S29GL128N90FAI013
更新时间：2025-01-16 05:39:08
品牌：SPANSION
描述：3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology
概述
规格参数
数据手册S29GL128N90FAI013 概述
3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 闪存
S29GL128N90FAI013 规格参数
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | 13 X 11 MM, 1MM PITCH, FBGA-64 |
| 针数： | 64 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.47 | 最长访问时间： | 90 ns |
| 备用内存宽度： | 8 | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B64 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 13 mm | 内存密度： | 134217728 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 128 | 端子数量： | 64 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 8MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | LBGA |
| 封装等效代码： | BGA64,8X8,40 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 页面大小： | 8/16 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.4 mm | 部门规模： | 128K |
| 最大待机电流： | 0.000005 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.07 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 切换位： | YES | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 11 mm | Base Number Matches： | 1 |
S29GL128N90FAI013 数据手册
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