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1N5402GP

更新时间：2025-07-03 02:12:14
品牌：MCC
描述：3 Amp Glass Passivated Rectifier 50 - 1000 Volts

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1N5402GP 概述

3 Amp Glass Passivated Rectifier 50 - 1000 Volts 3安培玻璃钝化整流50 - 1000伏 整流二极管

1N5402GP 规格参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-201AD包装说明：PLASTIC PACKAGE-2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.05Is Samacsys：N
其他特性：METALLURGICALLY BONDED应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

1N5402GP 数据手册

通过下载1N5402GP数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节，如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。

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M C C  
1N5400GP  
THRU  
1N5408GP  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
21201 Itasca Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Features  
·
·
·
·
·
Low Current Leakage  
3 Amp Glass  
Passivated Rectifier  
50 - 1000 Volts  
Metalurgically Bonded Construction  
Low Forward Voltage  
High Current Capability  
Glass Passivated Junction  
Maximum Ratings  
DO-201AD  
·
·
·
Operating Temperature: -55°C to +150°C  
Storage Temperature: -55°C to +150°C  
Maximum Thermal Resistance; 30°C/W Junction To Lead  
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Recurrent  
Peak  
Reverse  
Voltage  
50V  
100V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
Maximum Maximum  
RMS  
DC  
Voltage  
Blocking  
Voltage  
D
1N5400GP  
1N5401GP  
1N5402GP  
1N5404GP  
1N5406GP  
1N5407GP  
1N5408GP  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
---  
35V  
70V  
50V  
100V  
200V  
400V  
600V  
800V  
1000V  
A
Cathode  
Mark  
140V  
280V  
420V  
560V  
700V  
B
D
C
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
3.0A  
TA = 105°C  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
200A  
8.3ms, half sine  
DIMENSIONS  
Maximum  
INCHES  
MIN  
---  
---  
.048  
1.000  
MM  
MIN  
---  
---  
1.20  
25.40  
Instantaneous  
Forward Voltage  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
VF  
IR  
1.1V  
IFM = 3.0A;  
TJ = 25°C*  
DIM  
A
B
C
D
MAX  
.370  
.250  
.052  
---  
MAX  
9.50  
6.40  
1.30  
---  
NOTE  
5.0mA  
50mA  
TJ = 25°C  
TJ = 125°C  
Typical Junction  
Capacitance  
CJ  
40pF  
Measured at  
1.0MHz, VR=4.0V  
*Pulse test: Pulse width 300 msec, Duty cycle 1%  
www.mccsemi.com  
1N5400GP thru 1N5408GP  
M C C  
Figure 1  
Typical Forward Characteristics  
20  
Figure 2  
10  
6
Forward Derating Curve  
3.0  
2.5  
2
4
2
1
.6  
.4  
Amps  
1.5  
1.0  
.5  
Amps  
.2  
25°C  
.1  
.06  
.04  
Single Phase, Half Wave  
60Hz Resistive or Inductive Load  
0
50  
75  
100  
125  
150  
175  
0
°C  
.02  
.01  
Average Forward Rectified Current - Amperesversus  
Ambient Temperature -°C  
.4  
.6  
1.4  
.8  
1.0  
1.2  
Volts  
Instantaneous Forward Current - Amperesversus  
Instantaneous Forward Voltage - Volts  
Figure 3  
Junction Capacitance  
100  
60  
40  
20  
TJ=25°C  
pF  
10  
6
4
2
1
400  
1000  
.1  
.2  
.4  
1
2
10 20  
200  
4
40  
100  
Volts  
Junction Capacitance - pFversus  
Reverse Voltage - Volts  
www.mccsemi.com  
1N5400GP thru 1N5408GP  
M C C  
Figure 4  
Typical Reverse Characteristics  
Figure 5  
Peak Forward Surge Current  
100  
60  
300  
40  
250  
20  
200  
150  
100  
10  
6
Amps  
4
50  
0
2
1
80  
100  
1
60  
4
6
10 20  
40  
8
2
mAmps  
.6  
.4  
Cycles  
Peak Forward Surge Current - Amperesversus  
Number Of Cycles At 60Hz - Cycles  
.2  
TA=25°C  
.1  
.06  
.04  
.02  
.01  
20  
40  
60  
80  
140  
100  
120  
Volts  
Instantaneous Reverse Leakage Current - MicroAmperesversus  
Percent Of Rated Peak Reverse Voltage - Volts  
www.mccsemi.com  

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