AO7800
2025-11-10 14:52:50
摘要：AO7800 是一款由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 生产的 N 沟道功率 MOSFET，专为高效电源转换、负载开关和电机驱动等功率控制场合设计。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及优异的热性能，可在高频、高效率电路中实现稳定可靠的功率输出。
描述
AO7800 采用先进的沟槽型 MOSFET 工艺，具备高电流承载能力和低栅极驱动电压特性，可直接与逻辑电平信号兼容。其低损耗设计有助于降低系统发热并提高能源利用率。通常采用 TO-252（DPAK） 封装，便于散热并适用于紧凑型电源模块、DC-DC 转换器及电池管理系统。
产品概述
| 产品型号 | AO7800 |
| 制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | MOSFET - 阵列 20V 900mA 300mW 表面贴装型 SC-70-6 |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
产品图片
AO7800产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 配置 | 2 N-通道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 900mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 300 毫欧 @ 900mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.9nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | 300mW |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 120pF @ 10V |
主要特点
N 沟道增强型 MOSFET
导通电阻低，开关损耗小
开关速度快，适合高频应用
逻辑电平驱动兼容
热性能优良，适合高功率场合
高可靠性设计，支持长时间稳定运行
典型应用
DC-DC 电源转换器
负载开关与电池保护电路
电机控制与驱动模块
工业控制设备
消费电子电源管理系统
引脚图及功能
工作原理
AO7800 通过控制栅极电压来调节源极与漏极间的导通状态。当栅极电压高于阈值时，沟道形成并允许电流导通；当栅极电压降低时，沟道关闭，电流被切断。其快速的开关能力与低电荷栅极特性可有效减少能量损耗，提升系统的转换效率与热稳定性。
替代型号
AO7804（同系列低阻替代）
IRLZ44N（高性能功率 MOSFET）
AOD4184A（低压高效替代型号）
STP55NF06L（兼容型替代）
SI2302DS（适用于轻载电路的替代）