TK8A50DA [TOSHIBA]
TRANSISTOR 7.5 A, 500 V, 1.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power;
| 型号： | TK8A50DA |
| 厂家： | 
TOSHIBA |
| 描述： | TRANSISTOR 7.5 A, 500 V, 1.04 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10U1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power 局域网 开关 脉冲 晶体管 |
| 文件： | 总6页 (文件大小：257K) |
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TK8A50DA
東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 (π−MOSⅦ)
TK8A50DA
スイッチングレギュレータ用
単位: mm
オン抵抗が低い。
順方向伝達アドミタンスが高い。
漏れ電流が低い。 : I
取り扱いが簡単な、エンハンスメントタイプです。
: V = 2.4～4.4 V (V = 10 V, I = 1 mA)
: R
= 0.76 Ω (標準)
DS (ON)
2.7 ± 0.2
10 ± 0.3
Ф3.2 ± 0.2
A
: |Y | = 4.1 S (標準)
fs
= 10 μA (最大) (V = 500 V)
DSS
DS
th
DS
D
1.14 ± 0.15
0.69 ± 0.15
絶対最大定格 (Ta = 25℃)
M A
Ф0.2
2.54
2.54
項目
記号
定格
単位
1
2
3
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧
V
500
±30
7.5
30
V
V
DSS
V
GSS
DC (注1)
ド レ イ ン 電 流
I
D
A
1. ゲート
2. ドレイン
3. ソース
パルス (注1)
I
A
DP
許
容
損
失 (Tc=25℃)
P
35
W
mJ
A
D
AS
AR
JEDEC
⎯
アバランシェエネルギー(単発) (注 2)
ア バ ラ ン シ ェ 電 流
アバランシェエネルギー(連続) (注 3)
E
140
7.5
3.5
150
JEITA
SC-67
I
東 芝
2-10U1B
E
mJ
℃
℃
AR
質量: 1.7 g (標準)
チ
保
ャ
ネ
ル
温
度
度
T
ch
存
温
T
stg
−55～150
注: 本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても, 高負荷 (高温および大電
流/高電圧印加, 多大な温度変化等) で連続して使用される場合は, 信頼性が著しく低下するおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ
び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート, 推定故障率等) をご確認の上, 適切な信頼性設計をお願いします。
熱抵抗特性
2
項目
記号
最大
単位
チ ャ ン ネ ル ・ ケ ー ス 間 熱 抵 抗
チ ャ ネ ル ・ 外 気 間 熱 抵 抗
R
R
3.57
62.5
℃/ W
℃/ W
th (ch c)
−
th (ch a)
−
注1: チャネル温度が150°C を超えることのない放熱条件でご使用ください。
注2: アバランシェエネルギー (単発) 印加条件
1
V
= 90 V, T = 25℃ (初期), L = 4.2 mH, R = 25 Ω, I = 7.5 A
ch G AR
DD
注3: 連続印加の際, パルス幅は製品のチャネル温度によって制限されます。
この製品はMOS 構造です。取り扱いの際には, 静電気にご注意ください。
3
1
2010-04-27
TK8A50DA
電気的特性 (Ta = 25℃)
項目
記号
測定条件
最小
標準
最大
単位
ゲ
ー
ト
漏
れ
電
流
I
V
V
= ±30 V, V = 0 V
DS
⎯
⎯
⎯
⎯
±1
10
⎯
µA
µA
V
GSS
GS
DS
ド レ イ ン し ゃ 断 電 流
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 降 伏 電 圧 V
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
I
= 500 V, V
= 0 V
DSS
(BR) DSS
GS
I
= 10 mA, V
= 0 V
500
2.4
⎯
⎯
D
GS
V
V
V
V
= 10 V, I = 1 mA
⎯
4.4
1.04
⎯
V
th
DS
GS
DS
D
ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 オ ン 抵 抗
順 方 向 伝 達 ア ド ミ タ ン ス
R
= 10 V, I = 3.8 A
0.76
4.1
700
4
Ω
S
DS (ON)
D
|Y |
= 10 V, I = 3.8 A
1.0
⎯
fs
D
入
帰
出
力
還
力
容
容
容
量
量
量
C
C
⎯
iss
V
= 25 V, V
= 0 V, f = 1 MHz
pF
ns
⎯
⎯
DS
GS
I
rss
C
⎯
80
⎯
oss
10 V
= 3.8 A
V
OUT
上
昇 時 間
t
r
D
⎯
⎯
⎯
⎯
20
40
11
60
⎯
⎯
⎯
⎯
V
GS
0 V
ターンオン時間
t
on
R = 54 Ω
L
スイッチング時間
50 Ω
下
降 時 間
t
f
V
≒ 200 V
DD
ターンオフ時間
t
off
Duty ≦ 1%, t = 10 µs
w
ゲ
ー
ト
入
力
電
荷
量
Q
⎯
⎯
⎯
16
10
6
⎯
⎯
⎯
g
V
≒ 400 V, V
= 10 V, I = 7.5 A
nC
ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 荷 量
ゲ ー ト ・ ド レ イ ン 間 電 荷 量
Q
DD
GS
D
gs
gd
Q
ソース・ドレイン間の定格と電気的特性 (Ta = 25℃)
項目
記号
測定条件
最小
標準
最大
単位
ド レ イ ン 逆 電 流 ( 連 続 ) ( 注 1 )
ドレイン逆電流 ( パルス) ( 注 1 )
順 方 向 電 圧 ( ダ イ オ ー ド )
I
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
⎯
7.5
30
A
A
DR
I
DRP
V
I
I
= 7.5 A, V
= 7.5 A, V
= 0 V
⎯
−1.7
⎯
V
DSF
DR
DR
GS
GS
逆
逆
回
復
時
間
量
t
= 0 V,
1200
8.5
ns
µC
rr
dI /dt = 100 A/µs
DR
回
復
電
荷
Q
⎯
rr
現品表示
注4 : ロットNo.の下線は、製品ラベルに記載される表示を識別するものです。
[[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]
本製品のRoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口
までお問合わせください。
製品名
(または略号)
K8A50DA
RoHS 指令とは、「電気電子機器に含まれる特定有害物質の使用制限(RoHS)に
関する2003 年1 月27 日付けの欧州議会および欧州理事会の指令(EU 指令
2002/95/EC)」のことです。
ロットNo.
注 4
2
2010-04-27
TK8A50DA
I
– V
DS
I
– V
D
D
DS
10
8
5
4
3
2
10
ソース接地
10
7.5
ソース接地
Tc = 25°C
パルス測定
7
8
6.5
Tc = 25°C
パルス測定
8
7
6
4
6
6.5
5.5
6
1
0
2
0
V
8
= 5 V
GS
V
= 5.5 V
GS
10
0
2
4
6
10
0
20
30
40
50
ドレイン･ソース間電圧
V
(V)
ドレイン･ソース間電圧
V
(V)
DS
DS
I
D
– V
GS
V
– V
DS
GS
20
10
8
ソース接地
Tc = 25℃
パルス測定
ソース接地
= 20 V
パルス測定
V
DS
16
12
8
6
4
I
= 7.5 A
D
25
4
2
0
3.3
100
Tc = −55 °C
1.7
0
0
0
2
4
6
8
10
4
8
12
16
20
ゲート･ソース間電圧
V
(V)
ゲート･ソース間電圧
V
(V)
GS
GS
⎪Y ⎪ – I
fs
R
– I
DS (ON)
D
D
10
100
10
1
ソース接地
= 20 V
ソース接地
V = 10 V
GS
Tc = 25°C
パルス測定
V
DS
パルス測定
1
0.1
0.1
0.1
0.1
1
10
100
1
10
100
ドレイン電流
I
D
(A)
ドレイン電流
I
D
(A)
3
2010-04-27
TK8A50DA
I
– V
DS
R
– Tc
DR
DS (ON)
4
100
10
1
ソース接地
= 10 V
パルス測定
ソース接地
Tc = 25°C
パルス測定
V
GS
3.2
2.4
1.6
0.8
7.5
3.3
I
= 1.7 A
D
10
1
5
3
V
= 0 V
−0.9
GS
0
−80
0.1
0
−0.3
−0.6
−1.2
−40
0
40
80
120
160
100
160
−1.5
ケース温度 Tc (°C)
ドレイン･ソース間電圧
V
(V)
DS
静電容量 – V
V
– Tc
th
DS
10000
1000
5
4
3
2
C
iss
100
10
C
oss
ソース接地
= 10 V
ソース接地
1
V
DS
= 1 mA
パルス測定
C
rss
V
= 0 V
GS
I
D
f = 1 MHz
Tc = 25°C
1
0.1
0
−80
1
10
−40
0
40
80
120
160
ドレイン･ソース間電圧
V
(V)
ケース温度 Tc (°C)
DS
P
– Tc
ダイナミック入出力特性
D
50
40
500
20
V
DS
400
300
200
100
0
16
12
200
30
20
V
= 100 V
DD
400
ソース接地
= 7.5 A
8
4
0
V
GS
I
D
Tc = 25°C
パルス測定
10
0
0
40
80
120
0
4
8
16
20
12
ケース温度 Tc (°C)
ゲート入力電荷量
Q
g
(nC)
4
2010-04-27
TK8A50DA
r
th
– t
w
10
1
Duty=0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
P
DM
単発パルス
t
0.01
T
0.01
Duty = t/T
R
= 3.57°C/W
th (ch-c)
0.001
10μ
100μ
1m
10m
100m
1
10
パルス幅
t
w
(s)
安全動作領域
E
AS
– T
ch
100
10
200
I
max (パルス) *
D
160
120
80
100 μs *
I
max (連続)
D
1 ms *
直流動作
1
Tc = 25°C
40
0.1
0
25
50
75
100
125
150
* 単発パルス Tc = 25°C
安全動作領域は温度によって
ディレーティングして考える
必要があります。
0.01
チャネル温度 (初期)
T
ch
(°C)
V
max
DSS
B
0.001
VDSS
0.1
1
10
100
1000
15 V
−15 V
I
AR
ドレイン･ソース間電圧
V
(V)
DS
V
V
DD
DS
B
測定回路
測定波形
⎛
⎜
⎜
⎝
⎞
⎟
⎟
⎠
1
2
2
R
= 25 Ω
= 90 V, L = 4.2 mH
VDSS
G
=
⋅L⋅I ⋅
Ε
AS
−
V
DD
V
B
VDSS
DD
5
2010-04-27
TK8A50DA
製品取り扱い上のお願い
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報等、本資料の掲載内容は、技術の進歩などにより予告なしに変更されることがあります。
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に、お客様の責任において、お客様のハードウェア・ソフトウェア・システムに必要な安全設計を行うこ
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タシート、アプリケーションノート、半導体信頼性ハンドブックなど）および本製品が使用される機器の
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タ、図、表などに示す技術的な内容、プログラム、アルゴリズムその他応用回路例などの情報を使用する
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てください。
• 本製品は、一般的電子機器（コンピュータ、パーソナル機器、事務機器、計測機器、産業用ロボット、家
電機器など）または本資料に個別に記載されている用途に使用されることが意図されています。本製品は、
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財産損害を引き起こす恐れ、もしくは社会に深刻な影響を及ぼす恐れのある機器（以下“特定用途”とい
う）に使用されることは意図されていませんし、保証もされていません。特定用途には原子力関連機器、
航空・宇宙機器、医療機器、車載・輸送機器、列車・船舶機器、交通信号機器、燃焼・爆発制御機器、各
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るいはその他軍事用途の目的で使用しないでください。また、輸出に際しては、「外国為替及び外国貿易
法」、「米国輸出管理規則」等、適用ある輸出関連法令を遵守し、それらの定めるところにより必要な手続
を行ってください。
• 本製品のRoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口までお問合せください。本
製品のご使用に際しては、特定の物質の含有･使用を規制するRoHS 指令等、適用ある環境関連法令を十
分調査の上、かかる法令に適合するようご使用ください。お客様がかかる法令を遵守しないことにより生
じた損害に関して、当社は一切の責任を負いかねます。
6
2010-04-27
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