2N2329
更新时间：2025-01-16 08:51:14
品牌：CENTRAL
描述：SILICON CONTROLLED RECTIFIER 1.6 AMPS, 25 THRU 400 VOLTS
概述
规格参数
数据手册2N2329 概述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER 1.6 AMPS, 25 THRU 400 VOLTS 可控硅整流1.6安培， 25 THRU 400伏 可控硅整流器
2N2329 规格参数
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-39 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.11 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V | 最大维持电流： | 2 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大漏电流： | 0.1 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 15 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 1600 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 1.6 A |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 重复峰值反向电压： | 400 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
2N2329 数据手册
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2N2323 2N2327
2N2324 2N2328
2N2325 2N2329
Central
Semiconductor Corp.
SILICON CONTROLLED RECTIFIER
1.6 AMPS, 25 THRU 400 VOLTS
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N2322
Series types are hermetically sealed Silicon
Controlled Rectifiers designed for sensing
circuit applications and control systems.
MARKING: FULL PART NUMBER
2N23__
TO-39 CASE
MAXIMUM RATINGS: (T =25°C unless otherwise noted)
C
SYMBOL 22
23
24
25
26
27
28
29 UNITS
Peak Repetitive Forward Voltage
Peak Repetitive Reverse Voltage
Non-Repetitive Peak Reverse Voltage
RMS On-State Current
V
V
V
25
25
40
50 100 150 200 250 300 400
V
DRM
RRM
RSM
50 100 150 200 250 300 400
V
75 150 225 300 350 400 500
V
I
1.6
1.0
A
T(RMS)
Average On-State Current (T =85°C)
C
I
A
T(AV)
Peak One Cycle Surge (t=8.3ms)
I
15
A
TSM
Peak Gate Power
P
0.10
W
W
A
GM
Average Gate Power
Peak Gate Current
P
0.01
G(AV)
I
0.10
GM
Peak Gate Voltage
V
6.0
V
GM
Junction Temperature
Storage Temperature
T
-65 to +125
-65 to +150
°C
°C
J
T
stg
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)
C
SYMBOL
TEST CONDITIONS
Rated V , V
MIN
MAX
5.0
UNITS
μA
I
I
I
, I
, R =1.0kΩ
DRM RRM
DRM RRM GK
V =6.0V, R =100Ω
200
2.0
0.8
1.5
μA
mA
V
GT
H
D
L
V =6.0V, R =1.0kΩ
GK
D
V
V =6.0V, R =100Ω
GT
TM
D
L
V
I
=1.0A, tp=380μs
V
TM
R0 (11-December 2008)
TM
2N2322 2N2326
2N2323 2N2327
2N2324 2N2328
2N2325 2N2329
Central
Semiconductor Corp.
SILICON CONTROLLED RECTIFIER
1.6 AMPS, 25 THRU 400 VOLTS
TO-39 CASE - MECHANICAL OUTLINE
LEAD CODE:
1) CATHODE
2) GATE
3) ANODE (case)
MARKING: FULL PART NUMBER
R0 (11-December 2008)
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
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