三星 HBM3E 产量调整，市场需求不明下的保守抉择

在半导体行业的激烈竞争与市场需求多变的大环境下，三星电子在第二季度末做出了减少 12 层 HBM3E（第五代高带宽存储器）产量的重要决策。HBM3E 12 层作为目前商业化 HBM 中最先进的产品，三星电子原本有着清晰的规划，计划于今年年中向英伟达供应该产品。然而，现实的发展却充满了变数，与英伟达的谈判陷入了拖延的困境，这使得下半年市场需求的不确定性显著加剧。为了有效降低库存突然激增可能带来的巨大风险，三星电子恢复了保守的经营政策。

据业内人士 2 日透露，三星电子已将其 HBM3E 12 层量产线的开工率降至之前的一半。自第一季度末起，三星电子大幅提高了 HBM3E 12 层存储器的产量，这是基于预计与英伟达的质量测试计划将在 6 月左右完成，从而预先确保库存的策略。同时，AMD 最新 AI 加速器（例如 MI325X 和 MI350X）对 HBM3E 12 层存储器的供应需求也产生了一定影响。原本三星电子今年第二季度 HBM3E 12 层硅片的产量预计平均每月可达 7 万至 8 万片，但在第二季度末，该公司大幅减少了晶圆投入，目前产量降至每月 3 万至 4 万片。

导致这一产量调整的主要原因在于向 NVIDIA 供应 HBM3E 12 层存储器的不确定性增加。三星电子最初目标是在 6 月份完成测试，但目前来看，测试最迟将在 9 月份完成的预期已成主流，且发热问题仍在讨论中。一位知情人士指出，“如果因对 Nvidia 的供应延迟导致 HBM3E 12 层库存迅速增加，可能会给三星电子的财务带来沉重负担”，同时还补充道，“由于 HBM4 市场预计将于明年上半年正式启动，三星电子可能会尝试保持保守的生产立场”。

因此，三星电子 HBM 业务的反弹将受到非 NVIDIA ASIC（专用集成电路）需求扩张的影响。当前，谷歌、Meta 和 AWS（亚马逊网络服务）等全球大型科技公司正专注于开发用于数据中心的 AI 半导体，HBM 在这些芯片中有着大量应用。

与此同时，及时实现 HBM4（第六代高带宽存储器）的商业化也是三星电子的一项重要任务。目前，三星电子正聚焦于 HBM4 的核心芯片 ——1c（第六代 10 纳米级）DRAM 的开发，并已开展修改部分电路以提高稳定性等工作，预计 HBM 用 1c DRAM 将于今年第三季度获得 PRA（内部量产批准）。

据业内消息人士透露，三星电子已于周一完成了基于先进 10 纳米级工艺的第六代 DRAM 的开发，并获得了生产准备批准。这一重要的内部里程碑表明该产品已符合大规模生产准备的所有标准。10 纳米级 DRAM 制程技术从第一代逐步演进到第六代，每一代都实现了更精细的电路，从而显著提升了性能和能效。三星此前曾于 2022 年 12 月宣布开发第五代 DRAM，并于次年 5 月开始量产，此次第六代 DRAM 的开发标志着其在工艺扩展方面取得了约两年的进展。

三星的第六代 DRAM 开发因其高带宽内存业务而备受关注。该公司计划在今年下半年实现基于第六代 DRAM 的 HBM4 的量产，HBM4 有望成为人工智能时代的关键组件，显著提升数据处理速度和能效。其同城竞争对手 SK 海力士目前在 HBM 市场处于领先地位，正在开发采用第五代 DRAM 的 HBM4，早在 3 月份就已向主要客户提供了 HBM4 样品，并计划在今年下半年实现量产。

随着三星完成第六代 DRAM 的开发，市场关注点转向该公司是否会很快交付 HBM4 样品并通过 Nvidia 的资格测试，这是获得大批量订单的关键基准。此外，三星还在等待其 12 层 HBM3E 的认证。在 HBM 领导地位之争愈演愈烈的背景下，第六代 HBM4 的成功商业化可能成为三星在高端内存市场重获动力的关键。最近，三星开始向 AMD 供应其 12 层 HBM3E，也在寻求与英伟达达成供应协议，还与多家客户合作开发定制的 HBM4 产品，预计该产品将从明年开始为公司带来收入。

从技术层面来看，HBM3E 12 层作为高带宽存储器的先进产品，其在数据传输速度和带宽方面具有显著优势，能够满足高端 AI 芯片等对数据处理能力的高要求。而 HBM4 作为下一代产品，有望在性能上实现进一步的飞跃，为人工智能等领域的发展提供更强大的支持。对于三星电子而言，平衡 HBM3E 的产量与市场需求，同时加快 HBM4 的商业化进程，是其在激烈的市场竞争中保持领先地位的关键策略。这不仅关系到三星电子自身的业务发展和财务状况，也将对整个半导体行业的发展格局产生重要影响。