WED3DG647V7D2 [WEDC]

Synchronous DRAM Module, 8MX64, CMOS, DIMM-168;
WED3DG647V7D2
型号: WED3DG647V7D2
厂家: WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION    WHITE ELECTRONIC DESIGNS CORPORATION
描述:

Synchronous DRAM Module, 8MX64, CMOS, DIMM-168

时钟 动态存储器 内存集成电路
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WED3DG647V-D2  
White Electronic Designs  
64MB- 8Mx64 SDRAM UNBUFFERED  
FEATURES  
DESCRIPTION  
Burst Mode Operation  
The WED3DG647V is a 8Mx64 synchronous DRAM  
modulewhichconsistsofeight8Mx8SDRAMcomponents  
in TSOP II package and one 2K EEPROM in an 8 pin  
TSSOP package for Serial Presence Detect which are  
mounted on a 168 pin DIMM multilayer FR4 Substrate.  
Auto and Self Refresh capability  
LVTTL compatible inputs and outputs  
Serial Presence Detect with EEPROM  
Fully synchronous: All signals are registered on the positive  
edge of the system clock  
*This datasheet describes a product that may or may not be under development and is  
subject to change or cancellation without notice.  
Programmable Burst Lengths: 1, 2, 4, 8 or Full Page  
3.3V ± 0.3V Power Supply  
168 pin DIMM JEDEC  
Pin Configurations (Front Side/Back Side)  
PIN NAMES  
Pin  
1
Front  
VSS  
Pin  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
Front  
DQM1  
CS0#  
DNU  
VSS  
Pin  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
73  
74  
75  
76  
77  
78  
79  
80  
81  
82  
83  
84  
Front  
DQ18  
DQ19  
VCC  
Pin  
85  
Back  
VSS  
Pin  
113  
114  
115  
116  
117  
118  
119  
120  
121  
122  
123  
124  
125  
126  
127  
128  
129  
130  
131  
132  
133  
134  
135  
136  
137  
138  
139  
140  
Back  
DQM5  
CS1#  
RAS#  
VSS  
Pin  
141  
142  
143  
144  
145  
146  
147  
148  
149  
150  
151  
152  
153  
154  
155  
156  
157  
158  
159  
160  
161  
162  
163  
164  
165  
166  
167  
168  
Back  
DQ50  
DQ51  
VCC  
A0 – A11  
BA0-1  
DQ0-63  
CK0,CK2  
CKE0  
CS0#,CS2#  
RAS#  
CAS#  
WE#  
Address input (Multiplexed)  
Select Bank  
2
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
VCC  
86  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
VCC  
3
87  
Data Input/Output  
Clock input  
4
DQ20  
NC  
88  
DQ52  
NC  
5
A0  
89  
A1  
6
A2  
*VREF  
*CKE1  
VSS  
90  
A3  
*VREF  
DNU  
VSS  
Clock Enable input  
Chip select Input  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Write Enable  
7
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
VSS  
A4  
91  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQ40  
VSS  
A5  
8
A6  
92  
A7  
9
A8  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
VSS  
93  
A9  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
VSS  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
A10/AP  
BA1  
VCC  
94  
BA0  
A11  
95  
96  
VCC  
DQ9  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
VCC  
VCC  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
VCC  
97  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
VCC  
*CK1  
*A12  
VSS  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
VCC  
CK0  
VSS  
98  
DQM0-7#  
VCC  
DQM  
99  
DNU  
CS2#  
DQM2  
DQM3  
DNU  
VCC  
100  
101  
102  
103  
104  
105  
106  
107  
108  
109  
110  
111  
112  
CKE0  
*CS3#  
DQM6  
DQM7  
*A13  
VCC  
Power Supply (3.3V)  
Ground  
VSS  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
VSS  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
VSS  
DQ14  
DQ15  
*CB0  
*CB1  
VSS  
DQ46  
DQ47  
*CB4  
*CB5  
VSS  
SDA  
Serial data I/O  
Serial clock  
SCL  
NC  
NC  
DNU  
Do not use  
NC  
CK2  
NC  
*CLK3  
NC  
NC  
No Connect  
NC  
*CB2  
*CB3  
VSS  
NC  
NC  
*CB6  
*CB7  
VSS  
NC  
WP***  
**SDA  
**SCL  
VCC  
NC  
**SA0  
**SA1  
**SA2  
VCC  
WP  
Write Protect  
VCC  
VCC  
*These pins are not used in this module.  
**These pins should be NC in the system which  
does not support SPD.  
WE#  
DQM0  
DQ16  
DQ17  
CAS#  
DQM4  
DQ48  
DQ49  
*** WP Available on the WED3DG637V-D2 only.  
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Month, Year  
1
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WED3DG647V-D2  
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FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
CSO#  
DQM0  
DQM4  
D Q M CS#  
D Q M  
CS#  
DQ32  
DQ33  
DQ34  
DQ35  
DQ36  
DQ37  
DQ38  
DQ39  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
U0  
U4  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQM1  
DQM5  
D Q M  
D Q M  
CS#  
CS#  
DQ40  
DQ41  
DQ42  
DQ43  
DQ44  
DQ45  
DQ46  
DQ47  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ8  
DQ9  
U5  
U1  
DQ10  
DQ11  
DQ12  
DQ13  
DQ14  
DQ15  
CS2#  
DQM2  
DQM6  
D Q M  
CS#  
DQM  
CS#  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ48  
DQ49  
DQ50  
DQ51  
DQ52  
DQ53  
DQ54  
DQ55  
DQ16  
DQ17  
DQ18  
DQ19  
DQ20  
DQ21  
DQ22  
DQ23  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
U6  
U2  
DQM3  
DQM7  
DQM  
CS#  
DQM  
CS#  
DQ56  
DQ57  
DQ58  
DQ59  
DQ60  
DQ61  
DQ62  
DQ63  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
DQ24  
DQ25  
DQ26  
DQ27  
DQ28  
DQ29  
DQ30  
DQ31  
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
DQ4  
DQ5  
DQ6  
DQ7  
U7  
U3  
SDA  
SCL  
WP  
A0 A1 A2  
SA1 SA2  
SA0  
SDRAM U0–U7  
SDRAM U0–U7  
U0/U2  
A0–A11,BA0 &1  
RAS#  
U4/U6  
U1/U3  
10  
CK0/2  
SDRAM  
CAS#  
U0–U7  
SDRAM U0–U7  
SDRAM U0–U7  
U5/U7  
WE#  
CKE0  
1.5pF  
10  
Every DQpin of SDRAM  
DQn  
10Ω  
V
CC  
SS  
CK1/3  
TWO 0.1 uF CAPACITORS  
PER EACH SDRAM  
10pF  
To all SDRAMS  
V
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2
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ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
VIN, VOUT  
VCC, VCCQ  
TSTG  
Value  
-1.0 ~ 4.6  
-1.0 ~ 4.6  
-55 ~ +150  
8
Units  
V
Voltage on any pin relative to VSS  
Voltage on VCC supply relative to VSS  
Storage Temperature  
V
°C  
W
Power Dissipation  
PD  
Short Circuit Current  
IOS  
50  
mA  
Note: Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded.  
Functional operation should be restricted to recommended operating condition.  
Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.  
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS  
(Voltage Referenced to: VSS = 0V, TA = 0°C to +70°C)  
Parameter  
Supply Voltage  
Symbol  
VCC  
VIH  
Min  
3.0  
2.0  
-0.3  
2.4  
Typ  
3.3  
3.0  
Max  
3.6  
Unit  
V
Note  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
VCCQ+0.3  
0.8  
V
1
VIL  
V
2
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
Input Leakage Current  
VOH  
VOL  
ILI  
V
IOH= -2mA  
IOL= -2mA  
3
0.4  
V
-10  
10  
µA  
Note: 1. VIH (max)= 5.6V AC. The overshoot voltage duration is 3ns.  
2. VIL (min)= -2.0V AC. The undershoot voltage duration is 3ns.  
3. Any input 0V VIN VCC  
Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State  
outputs.  
CAPACITANCE  
(TA = 23°C, f = 1MHz, VCC = 3.3V, VREF=1.4V ± 200mV)  
Parameter  
Input Capacitance (A0-A12)  
Input Capacitance (RAS#,CAS#,WE#)  
Input Capacitance (CKE0)  
Symbo  
CIN1  
Minl  
Max  
45  
Unit  
pF  
-
-
-
CIN2  
45  
pF  
CIN3  
45  
pF  
Input Capacitance (CLK0, CLK2)  
Input Capacitance (CS0#,CS2#)  
Input Capacitance (DQM0-DQM7)  
Input Capacitance (BA0-BA1)  
CIN4  
CIN5  
CIN6  
CIN7  
COUT  
-
-
-
-
-
30  
25  
10  
45  
12  
pF  
pF  
pF  
pF  
pF  
Data input/output capacitance (DQ0-DQ63)  
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OPERATING CURRENT CHARACTERISTICS  
(VCC = 3.3V, 0°CTA70°C)  
Parameters  
Symbol  
Conditions  
Versions  
Units  
Note  
133  
100  
Operating Current  
(One bank active)  
ICC1  
600  
520  
mA  
1
Burst Length = 1  
tRC ≥ tRC(min)  
IOL = 0mA  
ICC2P  
ICC2PS  
ICC2N  
10  
10  
mA  
mA  
mA  
Precharge Standby Current  
in Power Down Mode  
CKE ≤ VIL(max), tCC = 10ns  
CKE & CK ≤ VIL(max), tCC = ∞  
Precharge Standby Current  
in Non-Power Down Mode  
120  
CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCC =10ns  
Input signals are charged one time during 20  
50  
mA  
mA  
ICC2NS  
CKE ≥ VIH(min), CK ≤ VIL(max), tCC= ∞  
Input signals are stable  
25  
25  
Active standby current in power-  
down mode  
ICC3P  
CKE ≥ VIL(max), tCC = 10ns  
ICC3PS  
CKE & CK ≤ VIL(max), tCC = ∞  
Active standby in current non  
power-down mode  
ICC3N  
200  
120  
mA  
CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCC = 10ns  
Input signals are charged one time during 20ns  
ICC3NS  
mA  
mA  
CKE ≥ VIH(min), CK ≤ VIL(max), tCC = ∞  
input signals are stable  
ICC4  
920  
840  
810  
1
2
Operating current (Burst mode)  
Io = mA  
Page burst  
4 Banks activated  
tCCD = 2CK  
Refresh current  
ICC5  
ICC6  
1080  
mA  
mA  
tRC ≥ tRC(min)  
CKE ≤ 0.2V  
Self refresh current  
10  
Notes: 1. Measured with outputs open.  
2. Refresh period is 64ms.  
3. Unless otherwise noticed, input swing level is CMOS (VIH/VIL = VCC/VssQ)  
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4
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Rev. #  
WED3DG647V-D2  
White Electronic Designs  
ORDERING INFORMATION  
Part Number  
Speed  
100MHz  
133MHz  
133MHz  
CAS Latency  
CL=2  
Part Number  
Speed  
100MHz  
133MHz  
133MHz  
CAS Latency  
CL=2  
WED3DG647V10D2  
WED3DG647V7D2  
WED3DG647V75D2  
WED3DG637V10D2  
WED3DG637V7D2  
WED3DG637V75D2  
CL=2  
CL=2  
CL=3  
CL=3  
Note: Modules are available in industrial temperature - 40°C to 85°C.  
Note: Available with "WP" Write Protect on pin 81.  
PACKAGE DIMENSIONS  
5.255 MAX.  
.100  
MAX.  
.125 (2X)  
.157  
(2X)  
1.200  
MAX.  
.700  
P1  
1.450  
1.660  
.450  
.157 MIN.  
2.150  
.350  
.250  
.250  
.050 .004  
4.550  
ALL DIMENSIONS ARE IN INCHES  
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