AO4410
2025-11-06 14:37:03
摘要：AO4410 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor（AOS）生产的 N 沟道功率 MOSFET，专为高效电源管理与负载开关应用设计。该器件具有极低导通电阻、快速开关特性及良好的热性能，适用于 DC-DC 转换器、电机驱动、电池管理系统及电源负载控制等领域。
描述
AO4410 采用增强型 N 沟道 MOS 结构，通常封装为 SO-8 表面贴装型，具备高电流承载能力和低功率损耗的特性。其设计优化了栅极电荷与导通电阻的平衡，使其在高效率同步整流或高频开关应用中表现出色。器件还具备良好的雪崩能量承受能力与可靠性，适合工业及消费类电子设备的长时间稳定运行。
产品概述
| 产品型号 | AO4410 |
| 制造商 | UMW |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 18A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOP |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5.5 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 85 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 10500 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta） |
主要特点
低导通电阻，降低功率损耗
开关速度快，适合高频应用
栅极电荷小，驱动效率高
具备良好的雪崩耐受性能
SO-8 封装，便于表面贴装与散热
高可靠性设计，支持长时间连续工作
典型应用
DC-DC 转换器与电源管理模块
笔记本电脑及适配器电源
电机驱动与负载开关控制
电池保护与分配电路
同步整流与高效功率转换系统
消费电子与工业自动化控制设备
引脚图及功能
工作原理
AO4410 属于增强型 N 沟道场效应管（MOSFET）。当栅极电压高于阈值电压时，在源极与漏极之间形成导电沟道，使电流顺利流通；当栅极电压低于阈值时，沟道关闭，阻断电流流动。通过控制栅极电压即可实现对功率通断的精确控制，从而用于开关、调制或功率放大应用。
替代型号
AO4407（同系列互补 P 沟道型号）
IRLZ44N（常用功率 MOSFET 替代型号）
SI4410DY（封装与性能相近）
AOD484（AOS 高效替代型号）
FDS6910（双 MOSFET 替代方案）