BSC094N06LS5
英飞凌OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 逻辑电平特别适用于无线充电、适配器和电信应用。该器件栅极电荷 (Q g) 低，降低开关损耗，而不影响导通损耗。改进品质因数，支持在高开关频率下运行。此外，逻辑电平驱动提供低栅极阈值电压 (V GS(th))，使 MOSFET 能够由 5V 驱动并且直接由微控制器驱动。
开关 无线 栅 驱动 控制器 电信 微控制器 栅极
INFINEON
2D14B_0512D1.5U
2W - Dual/Single Output DC-DC Converter - Fixed Input - Isolated & Unregulated
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GAPTEC
NXH003P120M3F2PTHG
Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 3 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, 2-PACK Half Bridge Topology, F2 Package
暂无信息
ONSEMI
