的SS_SET 引脚电流与温度间的关系
Offset Voltage (µV)
0.85V ≤VIN ≤7V，2.2V ≤VBIAS ≤14V，IOUT = 1mA
图7-47. TA = –55°C 时的输出失调电压分布
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
4%
2%
0
Offset Voltage (µV)
0.85V ≤VIN ≤7V，2.2V ≤VBIAS ≤14V，IOUT = 1mA
图7-48. TA = 25°C 时的输出失调电压分布
0.85V ≤VIN ≤7V，2.2V ≤VBIAS ≤14V，IOUT = 1mA
图7-49. TA = 125°C 时的输出失调电压分布
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
6%
4%
4%
2%
2%
0
0
ISET Current (µA)
ISET Current (µA)
0.85V ≤VIN ≤7V，2.2V ≤VBIAS ≤14V，IOUT = 1mA
0.85V ≤VIN ≤7V，2.2V ≤VBIAS ≤14V，IOUT = 1mA
图7-50. TA = –55°C 时的ISET 电流分布
图7-51. TA = 25°C 时的ISET 电流分布
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7.7 典型特性(continued)
VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，COUT = 2 × 100µF，CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS
= 4.7µF，TA = 25°C，除非另有说明，否则在10Hz 至100kHz 带宽下报告积分噪声。
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
6%
4%
4%
2%
2%
0
0
ISET Current (µA)
Output Voltage Accuracy
0.85V ≤VIN ≤7V，2.2V ≤VBIAS ≤14V，IOUT = 1mA
图7-52. TA = 125°C 时的ISET 电流分布
0.85V ≤VIN ≤7V，1mA ≤IOUT ≤1.5A，2.2V ≤VBIAS
14V，PD ≤4W
≤
图7-53. TA = –55°C 时的输出电压精度分布
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
20%
18%
16%
14%
12%
10%
8%
6%
6%
4%
4%
2%
2%
0
0
Output Voltage Accuracy
0.85V ≤VIN ≤7V，1mA ≤IOUT ≤1.5A，2.2V ≤VBIAS
14V，PD ≤4W
Output Voltage Accuracy
0.85V ≤VIN ≤7V，1mA ≤IOUT ≤1.5A，2.2V ≤VBIAS
14V，PD ≤4W
≤
≤
图7-54. TA = 25°C 时的输出电压精度分布
图7-55. TA = 125°C 时的输出电压精度分布
1.88
1.84
1.8
4
1.95
1.905
1.86
4
VOUT
IOUT
VOUT
IOUT
3.6
3.2
2.8
2.4
2
3.6
3.2
2.8
2.4
2
1.815
1.77
1.76
1.72
1.68
1.64
1.6
1.725
1.68
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.635
1.59
1.56
1.52
1.48
1.545
1.5
Time (200 ns/div)
Time (200 ns/div)
压摆率= 13.1 A/µs
图7-57. 负载阶跃：1.5 A 至1 mA
压摆率= 10.1 A/µs
图7-56. 负载阶跃：1 mA 至1.5 A
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7.7 典型特性(continued)
VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，COUT = 2 × 100µF，CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS
= 4.7µF，TA = 25°C，除非另有说明，否则在10Hz 至100kHz 带宽下报告积分噪声。
18
12
6
7.2
6.4
5.6
4.8
4
18
12
6
7.2
6.4
5.6
4.8
4
VOUT
IOUT
VOUT
IOUT
0
0
-6
-6
-12
-18
-24
-30
-36
-42
3.2
2.4
1.6
0.8
0
-12
-18
-24
-30
-36
-42
3.2
2.4
1.6
0.8
0
-0.8
-0.8
Time (500 ns/div)
Time (500 ns/div)
压摆率= 0.9 A/µs
图7-58. 负载阶跃：1 mA 至1.5 A
压摆率= 1.0 A/µs
图7-59. 负载阶跃：1.5 A 至1 mA
1.88
1.84
1.8
4
1.95
4
VOUT
IOUT
VOUT
IOUT
1.905
1.86
3.6
3.2
2.8
2.4
2
3.6
3.2
2.8
2.4
2
1.815
1.77
1.76
1.72
1.68
1.64
1.6
1.725
1.68
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
1.635
1.59
1.56
1.52
1.48
1.545
1.5
Time (200 ns/div)
Time (200 ns/div)
压摆率= 8.1 A/µs
IOUT 仅仅是步进变化的电流，
压摆率= 8.5 A/µs
IOUT 仅仅是步进变化的电流，
未显示并联的0.5A 负载
未显示并联的0.5A 负载
图7-61. 负载阶跃：1.5 A 至0.5 A
图7-60. 负载阶跃：0.5 A 至1.5 A
6
5.4
4.8
4.2
3.6
3
1.8
6
5.4
4.8
4.2
3.6
3
1.8
VIN
VOUT
VIN
VOUT
1.65
1.5
1.65
1.5
1.35
1.2
1.35
1.2
1.05
0.9
1.05
0.9
2.4
1.8
1.2
0.6
0
2.4
1.8
1.2
0.6
0
0.75
0.6
0.75
0.6
0.45
0.3
0.45
0.3
Time (100 µs/div)
Time (100 µs/div)
VOUT = 0.4 V
VOUT = 0.4 V
压摆率：20.2V/ms
压摆率= 144.8V/ms
图7-62. 线路阶跃：1.8V 至5V，其中IOUT = 1.5A
图7-63. 线路阶跃：5V 至1.8V，其中IOUT = 1.5A
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7.7 典型特性(continued)
VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，IOUT = 1A，COUT = 2 × 100µF，CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS
= 4.7µF，TA = 25°C，除非另有说明，否则在10Hz 至100kHz 带宽下报告积分噪声。
6
5.4
4.8
4.2
3.6
3
1.8
6
5.4
4.8
4.2
3.6
3
1.8
VIN
VOUT
VIN
VOUT
1.65
1.5
1.65
1.5
1.35
1.2
1.35
1.2
1.05
0.9
1.05
0.9
2.4
1.8
1.2
0.6
0
2.4
1.8
1.2
0.6
0
0.75
0.6
0.75
0.6
0.45
0.3
0.45
0.3
Time (100 µs/div)
Time (100 µs/div)
VOUT = 0.4 V
VOUT = 0.4 V
压摆率= 84.0V/ms
压摆率= 85.1V/ms
图7-64. 线路阶跃：1.8V 至5V，其中IOUT = 1mA
图7-65. 线路阶跃：5V 至1.8V，其中IOUT = 1mA
VOUT (0.5 V/div)
VSS_SET (0.5 V/div)
VEN (2 V/div)
time (2 ms/div)
图7-66. 启动波形
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8 参数测量信息
4VIN
VIN
4VOUT
VOUT
A. ΔVOUT / ΔVIN = 3µV/V（典型值）。这表示如果VIN 发生1V 的变化(ΔVIN = 1V)，则VOUT 会发生3µV 的变化(ΔVOUT = 3µV)。线路
调节是一个直流参数；因此，仅在瞬变消失后或VIN 压摆率较慢时此波形才被视为有效。
图8-1. 线路调节
4IOUT
IOUT
VOUT
4VOUT
A. ΔVOUT / ΔIOUT = 500µV/A（典型值）。这表示如果IOUT 发生1A 变化(ΔIOUT = 1A)，则VOUT 会发生500µV 的变化(ΔVOUT
500µV)。负载调节是一个直流参数；因此，仅在瞬变消失后或IOUT 压摆率较慢时此波形才被视为有效。
=
图8-2. 负载调节
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9 详细说明
9.1 概述
TPS7H1111（TPS7H1111-SP 和 TPS7H1111-SEP）是一款超低噪声、高 PSRR、低压降线性稳压器 (LDO)，针
对为航天环境中的射频器件供电进行了优化。它使用 NMOS 通道元件，能够在 0.85V 至7V 输入范围内提供高达
1.5A 的电流。BIAS 引脚（2.2V 至 14V）支持使用偏置轨以促进低 VIN 至 VOUT 运行，因而限制功率耗散。该器
件可产生超洁净的输出电源轨，并可使用更少的外部元件进行配置。
TPS7H1111 具有辐射性能、低噪声和高 PSRR，非常适合为卫星中的噪声敏感型元件供电。该器件具有高性能，
可抑制电源产生的相位噪声和时钟抖动，因此它非常适合为高性能 ADC、DAC、VCO、PLL、串行器/解串器和其
他射频元件供电。
对于需要以低输入电压和低输出电压运行的数字负载（例如应用特定集成电路 (ASIC)、FPGA 和 DSP），
TPS7H1111 所具备的出色精度（在线路、负载和温度范围内可达 +1.2%/–1.3%），遥感功能、出色的瞬态性能
和软启动能力可确保实现出色的系统性能。
此外，稳压器还包含各种可简化电气系统和提供系统灵活性的功能。这些特性包括使能功能 (EN)、可配置电源正
常输出(PG)、软启动控制(SS_SET)、具有可配置行为的内部电流限制(CLM) 和外部环路补偿(STAB)。
9.2 功能模块图
Internal
Current Limit
IN
IN
OUT
OUT
Bias
Regulator
AVDD
BIAS
REF
CLM
1.2V VREF
Driver
+
STAB
-
I
SET = IREF
IFS
OUTS
PG
Fast Start
Disable
VFB_PG(threshold)
+
–
SS_SET
EN
Logic
GND
FB_PG
Thermal
Shutdown
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9.3 特性说明
9.3.1 辅助电源
为了使器件正常运行，需要将一个辅助电源连接到BIAS 引脚。根据余量电压和输出电流条件，辅助电源电压可能
与输入电压电源相同，也可能是单独的较高电压电源。请注意，余量电压定义为工作条件下VIN 和VOUT 之间的差
值(Vheadroom = VIN –VOUT)。在所有情况下，VBIAS 和VIN 之间没有时序要求。
如表9-1 中所示，如果余量电压大于或等于1.6V，则无需单独的更高辅助电源。如果余量电压低于 1.6V，则需要
单独的更高辅助电源电压才能充分发挥性能。在表9-1 所示的所有情况下，均可在指定的压降电压下实现1.5A 的
满量程输出电流（请参阅电气特性表）。
表9-1. 充分发挥性能所需的偏置轨要求
余量(VIN - VOUT
≥1.6V
)
偏置要求(1)
使用与VIN 相同的电压轨或≥VIN 的任何VBIAS
在VBIAS ≥VOUT + 1.6V 的情况下，使用与VIN 不同的电压轨
< 1.6V
(1) 在所有情况下，2.2V≤VBIAS ≤14V
表9-2 显示了支持的VBIAS、VIN 和VOUT 组合的示例，这些组合可通过标准电压轨实现，从而实现1.5A 的完整输
出电流支持。可以看出，12V 辅助电源将支持所有列出的标准输出电压轨（一般来说，5V 电源就够了）。另请注
意，在VBIAS 和VIN 电压相同的情况下，不需要单独的电源。
表9-2. 充分发挥性能的偏置轨标准轨示例
VBIAS (V)
VIN (V)
VOUT (V)
5
3.3
2.5
1.8
1.1
2.5
1.8
1.1
1.1
5、3.3
12
5、3.3、2.5
5、3.3、2.5、1.8
5、3.3
5
5、3.3、2.5
5、3.3、2.5、1.8
3.3、2.5、1.8
3.3
虽然一般情况下建议遵循上述偏置电压要求，但有时这并不可行（例如，在余量很小且没有提供单独的偏置电压
轨时）。在这种情况下，仍然可以运行 TPS7H1111，但代价是降低了输出电流（并可能降低性能，例如降低
PSRR）。在电气特性表中将此条件（VBIAS = VIN 且余量很小）指定为 VBIAS = VIN 时的压降电压。通过满足由此
产生的压降电压要求，器件保持正常运行。
可能无法充分发挥性能的一个受支持组合示例是 VBIAS = VIN = 5V 且 VOUT = 3.3V。假设 5V 电源轨具有 5% 的容
差，3.3V 输出具有 +1.2% 的指定最大容差，最坏情况下的余量为 Vheadroom = 4.75 - 3.34 = 1.41V。这个 1.41V
小于建议的 1.6V。但是，如电气特性表中所示，此余量大于 1.5A 满载电流下所需的压降。因此，预计可支持全
电流，但其他参数可能无法充分发挥性能（如PSRR）。
在耦合到输出之前，偏置轨上的任何噪声都会通过 PSRRBIAS 规格来衰减。除非偏置轨是超洁净电源轨，否则此
噪声耦合将成为产生干净输出电压的限制因素。因此，应使用 RC 滤波器来更大限度地减少 BIAS 引脚的噪声输
入。由于 BIAS 引脚具有较低的电流要求，这是可行的。一般情况下，10Ω 和 4.7μF 足以确保尽可能减少从
BIAS 引脚传播到输出电压的噪声。所选的电阻器值必须足够低，以确保产生的 IR 压降不会导致偏置电压变得过
低，从而确保正常运行。
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9.3.2 输出电压配置
通过在 SS_SET 引脚与 GND 之间放置一个电阻器 RSET 来设置 TPS7H1111 的输出电压。在正常运行期间，从
SS_SET 引脚输出 100μA 电流。通过适当地选择 RSET，即可在 SS_SET 引脚上生成如方程式 1 中计算的期望
输出电压。此电压将通过内部单位增益误差放大器复制到输出端，如图9-1 所示。
VSS_SET = ISET × RSET
(1)
其中
• ISET = 100μA（典型值）
• VSS_SET = 配置为期望输出电压VOUT 的设定电压
Inputsupply
IN
OUT
Output load
REF
1.2V VREF
AVDD
12kΩ
+
-
ISET = IREF
OUTS
SS_SET
RSET
图9-1. 配置输出电压的简化示意图
在 REF 引脚与 GND 之间放置一个 12kΩ 电阻器来配置 100μA 基准电流。RREF 电阻器上的 1.2V 将产生大约
100μA 的基准电流。此电流镜像至 SS_SET 引脚以生成一个高精度基准电流。通常，建议为 RREF 和RSET 使用
精度为 0.1% 的电阻器来精确设置电流。如果使用了精度为 0.1% 的电阻器，则由于存在 RREF 电阻器，ISS_SET
误差将为 0.1%。此外，RSET 电阻器的 0.1% 误差也会导致 VOUT 出现精度误差。TPS7H1111 在整个线路、负载
和温度范围内的精度规格为 +1.2%/-1.3%，但必须单独添加电阻器容差误差。常用输出电压和电阻器值如表 9-3
所示。
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表9-3. 所示VOUT 的RSET 值
输出电压VOUT
0.4V
0.7 V
1V
0.1% 容差电阻器的值
4.02kΩ
6.98kΩ
10kΩ
1.1V
1.2V
1.5V
1.8V
2.5V
3.3V
4V
11kΩ
12kΩ
15kΩ
18kΩ
24.9kΩ
33.2kΩ
40.2kΩ
49.9kΩ
5V
此外，如果需要更高的精度，则可以使用匹配的电阻器（精度比率通常优于 0.1%）。例如，可以为 RREF 选择一
个匹配的标称 12kΩ ±5% 电阻器，使 RSET/RREF 比率为 0.01%（或更高）。在这种情况下，不使用方程式 1 来
计算设定电压，而使用方程式2。
VSS_SET = (1.2 / RREF) × RSET
(2)
其中
• VSS_SET = 设置为期望输出电压VOUT 的设定电压
方程式2 让用户可以轻松计算由于RREF 和RSET 电阻器不匹配而导致的设定输出电压中的误差。但是，虽然改进
的电阻器比率可能会提高输出精度，但仍存在其他误差源。这些源包括固有基准电流精度本身和误差放大器失调
电压。
输出电压精度 VACC 在电气特性表中指定了 –1.3% 的最小精度和 +1.2% 的最大精度。此规格适用于整个温度范
围（–55°C 至 125°C）、所有输入电压（0.85V ≤ VIN ≤ 7V 和 2.2V ≤ VBIAS ≤ 14V）以及最高为满载（1mA
≤IOUT ≤1.5A）的情况。下面指出了有关测量的一些额外详细信息：
• 在所有可能的线路、负载和温度组合下，VIN、VBIAS、IOUT 和温度的范围都能满足规格要求。通过测试涵盖各
种情况的多个偏置条件来实现测试目标。
• 电气特性中的脚注4 指定了VBIAS ≥VIN 和VBIAS ≥VOUT + 1.6V。这是因为并非所有VIN 和VBIAS 的极端值
都是可行的（例如，VIN = 7V 和VBIAS = 2.2V 就没有意义）。
• 电气特性中的脚注5 规定了测量时的功率耗散限制为最大4W。这是由于测试仪存在热限制。在热性能良好的
典型应用板上，没有固有的限制。
• 测试条件指定的最小值为1mA，而不是0mA，以便实现更可靠的精度测量。但在正常应用中，为实现稳定
性，TPS7H1111 器件并没有最小负载电流要求。
• 承受TID 后的规格在室温下测量（为避免在高温下退火而采用MIL 标准)。TPS7H1111 指定承受TID 后的最小
精度为–0.7%，最大精度为+1.1%。相比之下，承受TID 前的最小精度为–0.7%，最大精度为+0.9%。
• TI 不建议在VACC 规格中包括以下误差项，因为它们固有地包括在VACC 参数中：ISET 电流精度，VOS（输出
失调电压），VREF 电压精度，ΔVOUT/ΔVIN（线路调节），ΔVOUT/ΔIOUT（负载调节），VOUT 温度系数。
• 因为参数中不包括由于RREF 和RSET 电阻器容差等外部组件而产生的误差，所以它们可以添加到VACC 规格
中。
有关确定输出电压精度的额外信息，请参阅节10.2.1.2.3。
9.3.3 使用电压源的输出电压配置
由于 TPS7H1111 输出电压等于 SS_SET 电压（减去任何偏移误差），因此也可以通过在SS_SET 上提供电压来
配置TPS7H1111。如图9-2 所示，电压源VSET 馈入SS_SET。DAC 可用作电压源，以实现可配置的电压控制。
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TPS7H1111
VOUT
VIN
IN
OUT
OUT
IN
CIN
REN_TOP
COUT
CCOMP
RCOMP
RPG
CLM
EN
STAB
PG
REN_BOT
VPG
RFILTER
SS_SET
REF
BIAS
OUTS
FB_PG
GND
RFBPG_TOP
CFILTE R
+
VSET
RSHUNT
œ
RBIAS
RFBPG_BOT
RREF
2.2 V t íð V
CBIAS
图9-2. 使用SS_SET 上的电压源配置输出电压的简化原理图
使用此方法时，应考虑一些独特的注意事项：
• 当在SS_SET 上提供电压源时，VSET 的噪声不依赖于超低噪声基准电流，而是通过单位增益误差放大器传递
到输出端。如图所示，建议在VSET 和SS_SET 之间使用RC 滤波器，以便更大限度地降低噪声。
• 由于TPS7H1111 输出电压直接跟随SS_SET，因此在启动期间不会出现软启动。建议控制VSET 电压压摆率
以确保实现期望的软启动时间。VSET 和SS_SET 之间的RC 滤波器可能有助于实现这种压摆率控制。
• SS_SET 引脚将在运行期间输出标称的100μA 电流，在“软启动”期间输出2.1mA 的电流（当VFB_PG
FB_PG(rising) 时）。为了处理此电流，可能需要一个分流电阻器。
<
V
9.3.4 启用
当使能引脚为低电平时，器件将进入关断模式，而不会调节输出电压。通常，从VIN 到GND 使用一个外部电阻分
压器为EN 馈电。可以适当调整电阻器的大小，以便在达到期望的预设输入电压时导通器件，如方程式3 所示。
VIN(rising) = VEN(rising) × (REN_TOP + REN_BOT) / REN_BOT
(3)
同样，也可以使用方程式 4 计算 VIN(falling) 电压。VIN(rising) 和 VIN(falling) 可以被看作是可配置的 UVLO（欠压锁
定）阈值。
VIN(falling) = VEN(falling) × (REN_TOP + REN_BOT) / REN_BOT
(4)
虽然 TPS7H1111 将在 0.6V（典型值）的 VEN 下导通，但建议 VEN 的最终值要高于 0.8V。这是为了确保在正常
运行期间具有高于使能阈值的适当裕度，从而防止在接触重离子时出现SEFI。满足方程式5 即可实现这项建议。
VIN(final) × REN_BOT / (REN_TOP + REN_BOT) = VEN(final) > 0.8V
(5)
或者，可以直接从微控制器或 FPGA 驱动 EN 引脚。使能引脚的低电压阈值有助于支持 1.1V、1.8V、2.5V 和
3.3V 逻辑电平。同样，建议VEN 的最终值高于0.8V（这通常可通过标准逻辑电平轻松实现）。
9.3.5 软启动和降噪
除了设置输出电压之外，SS_SET 引脚还提供另外两个重要功能：对软启动时间进行编程以及为内部基准电流生
成噪声滤波器。在大多数应用中，为了获得噪声足够低的性能，建议至少使用一个4.7μF 电容器。可以接受较大
值的电容器；但是，如果使用大于4.7μF 的电容器，则降低输出噪声的效果会减弱。
此电容器还会减慢 SS_SET 电压斜升速率，因此会抑制 LDO 开通时间（软启动）。但是，如果电容器仅由 ISET
电流（标称值为 100μA）充电，则启动时间会过长。为此，有额外的快速充电电流源 (IFS ≈ 2mA）在启动期间
处于活动状态。因此，使用4.7μF 电容器可实现3.7ms 的标称软启动时间。图9-3 显示了这个电路的简化图。
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Inputsupply
IN
OUT
AVDD
ISET
Output load
+
-
IFS
OUTS
Fast Start
Enable/Disable
RFBPG_TOP
SS_SET
œ
VFB_PG(threshold)
+
FB_PG
CSS
RSET
RFBPG_BOT
图9-3. 显示启动电路的简化原理图
在达到 FB_PG 阈值（通常为 300mV）之前，这个快速充电电路处于激活状态。达到 FB_PG 阈值后，快速启动
电流将关断，且将完成方程式6 中所示的软启动时间。CSS 将使用100μA（典型值）基准电流继续充电至其最终
值（由RSET 电阻器确定）。图9-4 显示了一个示例启动波形。在此波形中，假设EN 馈入VIN 的分压版本。
t
SS ≈CSS × VOUT(assert_threshold) / ISS_SET(startup)
(6)
其中
• tSS = 软启动时间
• ISS_SET(startup) = IFS + ISET = 2.1mA（典型值）
• V(assert_threshold) = PG 被置为有效的VOUT 的配置值（通常为VOUT(final) 的90%，请参阅节9.3.6）
请注意，快速充电电流 (IFS) 和设定电流 (ISET) 都在软启动时间 (tSS) 内有效，并在电气特性表中报告为
SS_SET(start)。这个 2.1mA 的典型值对一个 12kΩ RREF 电阻器有效。由于快速充电电流是通过流经 RREF 电阻器
I
的电流在内部计算出，因此大于或小于12kΩ的值分别会导致IFS 电流减小或增大。
如果不需要快速启动电路，请将 FB_PG 引脚连接至 VOUT。这将确保在快速达到 FB_PG 阈值时快速关断快速启
动电路。请注意，这会影响PG 引脚的行为，如节9.3.6 中所述。
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VBIAS(final)
VIN(final)
0 V
VEN(rising)
0 V
tEN_delay
VOUT(final)
VOUT(assert_threshold)
0 V
10 mV
tSS
VFB_PG(rising)
0 V
fast start
ISS_SET(start)
ISET
0 A
VOUT(final)
0 V
IOUT(final)
0 A
图9-4. 显示启动波形的简化原理图
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9.3.6 可配置电源正常
电源正常状态指示器引脚 PG 是一个开漏引脚，当输出电压达到期望值时置为有效。PG 引脚可以通过电阻器上拉
至 VOUT、VIN 或另一个小于建议最大值 7V 的电压电平。选择电阻器大小，使 PG 灌入的最大电流保持在建议工
作条件下的最大电流2mA 以下。
请注意、如果在 VIN 或 VBIAS 提供给器件之前将 PG 上拉至一个外部电压，则由于驱动强度不足，可能无法下拉
PG。VIN(MIN_PG) 在电气特性表中指定为 VIN 或 VBIAS 必须达到的最小值，以使 PG 具有足够的下拉强度，可以在
小于或等于 0.6mA 的电流下将 PG 下拉至低于 0.5V。VIN 和 VBIAS 达到其适当的最终电压后，PG 引脚就具有全
驱动强度。
通过电阻分压器将输出电压馈送到FB_PG 引脚，可以配置PG 置位电平。FB_PG 引脚的典型阈值为300mV。达
到或超过此阈值时，PG 引脚置为有效。方程式 7 表示如何计算 PG 置位时的 VOUT 值（未考虑 FB_PG 引脚漏电
流，其影响很小）。如节9.3.5 所述，当达到此电平时，快速启动电路也会关闭。
VFB_PG(rising) = VOUT(assert_threshold) × RFBPG_BOT / (RFBPG_TOP + RFBPG_BOT
)
(7)
为了确保 PG 在达到最终输出电压时置位，必须考虑输出电压、FB_PG 阈值和电阻器容差电平的最坏情况容差。
通常，将电阻分压器配置为使V(assert_threshold) 达到VOUT(final) 的90% 或小于它就足够了。
PG 失效阈值也可以使用方程式8 计算。
VFB_PG(rising) - VFB_PG(hysteresis) = VOUT(deassert_threshold) × RFBPG_BOT / (RFBPG_TOP + RFBPG_BOT
)
(8)
如果未使用PG 引脚，则可以将其拉至接地。但是，如果需要节9.3.5 中所述的快速启动电路，则仍必须正确配置
FB_PG 引脚。
9.3.7 电流限值
内部电流限制 ILIM 是电流限制值。根据 CLM 引脚的值，有两种类型的电流限制行为。首先，当 CLM 为高电平
时，存在砖墙电流限制。当CLM 为低电平时，存在关断电流限制。CLM 可直接连接至 VIN 或直接连接至 GND，
以便控制电流限制运行。启用器件时，请勿更改此引脚的值，也不要将此引脚悬空。
图 9-5 中显示了砖墙式电流限制，也称为恒定电流限制。在此模式下，一旦达到 ILIM 且电流限制电路有时间作出
响应，则 TPS7H1111 LDO 会进入恒定电流调节模式。换言之，输出电压将降至保持输出电流为 ILIM 所需的任何
值。排除故障后，器件将恢复调节。通常，由于SS_SET 引脚在故障期间被拉低以使CSS 电容器快速放电，所以
软启动时间与初始启动期间相同。但是，如果故障发生得非常快，CSS 电容器可能没有完全放电，这会缩短启动
时间。
由于砖墙式电流限制中的功率耗散较高，TPS7H1111 可能会进入热关断状态，从而导致器件停止调节，直至它冷
却到足以退出热关断。
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WARNING
TPS7H1111 不会无限期地保持砖墙电流限制模式。
VOUT(NOM)
VOUT(short)
0 V
ILIM
IOUT(NOM)
0 A
ROUT(NOM)
Fault fully removed
Fault begins
ROUT(Short)
0
PSHORT
PNOM
图9-5. 简化的砖墙电流限制波形（CLM 高电平）
或者，如果CLM 为低电平，则存在关断电流限制。该行为如图9-6 所示。在关断电流限制中，如果达到电流限值
ILIM，TPS7H1111 LDO 将停止调节（短暂延迟 ~28µs 后）。在EN 下电上电（变为低电平，然后变为高电平）之
前，LDO 将不会恢复调节。
关断电流限制的主要优势是，在达到电流限制后，不会持续出现高功耗。但是，其主要缺点是，在消除故障后，
器件不会自动恢复调节。因此，外部监控器必须确定何时发生故障并决定何时切换 EN 引脚。这通常可以通过监
控 PG 引脚的现有器件（例如 FPGA 或微控制器）轻松实现。如果监控器检测到 PG 引脚失效，则可以切换 EN
以尝试恢复调节。
当 EN 从高电平切换到低电平再到高电平时，它必须在低电平至少保持 tEN_LOW (20µs)。此外，建议在 SS_SET
放电至其标称值的 5% 之前不要切换 EN，以便在重启期间有足够的软启动，从而避免立即重新进入电流限制状
态。
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VOUT( nal)
No restart even a er fault
removed (un l EN cycled)
0 V
0 A
0
ILIM
IOUT(NOM)
ROUT(NOM)
Fault fully removed
Fault begins
ROUT(Short)
PSHORT(MAX)
PNOM
0 W
图9-6. 简化的关断电流限制波形（CLM 低电平）
9.3.8 稳定性
默认外部补偿（CCOMP = 4.7nF，RCOMP = 5kΩ）足以确保器件在 建议运行条件（输出电容和寄生电容的默认范
围）下运行时的稳定性。
如果使用的器件具有与建议运行条件中不同的输出电容，则可能需要不同的补偿。影响稳定性的主要因素是输出
电容、其ESR（等效串联电阻）和ESL（等效串联电感）。有关更多信息，请参阅节9.3.8.2。
可通过创建控制环路的波特图来验证稳定性。可以通过将信号注入反馈路径来创建波特图。通常，通过 OUT 和
OUTS 之间连接的阻值为5Ω至50Ω的电阻器注入信号。在执行其他测量和标称运行期间，移除此电阻器（或使
用0Ω分流器）。相位裕度的常见目标为50°，增益裕度的目标为6dB。
9.3.8.1 输出电容
TPS7H1111 针对单个 220μF 钽输出电容器或两个 100μF 电容器进行了优化。建议运行条件中指定了可接受电
容值、ESR 和ESL 的完整范围。应该注意验证所选电容器是否能够满足在所有运行条件下的要求。此外，还可以
包括一个 0.1μF 陶瓷电容器。将一个或多个钽电容器靠近 TPS7H1111 的输出端放置，并将陶瓷电容器放置在负
载点附近。
ESR（等效串联电阻）是需要考虑的重要寄生元件，电容器的 ESR 值会随着频率的变化而变化。钽电容器的
ESR 值通常在 100kHz 下给出，建议运行条件表中的值大致对应于 100kHz 下的值。但实际上，环路交叉频率下
的 ESR 是影响 TPS7H1111 控制环路稳定性的主要因素。环路交叉频率可以高于或低于 100kHz。因此，尽管可
以将ESR 值的范围视为很好的指导原则，但谨慎的做法是对稳定性进行额外验证。
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另请注意，电容、ESR 和 ESL 要求适用于整个大容量电容。如果 2 个 100μF 电容器中的每一个都使用了
40mΩ ESR 和 2nH ESL，则产生的电容为 200μF，ESR 为 20mΩ，ESL 为 1nH。当考虑这些 ESR 和 ESL 要
求时，不应考虑使用单个陶瓷电容器。
大于 0.1µF 的陶瓷电容器的谐振频率较低，因此通常不允许使用这种电容器。这个较低的谐振频率可能在
TPS7H1111 稳压器的环路带宽内（可能接近 10MHz）。因此，低谐振点加上低ESR 会对环路带宽和器件稳定性
产生负面影响。较低的带宽会对PSRR 产生负面影响，因此抵消了额外陶瓷电容带来的任何潜在优势。
但是，如果必须使用高于 0.1μF 的陶瓷电容器，则建议陶瓷电容器的谐振频率要比环路带宽高一到两个数量级
（。或者，可以添加额外的串联电阻以增大ESR。这可防止出现强谐振点。
TI 测量了各种航天级电容器的增益裕度和相位裕度，以证明它们具有良好的稳定性裕度。有关更多信息，请参阅
节10.3。
使用了标准大容量电容和单个0.1μF 电容器以外的电容器时，建议对所用的电容器和完整系统进行仿真。还建议
创建波特图并在实际系统上执行负载变化测试，以验证具有足够的稳定性裕度。
9.3.8.2 补偿
建议使用图9-7 中所示的补偿来补偿TPS7H1111，其中CCOMP = 4.7nF 且RCOMP = 5kΩ。不需要CHF。
但是，如果需要不同的控制环路响应，或者如果使用了不同的输出电容 ESL 或 ESR，则可能需要不同的补偿网
络。误差放大器是 OTA（运算跨导放大器）；因此，可以采用 OTA 的传统补偿技术。虽然 TI 发现其推荐的 I 型
补偿很有效，但图9-7 还是显示了II 型补偿的示例。
VIN
IN
VOUT
OUT
COUT
VBIAS
BIAS
AVDD
Bias Supply
Gate Driver
STAB
ISET
CCOMP
CHF
SS_SET
OUTS
RCOMP
RSET
图9-7. 通用II 型补偿
请注意，与使用电阻分压器馈入反馈引脚的线性稳压器不同，不能使用前馈电容器(CFF) 来修改控制环路。对于电
阻分压器 LDO，前馈电容器本质上会在输出电压和反馈引脚之间提供高频短路。但是，在 TPS7H1111 架构中，
没有分压器，而是直接将输出电压馈送到误差放大器的负输入端子。由于误差放大器在单位增益配置下运行，它
固有地获得了前馈电容器通常会提供的噪声降低和PSRR 增大的潜在好处。
9.3.9 均流
TPS7H1111 支持并联多个器件，以便增大输出电流或实现更好的散热。虽然单个器件能够输出 1.5A 的电流，但
两个器件的输出电流略小于 3A。这是因为每个器件不会精确提供 50% 的电流。两个器件之间的电流失配是因为
每个器件的误差放大器失调电压 VOS 存在差异。通过将 SS_SET 网连接在一起，可以消除由于基准电流 ISET 存
在差异而导致的失配。图9-8 中的简化原理图显示了这一点。
请注意，因为现在有 200μA（典型值）的电流流经电阻器，所以应使用值为正常值一半的 RSET 电阻。此外，为
了确保同等的启动时间，应该使用两个 CSS 电容器（或者使用一个值为正常值两倍的电容器）。最后，每个器件
应具有其正常输出电容。与单个器件相比，当并联两个器件时，这会导致VOUT(final) 上的电容翻倍。图9-8 中的输
出电容器放置在镇流电阻器后面（最靠近负载）。从TPS7H1111 控制环路中可以看出，这种放置方式会对电容器
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增加一些有效的 ESR。也可以在镇流电阻器之前直接在 OUT 引脚上添加电容器，但因为镇流电阻器放置在输出
电容器和负载之间，这可能会在负载阶跃期间导致压降略大。
要计算两个器件之间的失配，必须知道总输出电流 IOUT、设定输出电压 VSS_SET、每个器件的失调电压 VOS 和镇
流电阻器 Rballast。可以选择镇流电阻器来满足期望的电流匹配要求；但应该注意的是，由于镇流电阻器两端会出
现 IR 压降，所以镇流电阻器越大，负载调节就越差。然后，必须按方程式 9 所示计算组合输出电压 VOUT(final)
这是在负载上看到的电压。
。
VOUT(final) = [(VSS_SET + VOS1) + (VSS_SET + VOS2) –IOUT × Rballast] / 2
接下来，使用方程式10 和方程式11 计算每个器件中的电流
(9)
IOUT1 = (VSS_SET + VOS1 –VOUT(final)) / Rballast
IOUT2 = (VSS_SET + VOS2 –VOUT(final)) / Rballast
(10)
(11)
可以将计算出的这个电流与通过每个器件的理想电流IOUT(total)/2 进行比较。
TPS7H1111
RBALLAST1
VOUT1
VOUT(
VIN
nal)
IN
OUT
REN_TOP
COUT1
CIN1
IN
OUT
RPG
CLM
EN
STAB
PG
REN_BOT
CCOMP
EN
TO HOST
RCOMP
SS_SET
REF
OUTS
FB_PG
RFBPG_TOP
RBIAS
RFBPG_BOT
VBIAS
RREF1
BIAS
GND
CBIAS
TPS7H1111
RBALLAST2
VOUT2
IN
OUT
OUT
CIN2
COUT2
IN
CLM
EN
STAB
PG
CCOMP
EN
RCOMP
SS_SET
REF
BIAS
OUTS
FB_PG
GND
CSS
RSET
RREF2
图9-8. 电流共享简化原理图
理想情况下，测量每个器件的偏移以确定每个器件提供的确切电流。由于这种方法通常不可行，所以我们通常倾
向于使用电气特性中所示的最坏情况偏移。这会导致将 VOS1 设置为最大指定 VOS，VOS2 设置为最小指定 VOS。
但是，这可能会导致产生非常不乐观的不匹配情况。为了便于分析，图 7-47、图 7-48 和图 7-49 中提供了偏移数
据的多个测量单位的直方图。此外，测量结果优于节10.2.2 中所述的计算结果。
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图9-9 中给出了一个简化图，其中显示了电流共享和误差源。
VOS1
RBALLAST1
VOUT1
IOUT1
VOUT(load)
VOS2
RBALLAST2
+
–
VOUT2
IOUT2
IOUT
RLOAD
VSS_SET
图9-9. 电流共享简化原理图
9.3.10 PSRR
TPS7H1111 的 PSRR（电源抑制比）是它将 VIN 上的输入噪声传输至输出 VOUT 时衰减的量。方程式 12 中以数
学方式对它进行了定义。
PSRR = 20 × log(VIN(AC) / VOUT(AC)
)
(12)
输入噪声通常主要受上游转换器的开关纹波所影响。在开关频率及其谐波处会发生此噪声。
在电气特性以及图 7-1 至图 7-11 的“典型特性”中，显示了不同条件和不同频率下的 PSRR 值。TPS7H1111 在
各种条件下都能提供出色的 PSRR。为了进一步改善 PSRR，可对运行条件进行微调。一般而言，TPS7H1111
PSRR 可通过以下各项得到显著改善（按相对重要性顺序排列）：
• 增加输入电源余量（增加VIN –VOUT 之差）
• 增加辅助电源余量（增加VBIAS –VOUT 之差）
• 减小输出电流
• BIAS 轨上使用较大的RC 滤波器（仅当辅助电源为主要噪声源时）
在TPS7H1111 上，PSRR 通过以下各项仅可得到少许改善：
• 温度升高
• 增加软启动电容
• 添加铁氧体磁珠（请参阅节10.2.1.3）
• 增加输入电压
• 增加输出电压
由于 TPS7H1111 架构具有高环路带宽，因此针对高 PSRR 进行了优化。为了保持高带宽，输出电容应处于建议
的工作条件内。通过增加输出电容来提高 PSRR 的传统技术无效。这是因为额外的电容会降低 TPS7H1111 的环
路带宽。这个减少的带宽会使PSRR 的降低超过电容提供的帮助。
如果期望在高频（例如，> 10MHz）下额外增加 PSRR，则可以使用铁氧体磁珠。铁氧体磁珠应放置在
TPS7H1111 控制环路之外，如节10.2.1 所示，以免降低环路带宽或稳定性。
除了从VIN 至VOUT 的PSRR 之外，还将从VBIAS 至VOUT 的PSRR 指定为PSRRBIAS。方程式13 中给出了其定
义。
PSRRBIAS = 20 × log(VBIAS(AC) / VOUT(AC)
)
(13)
由于辅助电源的电流相对较低，因此可以在辅助电源和 BIAS 引脚之间插入一个 RC 滤波器（通常为 10Ω 和
4.7μF），以增大 PSRRBIAS。RC 滤波器与内部偏置稳压器的内部纹波抑制相结合，可提供极高的 PSRRBIAS
如图 7-13 所示。因此，在 100kHz 至 1MHz 之间的典型开关频率下（其中高纹波抑制对于滤除输入纹波最为重
，
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要），PSRRBIAS 保持非常高，以避免成为整体器件 PSRR 的主要限制因素。如果无法使用 RC 滤波器，则
PSRRBIAS 值会降级，如图7-12 所示。
如果辅助电源噪声异常高或无法使用 RC 滤波器，则计算 VIN 和 VBIAS 电源上的输入纹波产生的总输出纹波可能
会大有裨益。总输出纹波是 VIN 纹波（通过 PSRR 抑制）和 VBIAS 纹波（通过 PSRRBIAS 抑制）的叠加，如方程
式14 所示。但请注意，每项都与频率有关。
BIAS/20
VOUT(AC) = VIN(AC) / (10PSRR/20) + VBIAS(AC) / (10PSRR
)
(14)
9.3.11 噪声
除了衰减的输入噪声之外，TPS7H1111（以及所有物理器件）会产生固有噪声。此噪声叠加在输出信号上。电气
特性以及图7-15 至图7-19 的“典型特性”中也分别给出了各种条件和不同频率下的噪声值。
一些很可能会引起问题的噪声是低频输出噪声（也称为1/f 噪声）。这类噪声很难使用分立式滤波器滤除，因为需
要非常大的元件值。TPS7H1111 针对整个频谱范围内（尤其是在低频时）的低噪声进行了优化。为了实现优化，
我们使用了各种设计技术，例如高环路带宽、单位增益误差放大器和使用基准滤波器。
CSS 电容器滤除精密电流基准 ISET 的噪声。较大的 CSS 电容可更好地滤除 ISET 的噪声。然而，更大电容器的降
噪主要降低 200Hz 以下的 1/f 噪声。对于高频噪声，降噪效果非常差。通常，4.7μF 陶瓷电容器可以在低噪声、
物理电容器尺寸、电容器可用性和器件启动时间之间作出合理的权衡。
TPS7H1111 在所有 VOUT 和 VIN 运行条件下的噪声差异都很小。然而，在输出电流较高时，在高于 100kHz 的频
率下噪声略大。
PSRR 和噪声都有助于产生干净的输出电压。但是，根据应用的不同，PSRR 或噪声中的其中一项可能更加重
要，因此重要的是针对给定应用进行优化。通常，如果在 VIN 处存在大量噪声（可能是以高噪声开关稳压器的形
式），则PSRR 更为重要。
9.3.12 热关断
TPS7H1111 具有热关断功能，可在芯片温度超过TSD(enter) 时关闭器件。当芯片冷却至低于TSD(exit) 时，器件会恢
复调节。160°C 的典型 TSD(enter) 和 130°C 的 TSD(exit) 可提供较大迟滞（典型值为 30°C）。较大迟滞旨在使器件
在尝试恢复调节之前充分冷却。
9.4 器件功能模式
下表显示了器件模式。
表9-4. 器件功能模式
EN 引脚
器件状态
调节模式
关断模式
高
低
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10 应用和实施
备注
以下应用部分中的信息不属于 TI 元件规格，TI 不担保其准确性和完整性。TI 的客户负责确定元件是否
适合其用途，以及验证和测试其设计实现以确认系统功能。
10.1 应用信息
TPS7H1111 是一款针对射频应用进行了优化的耐辐射线性稳压器。它的输出电流高达 1.5A，并可在 0.85V 至 7V
的输入电压范围内使用，辅助电源电压范围为2.2V 至14V。
10.2 典型应用
TPS7H1111 LDO 有各种用例。本部分讨论以下用例：
1. 2.5V 输入至1.8V 输出，具有可配置的导通阈值(EN)
2. 2.5V 输入至1.8V 输出并行运行
10.2.1 应用1：使用EN 设置导通阈值
TPS7H1111
FB
2.5V
1.8V
IN
OUT
OUT
100µF
100µF
IN
56.2k
28k
10k
10µF
0.1µF
CLM
EN
STAB
PG
4.7nF
5.05k
SS_SET
REF
BIAS
OUTS
FB_PG
GND
TO HOST
44.2k
10k
10
18k
4.7µF
12k
5V
4.7µF
图10-1. 用例：使用EN 设置导通阈值
10.2.1.1 设计要求
表10-1. 设计参数
值
参数
VIN
2.5V ± 5%
5V ±5%
VBIAS
VOUT
IOUT
1.8V ± 1.5%
1.4A（典型值）
1.8 V（典型值）
VIN(turn-on threshold)
VOUT(PG assertion threshold)
tSS
VOUT(final)（典型值）的90%，1.62V
3.7ms（典型值）
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10.2.1.2 详细设计过程
10.2.1.2.1 辅助电源
本设计选用了 5V 辅助电源。由于 VBIAS ≥ VOUT + 1.6V，因此有足够的辅助电源余量 (5V ≥ 1.8V + 1.6V)。此
外，选用了 10Ω 电阻器和 4.7μF X7R 陶瓷电容器来滤除辅助电源噪声，确保辅助电源噪声不会成为整体稳压器
PSRR 的限制因素。
10.2.1.2.2 输出电压配置
使用方程式 1 配置输出电压。因此， RSET = VSS_SET / ISET = 1.8V / 100μA = 18kΩ.选择了一个容差为 0.1% 的
18kΩ 电阻器。使用容差为 1% 的电阻器也是可以接受的，但这样会直接导致输出电压产生 1% 的误差。同样，
为RREF 选择一个容差为0.1% 的12kΩ电阻器。
10.2.1.2.3 输出电压精度
要确定输出电压精度，请参阅节 7.5 表中的 VACC 规格。VACC 指定不同温度下最小精度为 –1.3%，最大精度为
+1.2%。此规格适用于整个温度范围（–55°C 至 125°C）、所有输入电压（0.85V ≤ VIN ≤ 7V 和 2.2V ≤ VBIAS
≤14V）以及最高为满载（1mA ≤IOUT ≤1.5A）的情况。有关测量的一些额外详细信息，请参见节9.3.2。为了
计算系统级精度，还添加了以下误差源：
• 由于承受TID 后的规格是在室温下测得（为避免在高温下退火而采用MIL 标准），因此过温环境下的精度规范
中不包括TID 漂移。TPS7H1111 指定承受TID 后的最小精度为–0.7%，最大精度为+1.1%。相比之下，承
受TID 前的最小精度为–0.7%，最大精度为+0.9%。因此，由于TID 而导致的规格增大是额外增加了0.2%
的误差。虽然可以改用单个单元的最坏情况TID 漂移，但这可能非常不乐观，因为这需要一个单元具有接近最
大值的初始室温精度和接近最大值的漂移。
• 需要添加由RREF 和RSET 电阻器的电阻器容差引起的外部误差。由于假定这些误差不相关，因此我们决定将
误差视为平方和的形式相加。对于RREF 和RSET 电阻器所选的0.1% 容差，总误差为R(error)
=
sqrt(0.1%2+0.1%2) = +/–0.14%.
方程式15 用于计算输出电压精度的系统误差。
System(error) = VACC + R(error) + TID(error)
(15)
因此，负误差为System(error) = –1.3% – 0.14% – 0% = –1.44% 正误差为System(error) = 1.2% + 0.14% +
0.2% = 1.54%。TPS7H1111 器件、外部电阻器和 100krad(Si) 的 TID 产生的总系统误差为 +1.54%/–1.44%。如
果以总系统误差为中心，则为±1.49%。
同样，也可以加入寿命漂移数据。C 组数据可用于帮助进行此计算。对于这个示例，假定与其他误差源相比，寿
命漂移最小，因此未添加。
10.2.1.2.4 启用阈值
期望的导通阈值为 1.8V。这意味着当 VIN 电源轨导通并开始上升时，TPS7H1111 将在 VIN 达到 1.8V 时立即开始
导通。虽然这对于 VIN 到 VOUT 的最终调节而言没有足够的余量，但稳压器将开始启动，且 VIN 将继续达到 2.5V
的最终电压。如果需要，还可以使用更高的电压导通阈值（例如2.2V）。
通过使用方程式3 并为REN_TOP 选择值56.2kΩ，可以按方程式16 中所示计算REN_BOT 电阻器的值。
REN_BOT = VEN(rising) × REN_TOP / (VIN(rising) –VEN(rising)) = 0.6V × 56.2kΩ/ (1.8V –0.6V) = 28.1kΩ
(16)
为 REN_BOT 选择标准值 28kΩ 电阻器。使用方程式 3 计算最坏情况（最高）VIN(rising) 阈值，最大 VEN(rising) 阈值
为 0.62V。此值确定为 1.86V，这是可接受的。然后使用方程式 4 计算典型 VIN(falling)。此值确定为 1.50V，这也
是可以接受的。
确保遵循方程式 5，以防止可能的 SEFI，这也很重要。如方程式 17 所示，VEN(final) = 0.83V，这大于建议值
0.8V。
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VIN(final) × REN_BOT / (REN_TOP + REN_BOT) = VEN(final) = 2.5V × 28kΩ/ (56.2kΩ+ 28kΩ) = 0.83V
(17)
10.2.1.2.5 软启动和降噪
建议使用 4.7μF 陶瓷 X7R 电容器作为软启动电容器。本设计使用此电容器的原因是其可提供 3.7ms 的合理软启
动时间和出色的噪声滤波。如果需要更慢的启动时间，可以选择较小的 CSS 电容器；但是，为了保持 ISET 基准电
流的出色噪声滤波，不考虑使用值较小的电容器。
10.2.1.2.6 可配置电源正常
对于此设计，需要在VOUT 达到其最终值的90% (1.62V) 时将电源正常引脚置为有效。
使用方程式7 并选择RFBPG_BOT 值10kΩ，可按方程式18 所示计算RFBPG_TOP 电阻器的值。
RFBPG_TOP = RFBPG_BOT × (VOUT(assert_threshold) –VFB_PG(rising)) ] / VFBPG(rising)
=
(18)
[10kΩ (1.62V 0.306V)] 0.306V 42.9kΩ
×
–
/
=
为电阻器 RFBPG_TOP 选择标准值 44.2kΩ。然后计算最坏情况（最高）VIN(assert_threshold)阈值，以确保在 VOUT 达
到其期望值之前 PG 置为有效（且切断快速充电电流）。这使用方程式 7 和最大 VFB_PG(rising) 阈值 313mV 来确
定。VOUT(assert_threshold), max 值确定为1.70V。这是最终VOUT 值的94%，留有足够的裕度。
最后，计算 VOUT(deassert_threshold) 的典型值以了解 PG 何时会置为失效。这使用方程式 8 和 VFB_PG(hysteresis)
值
14mV 来确定。VOUT(deassert_threshold) 值确定为 1.58V。这意味着，如果 VOUT 降至其标称值的 88%，则 PG 引脚
将被置为无效。
10.2.1.2.7 电流限值
CLM 引脚直接连接到VIN 以实现砖墙式电流限制模式。如果需要，还可以使用一个电阻器将 CLM 引脚上拉至VIN
（例如，使用10kΩ电阻器）。
10.2.1.2.8 输出电容器和铁氧体磁珠
根据建议运行条件，为输出电容选择 200μF。具体来说，使用了两个 100μF 钽 AVX 电容器（请参阅节 10.3，
了解TI 已验证可与TPS7H1111-SP 搭配使用的电容器列表）。
在此设计中，还添加了铁氧体磁珠以实现额外的高频滤波。必须在铁氧体磁珠之前保持 OUTS 连接（以使铁氧体
磁珠保持在TPS7H1111 控制环路之外），这很重要。如果铁氧体磁珠位于控制环路内，则额外的电感可能会导致
不稳定。通常，实现良好的 PSRR 性能并不需要铁氧体磁珠，但此处添加了铁氧体磁珠以确定其影响。具体来
说，此设计选用了 KEMET Z1206C800APWST 铁氧体磁珠。虽然在此设计中未使用额外的0.1μF 电容器，但可
在铁氧体磁珠后放置这种电容器以实现额外的滤波。
10.2.1.3 应用曲线
在使用和不使用铁氧体磁珠的情况下进行 PSRR、噪声和波特图测量。测量条件为 VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，
VBIAS = 5V，IOUT = 1A。如图所示，铁氧体磁珠对于 10MHz 左右的较高频率 PSRR 略有帮助。铁氧体磁珠对噪
声和稳定性的影响都很小。
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140
120
100
80
10000
1000
100
10
Standard, 1.74 µVRMS
Ferrite Bead, 1.74 µVRMS
60
40
1
Standard
Ferrite Bead
20
0
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
图10-3. 使用铁氧体磁珠时噪声与频率间的关系
图10-2. 使用铁氧体磁珠时PSRR 与频率间的关系
100
80
60
40
20
0
200
160
120
80
40
0
-20
-40
-80
-120
-160
-200
-40
Gain, Standard
Phase, Standard
Gain, Ferrite Bead
Phase, Ferrite Bead
-60
-80
-100
1k
10k
100k
Frequency (Hz)
1M
10M
标准：相位裕度= 89°，增益裕度= 18dB
铁氧体磁珠：相位裕度= 99°，增益裕度= 16dB
图10-4. 使用铁氧体磁珠的波特图
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10.2.2 应用2：并行运行
TPS7H1111
RBALLAST1
VOUT1
VOUT(
VIN
nal)
IN
OUT
REN_TOP
COUT1
CIN1
IN
OUT
RPG
CLM
EN
STAB
PG
REN_BOT
CCOMP
EN
TO HOST
RCOMP
SS_SET
REF
OUTS
FB_PG
RFBPG_TOP
RBIAS
RFBPG_BOT
VBIAS
RREF1
BIAS
GND
CBIAS
TPS7H1111
RBALLAST2
VOUT2
IN
OUT
OUT
CIN2
COUT2
IN
CLM
EN
STAB
PG
CCOMP
EN
RCOMP
SS_SET
REF
BIAS
OUTS
FB_PG
GND
CSS
RSET
RREF2
图10-5. 用例：并行运行
10.2.2.1 设计要求
此处显示的设计要求与应用1 中的要求类似。主要例外情况是需要 2.9A 的输出电流，并且未使用铁氧体磁珠。更
高的电流需要使用并联器件实现。
表10-2. 设计参数
值
参数
VIN
2.5V ± 5%
5V ±5%
VBIAS
VOUT
IOUT
1.8V ± 1.5%
2.9 A
VIN(turn-on threshold)
VOUT(PG assertion threshold)
tSS
1.8 V（典型值）
VOUT(final)（典型值）的90%，1.62V
3.7ms（典型值）
10.2.2.2 详细设计过程
设计过程与应用1 中的过程相同，但以下各节除外。
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10.2.2.2.1 均流
如节 9.3.9 所述，将 SS_SET 引脚连接在一起，以便每个 TPS7H1111 内部误差放大器具有相同的电压。可以使
用一个值为正常值一半的 RSET 电阻器（因为现在有 200μA 的电流流经电阻器)。为了确保同等的启动时间，应
该使用两个CSS 电容器（或者使用一个值为正常值两倍的电容器）。
使用了一个 5mΩ 的 Rballast 电阻器。假定从一个器件的输出端到两个器件的共用 VOUT 轨的电路板电阻远小于镇
流电阻器，因此在计算总镇流电阻时不将它视为一个重要因素。选择此镇流电阻器是为了在精确的电流共享和使
电阻两端的电压降最小化之间进行合理的权衡。如果需要，可以将每个器件的输出电压设置得稍高一点，以考虑
到给定电流下的压降。
节9.3.9 显示了如何使用输出失调电压计算最差电流共享失配。以下部分提供了额外的详细信息，说明了如何比预
期更好地测量结果。
10.2.2.3 应用结果
测量每个器件的失调电压，并确定第一个器件的失调电压为 -0.1339mV，第二个器件的失调电压为 -0.2131mV。
方程式10 和方程式11 用于计算不同电流值的预期误差，并记录在表10-3 中。然后测量电流，与预期误差值进行
比较。
表10-3. 电流误差
预期误差
IOUT(total)
1.156 A
2.878 A
测量误差
1.04%
1.37%
0.55%
0.07%
如表 10-3 所示，在电流为 1.156A 时测量误差大约比预期误差低 1.3 倍，在电流为 2.878A 时测量误差比预期误
差低 7.9 倍。据推测，这种差异至少部分是因为 VOS 的温度系数而导致。如果一个器件开始提供总电流的一半以
上，则它的温度会升高至超过第二个器件。随着器件发热，VOS 会降低，进而导致器件提供更少的电流。这提供
了一种负反馈，因此可确保更加均衡。
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10.3 已测试的电容器
TI 已经测试了各种航天级电容器并测量了 TPS7H1111 系统的控制环路响应。测试清晰地展示出不同电容器的影
响，但在所有情况下，在整个电流范围内都表现出稳定性。表 10-4 中显示了测得的增益裕度 (GM)（以分贝为单
位）和相位裕度 (PM)（以度为单位）。这些测量结果是在室温和所示的电流水平下得出，且 VIN = 2.5V，VOUT
1.8V，VBIAS = 5V。图7-20 至图7-27 显示了波特图。
=
表10-4. 测试的航天级电容器
IOUT = 0A
IOUT = 1A
IOUT = 1.5A
制造商
电容
1x220µF
1x220µF + 0.1µF(1) T540D227K010AH6710 +
C0603K104K3RML
器件型号
PM
GM
PM
GM
PM
GM
T540D227K010AH6710
71
72
83
61
30
98
94
98
98
14
91
66
99
99
14
Kemet（基美）
Kemet（基美）
19
29
27
9
8
AVX
AVX
2x100µF
TBME107K020LBLC9045
19
13
19
12
2x100µF + 0.1µF
TBME107K020LBLC9045 +
300904102104KA
(1) 由于增益裕度较低，因此不推荐用于塑料封装。
以上报告的值适用于陶瓷封装 TPS7H1111-SP。塑料封装（TPS7H1111-SP 和 TPS7H1111-SEP）具有相似的稳
定性响应，但增益裕度要低大约两分贝。另请注意，在高电流和低温条件下，增益裕度会降低。在低电流和高温
条件下，相位裕度会降低。
10.4 TID 效应
电气特性中列出的大多数规格都使用自动测试设备 (ATE) 进行测试。因此，可在辐照前和辐照后条件下轻松测试
这些规格。此外，这些规格通常是 RLAT（辐射批次验收测试）流的一部分。但是，某些规格很难在 ATE 上进行
测量（例如，由于具有高增益或对寄生效应敏感），因此仅在基准特性描述期间进行测量。通常，这些规格不是
在辐照后测量。
PSRR、噪声和稳定性是使用 ATE 时未涵盖的关键规格，因此不属于传统 RLAT 流。为了提供这些关键规格的额
外信息，对三个EVM 执行了一次性特性描述。在100krad(Si) 的高剂量率(HDR) 下偏置和暴露这三个EVM。
所有PSRR、噪声和稳定性测量在辐照条件下结果良好。概括如下：
• 在100Hz 至1kHz 范围内，在承受TID 后测得的PSRR 略有降低。器件1 显示在承受TID 后大约降低
10dB；但由于难以测量如此高的增益，因此认为是由与设置相关的问题所致。在任何情况下，PSRR 在此范围
内仍然极高(> 95dB)。
• 在100Hz 以下和1kHz 以上，在承受TID 后测得的PSRR 略有降低。
• 在10Hz 至10kHz 范围内，测得的噪声逐渐升高。
• 在10Hz 以下和100kHz 以上，噪声的测量结果大致相同。
• 承受TID 之后，计算出的RMS 噪声平均高出120nVRMS。
• 平均相位裕度幅度漂移约为7°。对于所有之前和之后的测量，相位裕度都保持高位。
• 平均增益裕度幅度漂移约为2dB。这种变化被认为很小，并且可能在测量误差范围内。
完整数据如下。除非另有说明，否则 EVM 条件为 VIN = 2.5V，VOUT = 1.8V，VBIAS = 5V，COUT = 2x100µF（请
参阅表 10-4），CSS = 4.7µF，RREF = 12.0kΩ，RBIAS = 10Ω，CBIAS = 4.7µF，TA = 25°C，10Hz 至 100kHz 带
宽下报告的积分噪声。
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140
120
100
80
140
120
100
80
60
60
40
40
Unit 1 Pre
Unit 1 Post
Unit 2 Pre
Unit 2 Post
Unit 3 Pre
Unit 3 Post
Unit 1 Pre
Unit 1 Post
Unit 2 Pre
Unit 2 Post
Unit 3 Pre
Unit 3 Post
20
0
20
0
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
图10-6. PSRR，IOUT = 100mA
图10-7. PSRR，IOUT = 1A
10000
10000
Unit 1 Pre, 1.74 µVRMS
Unit 1 Post, 1.84 µVRMS
Unit 2 Pre, 1.74 µVRMS
Unit 2 Post, 1.86 µVRMS
Unit 3 Pre, 1.76 µVRMS
Unit 3 Post, 1.91 µVRMS
Unit 1 Pre, 1.69 µVRMS
Unit 1 Post, 1.78 µVRMS
Unit 2 Pre, 1.68 µVRMS
Unit 2 Post, 1.79 µVRMS
Unit 3 Pre, 1.72 µVRMS
Unit 3 Post, 1.87 µVRMS
1000
100
10
1000
100
10
1
1
0.1
0.1
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
1
10
100
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
图10-8. 噪声频谱密度，
图10-9. 噪声频谱密度，IOUT = 1A
IOUT = 100mA
100
200
160
120
80
100
200
160
120
80
80
60
80
60
40
40
20
40
20
40
0
0
0
0
-20
-40
-60
-80
-100
-40
-80
-20
-40
-60
-80
-100
-40
-80
Pre Gain
Pre Gain
Pre Phase
Post Gain
Post Phase
Pre Phase
Post Gain
Post Phase
-120
-160
-200
-120
-160
-200
1k
10k
100k
1M
10M
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
辐照前：相位裕度= 78°，增益裕度= 24dB
辐照后：相位裕度= 82°，增益裕度= 23dB
辐照前：相位裕度= 91°，增益裕度= 18dB
辐照后：相位裕度= 100°，增益裕度= 16dB
图10-10. 波特图：器件1，IOUT = 100mA
图10-11. 波特图：器件1，IOUT = 1A
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100
80
200
160
120
80
100
80
200
160
120
80
60
60
40
40
20
40
20
40
0
0
0
0
-20
-40
-60
-80
-40
-80
-120
-160
-200
-20
-40
-60
-80
-100
-40
-80
Pre Gain
Pre Gain
Pre Phase
Post Gain
Post Phase
Pre Phase
Post Gain
Post Phase
-120
-160
-200
-100
1k
10k
100k
1M
10M
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
辐照前：相位裕度= 81°，增益裕度= 23dB
辐照后：相位裕度= 76°，增益裕度= 26dB
辐照前：相位裕度= 96°，增益裕度= 17dB
辐照后：相位裕度= 88°，增益裕度= 19dB
图10-12. 波特图：器件2，IOUT = 100mA
图10-13. 波特图：器件2，IOUT = 1A
100
200
160
120
80
100
80
200
160
120
80
80
60
60
40
40
20
40
20
40
0
0
0
0
-20
-40
-60
-80
-100
-40
-80
-120
-160
-200
-20
-40
-60
-80
-100
-40
-80
-120
-160
-200
Pre Gain
Pre Gain
Pre Phase
Post Gain
Post Phase
Pre Phase
Post Gain
Post Phase
1k
10k
100k
1M
10M
1k
10k
100k
1M
10M
Frequency (Hz)
Frequency (Hz)
辐照前：相位裕度= 78°，增益裕度= 24dB
辐照后：相位裕度= 81°，增益裕度= 21dB
辐照前：相位裕度= 90°，增益裕度= 18dB
辐照后：相位裕度= 101°，增益裕度= 15dB
图10-14. 波特图：器件3，IOUT = 100mA
图10-15. 波特图：器件3，IOUT = 1A
10.5 电源相关建议
此器件设计为在 0.85V 至 7V 的输入电源电压范围内工作。最小输入电压必须提供大于最小压降电压的足够余
量，才能实现稳压输出。此外，通常使用单独的辅助电源来降低压降电压。辅助电源电压范围为 2.2V 至14V（并
且至少与输入电源电压一样高）；但为了获得出色性能，建议 VBIAS ≥ VOUT + 1.6V。有关更多信息，请参阅节
9.3.1。
可使用方程式19 近似计算器件调节期间的内部功耗PD。
PD = IOUT × (VIN –VOUT) + IIN_GND × VIN + IBIAS × VBIAS
(19)
TPS7H1111 是一款高 PSRR 器件。为了从 VIN 到 VOUT 获得高 PSRR 的全部优势，BIAS 引脚输入处的 VBIAS 必
须是干净的，这一点很重要。BIAS 引脚上的任何纹波都将从 VBIAS 耦合到 VOUT（通过 PSRRBIAS 降低）。确保
BIAS 看到干净输入的理想方法是在 BIAS 引脚之前添加 RC 滤波器。由于 BIAS 引脚消耗的电流有限，电阻器上
的压降通常是可以接受的。RC 滤波器的建议值为R = 10Ω且C = 4.7μF。
使用 10μF 大容量输入电容器和 0.1μF 陶瓷去耦电容器通常足以实现良好的性能。如果输入电源远离
TPS7H1111 的输入，则可以使用更大的输入电容器，例如47μF 或100μF 电容器。
TPS7H1111 针对单个220μF 钽输出电容器或两个 100μF 电容器进行了优化。此外，可以使用单个0.1μF 陶瓷
电容器。将钽电容器放置在TPS7H1111 的输出端附近，并将陶瓷电容器放置在负载点附近。有关更多信息，请参
阅节9.3.8.1。
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10.6 布局
10.6.1 布局指南
• 使用尺寸足够大的布线或铜层来承受输入和输出电流，并尽量减少压降。
• 将输入电容器靠近IN 引脚放置。
– 在某些情况下，可以将输入电容器放置在离器件更远的位置，以便更大限度地减少磁噪声耦合。
• 将大容量输出电容器放置在OUT 引脚附近。
– 如果使用了陶瓷输出电容器，请将其放置在负载点附近。TPS7H1111 不会因输出去耦而获益。
• 使高噪声电路远离SS_SET、REF 和OUTS，以生成干净的VOUT 电源轨。
• 确保尽量减小TPS7H1111 反馈环路（包括从OUT 到OUTS 引脚的连接）中的电感
10.6.2 布局示例
图10-16. 印刷电路板布局布线示例
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图10-17. 印刷电路板布局布线示例：3D 视图
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11 器件和文档支持
TI 提供大量的开发工具。下面列出了用于评估器件性能、生成代码和开发解决方案的工具和软件。
11.1 文档支持
11.1.1 第三方产品免责声明
TI 发布的与第三方产品或服务有关的信息，不能构成与此类产品或服务或保修的适用性有关的认可，不能构成此
类产品或服务单独或与任何TI 产品或服务一起的表示或认可。
11.1.2 相关文档
• TPS7H1111-SP 电离辐射总剂量(TID) 辐射报告
• TPS7H1111EVM-CVAL 评估模块用户指南
• 标准微电路图，5962R21203
• 供应商项目图，V62/23602
11.2 接收文档更新通知
要接收文档更新通知，请导航至 ti.com 上的器件产品文件夹。点击订阅更新 进行注册，即可每周接收产品信息更
改摘要。有关更改的详细信息，请查看任何已修订文档中包含的修订历史记录。
11.3 支持资源
TI E2E™ 支持论坛是工程师的重要参考资料，可直接从专家获得快速、经过验证的解答和设计帮助。搜索现有解
答或提出自己的问题可获得所需的快速设计帮助。
链接的内容由各个贡献者“按原样”提供。这些内容并不构成 TI 技术规范，并且不一定反映 TI 的观点；请参阅
TI 的《使用条款》。
11.4 商标
TI E2E™ is a trademark of Texas Instruments.
所有商标均为其各自所有者的财产。
11.5 静电放电警告
静电放电(ESD) 会损坏这个集成电路。德州仪器(TI) 建议通过适当的预防措施处理所有集成电路。如果不遵守正确的处理
和安装程序，可能会损坏集成电路。
ESD 的损坏小至导致微小的性能降级，大至整个器件故障。精密的集成电路可能更容易受到损坏，这是因为非常细微的参
数更改都可能会导致器件与其发布的规格不相符。
11.6 术语表
TI 术语表
本术语表列出并解释了术语、首字母缩略词和定义。
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12 机械、封装和可订购信息
下述页面包含机械、封装和订购信息。这些信息是指定器件可用的最新数据。数据如有变更，恕不另行通知，且
不会对此文档进行修订。有关此数据表的浏览器版本，请查阅左侧的导航栏。
PACKAGE OUTLINE
HBL0014A
CFP - 2.527 mm max height
S
C
A
L
E
0
.
7
0
0
CERAMIC DUAL FLATPACK
8.28
7.78
B
METAL LID
A
PIN 1 ID
14X 1.27
14
1
9.37
8.87
(8.62)
2X 7.62
7
8
0.48
14X
0.38
(7.53)
0.2
C A B
METAL LID
C
2.527
1.960
0.18
0.10
(5.31)
1.04
0.84
25
24
HEATSINK
7
8
7.748
7.448
1
14
5.457
5.157
PIN 1 ID
4226657/A 03/2021
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This package is hermetically sealed with a metal lid. Lid is connected to Heatsink and pin 6
4. The terminals are gold plated.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
HBL0014A
CFP - 2.527 mm max height
CERAMIC DUAL FLATPACK
(5.907)
(1.2) TYP
(1.2) TYP
(8.398)
PKG
(
0.2) TYP
PKG
HEATSINK LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:10X
4226657/A 03/2021
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PACKAGE OUTLINE
PWP0028A
PowerPADTM - 1.1 mm max height
S
C
A
L
E
1
.
8
0
0
PLASTIC SMALL OUTLINE
C
6.6
6.2
TYP
SEATING PLANE
A
PIN 1 ID
AREA
0.1 C
26X 0.65
28
1
9.8
9.6
NOTE 3
2X
8.45
14
B
15
0.30
0.19
28X
1.1 MAX
4.5
4.3
0.1
C A
B
NOTE 4
0.20
0.09
TYP
SEE DETAIL A
3.15
2.75
0.25
GAGE PLANE
5.65
5.25
0.10
0.02
THERMAL
PAD
0 - 8
0.7
0.5
DETAIL A
(1)
TYPICAL
4214870/A 10/2014
PowerPAD is a trademark of Texas Instruments.
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This dimension does not include mold flash, protrusions, or gate burrs. Mold flash, protrusions, or gate burrs shall not
exceed 0.15 mm, per side.
4. This dimension does not include interlead flash. Interlead flash shall not exceed 0.25 mm, per side.
5. Reference JEDEC registration MO-153, variation AET.
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EXAMPLE BOARD LAYOUT
PWP0028A
PowerPAD TM - 1.1 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE
(3.4)
NOTE 9
(3)
SOLDER
MASK
OPENING
SOLDER MASK
DEFINED PAD
28X (1.5)
28X (1.3)
28X (0.45)
28X (0.45)
1
28
26X
(0.65)
SYMM
(5.5)
(9.7)
SOLDER
MASK
OPENING
(1.3) TYP
14
15
(
0.2) TYP
(1.3)
SEE DETAILS
(0.9) TYP
(6.1)
VIA
SYMM
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
(0.65) TYP
HV / ISOLATION OPTION
0.9 CLEARANCE CREEPAGE
OTHER DIMENSIONS IDENTICAL TO IPC-7351
(5.8)
IPC-7351 NOMINAL
0.65 CLEARANCE CREEPAGE
LAND PATTERN EXAMPLE
SCALE:6X
SOLDER MASK
OPENING
SOLDER MASK
OPENING
METAL
METAL UNDER
SOLDER MASK
0.05 MAX
ALL AROUND
0.05 MIN
ALL AROUND
SOLDER MASK
DEFINED
NON SOLDER MASK
DEFINED
SOLDER MASK DETAILS
4214870/A 10/2014
NOTES: (continued)
6. Publication IPC-7351 may have alternate designs.
7. Solder mask tolerances between and around signal pads can vary based on board fabrication site.
8. This package is designed to be soldered to a thermal pad on the board. For more information, see Texas Instruments literature
numbers SLMA002 (www.ti.com/lit/slma002) and SLMA004 (www.ti.com/lit/slma004).
9. Size of metal pad may vary due to creepage requirement.
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EXAMPLE STENCIL DESIGN
PWP0028A
PowerPAD TM - 1.1 mm max height
PLASTIC SMALL OUTLINE
(3)
BASED ON
0.127 THICK
STENCIL
METAL COVERED
BY SOLDER MASK
28X (1.5)
28X (1.3)
28X (0.45)
1
28
26X (0.65)
28X (0.45)
(5.5)
SYMM
BASED ON
0.127 THICK
STENCIL
14
15
SEE TABLE FOR
SYMM
(5.8)
DIFFERENT OPENINGS
FOR OTHER STENCIL
THICKNESSES
(6.1)
HV / ISOLATION OPTION
0.9 CLEARANCE CREEPAGE
OTHER DIMENSIONS IDENTICAL TO IPC-7351
IPC-7351 NOMINAL
0.65 CLEARANCE CREEPAGE
SOLDER PASTE EXAMPLE
EXPOSED PAD
100% PRINTED SOLDER COVERAGE AREA
SCALE:6X
STENCIL
THICKNESS
SOLDER STENCIL
OPENING
0.1
3.55 X 6.37
3.0 X 5.5 (SHOWN)
2.88 X 5.16
0.127
0.152
0.178
2.66 X 4.77
4214870/A 10/2014
NOTES: (continued)
10. Laser cutting apertures with trapezoidal walls and rounded corners may offer better paste release. IPC-7525 may have alternate
design recommendations.
11. Board assembly site may have different recommendations for stencil design.
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PACKAGE OPTION ADDENDUM
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2-Jul-2023
PACKAGING INFORMATION
Orderable Device
Status Package Type Package Pins Package
Eco Plan
Lead finish/
Ball material
MSL Peak Temp
Op Temp (°C)
Device Marking
Samples
Drawing
Qty
(1)
(2)
(3)
(4/5)
(6)
5962R2120301VXC
ACTIVE
CFP
HBL
14
1
RoHS-Exempt
& Green
NIAU
N / A for Pkg Type
-55 to 125
5962R2120301VXC
TPS7H1111MHBLV
Samples
PTPS7H1111PWPTSEP
TPS7H1111HBL/EM
ACTIVE
ACTIVE
HTSSOP
CFP
PWP
HBL
28
14
250
1
TBD
Call TI
NIAU
Call TI
-55 to 125
25 to 25
Samples
Samples
RoHS-Exempt
& Green
N / A for Pkg Type
TPS7H1111HBL
EVAL ONLY
TPS7H1111MPWPTSEP
ACTIVE
HTSSOP
PWP
28
250
RoHS & Green
NIPDAU
Level-3-260C-168 HR
-55 to 125
7H1111PWP
Samples
(1) The marketing status values are defined as follows:
ACTIVE: Product device recommended for new designs.
LIFEBUY: TI has announced that the device will be discontinued, and a lifetime-buy period is in effect.
NRND: Not recommended for new designs. Device is in production to support existing customers, but TI does not recommend using this part in a new design.
PREVIEW: Device has been announced but is not in production. Samples may or may not be available.
OBSOLETE: TI has discontinued the production of the device.
(2) RoHS: TI defines "RoHS" to mean semiconductor products that are compliant with the current EU RoHS requirements for all 10 RoHS substances, including the requirement that RoHS substance
do not exceed 0.1% by weight in homogeneous materials. Where designed to be soldered at high temperatures, "RoHS" products are suitable for use in specified lead-free processes. TI may
reference these types of products as "Pb-Free".
RoHS Exempt: TI defines "RoHS Exempt" to mean products that contain lead but are compliant with EU RoHS pursuant to a specific EU RoHS exemption.
Green: TI defines "Green" to mean the content of Chlorine (Cl) and Bromine (Br) based flame retardants meet JS709B low halogen requirements of <=1000ppm threshold. Antimony trioxide based
flame retardants must also meet the <=1000ppm threshold requirement.
(3) MSL, Peak Temp. - The Moisture Sensitivity Level rating according to the JEDEC industry standard classifications, and peak solder temperature.
(4) There may be additional marking, which relates to the logo, the lot trace code information, or the environmental category on the device.
(5) Multiple Device Markings will be inside parentheses. Only one Device Marking contained in parentheses and separated by a "~" will appear on a device. If a line is indented then it is a continuation
of the previous line and the two combined represent the entire Device Marking for that device.
(6)
Lead finish/Ball material - Orderable Devices may have multiple material finish options. Finish options are separated by a vertical ruled line. Lead finish/Ball material values may wrap to two
lines if the finish value exceeds the maximum column width.
Important Information and Disclaimer:The information provided on this page represents TI's knowledge and belief as of the date that it is provided. TI bases its knowledge and belief on information
provided by third parties, and makes no representation or warranty as to the accuracy of such information. Efforts are underway to better integrate information from third parties. TI has taken and
Addendum-Page 1
PACKAGE OPTION ADDENDUM
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2-Jul-2023
continues to take reasonable steps to provide representative and accurate information but may not have conducted destructive testing or chemical analysis on incoming materials and chemicals.
TI and TI suppliers consider certain information to be proprietary, and thus CAS numbers and other limited information may not be available for release.
In no event shall TI's liability arising out of such information exceed the total purchase price of the TI part(s) at issue in this document sold by TI to Customer on an annual basis.
OTHER QUALIFIED VERSIONS OF TPS7H1111-SEP, TPS7H1111-SP :
Catalog : TPS7H1111-SEP
•
Space : TPS7H1111-SP
•
NOTE: Qualified Version Definitions:
Catalog - TI's standard catalog product
•
Space - Radiation tolerant, ceramic packaging and qualified for use in Space-based application
•
Addendum-Page 2
PACKAGE MATERIALS INFORMATION
www.ti.com
12-Jul-2023
TUBE
T - Tube
height
L - Tube length
W - Tube
width
B - Alignment groove width
*All dimensions are nominal
Device
Package Name Package Type
Pins
SPQ
L (mm)
W (mm)
T (µm)
B (mm)
5962R2120301VXC
TPS7H1111HBL/EM
HBL
HBL
CFP
CFP
14
14
1
1
506.98
506.98
26.16
26.16
6220
6220
NA
NA
Pack Materials-Page 1
PACKAGE OUTLINE
HBL0014A
CFP - 2.527 mm max height
S
C
A
L
E
0
.
7
0
0
CERAMIC DUAL FLATPACK
8.28
7.78
B
METAL LID
A
PIN 1 ID
14X 1.27
14
1
9.37
8.87
(8.62)
2X 7.62
7
8
0.48
14X
0.38
(7.53)
0.2
C A B
METAL LID
C
2.527
1.960
0.18
0.10
(5.31)
1.04
0.84
25
24
HEATSINK
7
8
7.748
7.448
1
14
5.457
5.157
PIN 1 ID
4226657/A 03/2021
NOTES:
1. All linear dimensions are in millimeters. Any dimensions in parenthesis are for reference only. Dimensioning and tolerancing
per ASME Y14.5M.
2. This drawing is subject to change without notice.
3. This package is hermetically sealed with a metal lid. Lid is connected to Heatsink and pin 6
4. The terminals are gold plated.
www.ti.com
EXAMPLE BOARD LAYOUT
HBL0014A
CFP - 2.527 mm max height
CERAMIC DUAL FLATPACK
(5.907)
(1.2) TYP
(1.2) TYP
(8.398)
PKG
(
0.2) TYP
PKG
HEATSINK LAND PATTERN EXAMPLE
EXPOSED METAL SHOWN
SCALE:10X
4226657/A 03/2021
www.ti.com
REVISIONS
REV
A
DESCRIPTION
ECR
DATE
ENGINEER / DRAFTSMAN
R. RAZAK / ANIS FAUZI
RELEASE NEW DRAWING
2193915
03/24/2021
REV
SCALE
SIZE
PAGE
OF
4226657
A
4
4
A
GENERIC PACKAGE VIEW
PWP 28
4.4 x 9.7, 0.65 mm pitch
PowerPADTM TSSOP - 1.2 mm max height
SMALL OUTLINE PACKAGE
This image is a representation of the package family, actual package may vary.
Refer to the product data sheet for package details.
4224765/B
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重要声明和免责声明
TI“按原样”提供技术和可靠性数据（包括数据表）、设计资源（包括参考设计）、应用或其他设计建议、网络工具、安全信息和其他资源，
不保证没有瑕疵且不做出任何明示或暗示的担保，包括但不限于对适销性、某特定用途方面的适用性或不侵犯任何第三方知识产权的暗示担
保。
这些资源可供使用 TI 产品进行设计的熟练开发人员使用。您将自行承担以下全部责任：(1) 针对您的应用选择合适的 TI 产品，(2) 设计、验
证并测试您的应用，(3) 确保您的应用满足相应标准以及任何其他功能安全、信息安全、监管或其他要求。
这些资源如有变更，恕不另行通知。TI 授权您仅可将这些资源用于研发本资源所述的 TI 产品的应用。严禁对这些资源进行其他复制或展示。
您无权使用任何其他 TI 知识产权或任何第三方知识产权。您应全额赔偿因在这些资源的使用中对 TI 及其代表造成的任何索赔、损害、成
本、损失和债务，TI 对此概不负责。
TI 提供的产品受 TI 的销售条款或 ti.com 上其他适用条款/TI 产品随附的其他适用条款的约束。TI 提供这些资源并不会扩展或以其他方式更改
TI 针对 TI 产品发布的适用的担保或担保免责声明。
TI 反对并拒绝您可能提出的任何其他或不同的条款。IMPORTANT NOTICE
邮寄地址：Texas Instruments, Post Office Box 655303, Dallas, Texas 75265
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相关型号：
TPS7H1201-HT
TPS7H1x01 1.5-V to 7-V, Ultra-Low Dropout (LDO) RegulatorWarning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TPS7H1201SHKS
具有软启动和电源正常指示功能的极低压降稳压器 | HKS | 16 | -55 to 210Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TPS7H1201SKGD1
具有软启动和电源正常指示功能的极低压降稳压器 | KGD | 0 | -55 to 210Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TPS7H1210-SEP
采用增强型航天塑料的耐辐射、-3V 至 -16.5V 输入、1A 负电压线性稳压器Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
-
TI
TPS7H1210MRGWSEP
采用增强型航天塑料的耐辐射、-3V 至 -16.5V 输入、1A 负电压线性稳压器 | RGW | 20 | -55 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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TPS7H1210MRGWTSEP
采用增强型航天塑料的耐辐射、-3V 至 -16.5V 输入、1A 负电压线性稳压器 | RGW | 20 | -55 to 125Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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TPS7H2201-SP
耐辐射 QMLV、1.5V 至 7V 输入、6A 负载开关/电子保险丝Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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TPS7H2201HKR/EM
耐辐射 QMLV、1.5V 至 7V 输入、6A 负载开关/电子保险丝 | HKR | 16 | 25 to 25Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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TPS7H2201Y/EM
耐辐射 QMLV、1.5V 至 7V 输入、6A 负载开关/电子保险丝 | KGD | 0 | 25 to 25Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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TPS7H2211-SP
耐辐射 QMLV、4.5V 至 14V 输入、3.5A 负载开关/电子保险丝Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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TPS7H2211HKR/EM
耐辐射 QMLV、4.5V 至 14V 输入、3.5A 负载开关/电子保险丝 | HKR | 16 | 25 to 25Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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TPS7H2211Y/EM
耐辐射 QMLV、4.5V 至 14V 输入、3.5A 负载开关/电子保险丝 | KGD | 0 | 25 to 25Warning: Undefined variable $rtag in /www/wwwroot/website_ic37/www.icpdf.com/pdf/pdf/index.php on line 217
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