| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.68 |
| Is Samacsys： | N | 标称电路换相断开时间： | 2 µs |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 0.02 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.6 V | 最大维持电流： | 4 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-5 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 最大漏电流： | 0.0001 mA | 通态非重复峰值电流： | 5 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 500 A | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 最大均方根通态电流： | 1.3 A | 断态重复峰值电压： | 30 V |
| 重复峰值反向电压： | 30 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 | 文档 |
| 2N3030-HR | DIGITRON | Descriptive : Silicon Controlled Rectifier; Peak Repetitive Reverse Voltage : 30; Peak Repetitive | 获取价格 |
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| 2N3030E3 | MICROSEMI | Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element, TO-18 | 获取价格 |
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| 2N3031 | MICROSEMI | SCRs 0.5 Amp, Planear | 获取价格 |
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| 2N3031 | SSDI | Silicon Controlled Rectifier, 1.3A I(T)RMS, 500mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN | 获取价格 |
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| 2N3031 | DIGITRON | Descriptive : Silicon Controlled Rectifier; Peak Repetitive Reverse Voltage : 60; Peak Repetitive | 获取价格 |
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| 2N3031-HR | DIGITRON | Descriptive : Silicon Controlled Rectifier; Peak Repetitive Reverse Voltage : 60; Peak Repetitive | 获取价格 |
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| 2N3032 | MICROSEMI | SCRs 0.5 Amp, Planear | 获取价格 |
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| 2N3032 | SSDI | Silicon Controlled Rectifier, 1A I(T)RMS, 500mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-5, TO-5, 3 PIN | 获取价格 |
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| 2N3032 | DIGITRON | Descriptive : Silicon Controlled Rectifier; Peak Repetitive Reverse Voltage : 100; Peak Repetitive | 获取价格 |
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| 2N3032-HR | DIGITRON | Descriptive : Silicon Controlled Rectifier; Peak Repetitive Reverse Voltage : 100; Peak Repetitive | 获取价格 |
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