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是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.16 |
配置: | SINGLE | 最大直流栅极触发电流: | 0.02 mA |
JEDEC-95代码: | TO-18 | JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 |
JESD-609代码: | e3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
最大均方根通态电流: | 0.8 A | 重复峰值反向电压: | 300 V |
表面贴装: | NO | 端子面层: | MATTE TIN (315) |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 | 触发设备类型: | SCR |
Base Number Matches: | 1 |
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PDF下载型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
2N891 | BOCA | SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) | 获取价格 |
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2N891 | CENTRAL | 0.8 to 110 Amperes RMS 15 to 1200 Volts | 获取价格 |
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2N891 | NJSEMI | SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) | 获取价格 |
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2N891LEADFREE | CENTRAL | Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 400V V(RRM), 1 Element, TO-18 | 获取价格 |
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2N892 | ETC | THYRISTOR|GTO|15V V(DRM)|TO-18 | 获取价格 |
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2N893 | ETC | THYRISTOR|GTO|15V V(DRM)|TO-18 | 获取价格 |
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2N899 | ETC | THYRISTOR|GTO|100V V(DRM)|TO-18 | 获取价格 |
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2N90 | UTC | 2 Amps, 900 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET | 获取价格 |
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2N900 | ETC | THYRISTOR|GTO|200V V(DRM)|TO-18 | 获取价格 |
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2N906 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 30V V(BR)CEO | 25MA I(C) | AXIAL | 获取价格 |
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