SRAM

什么是 SRAM 内存？

SRAM 代表静态随机存取存储器，这是一种只要通电，数据就处于静态的存储器形式。SRAM 数据以位的形式存储，并且设计为断电后立即擦除。这就是它被称为易失性存储器的原因。SRAM 中的“静态”一词指的是这些数据不需要刷新（DRAM 需要刷新），因此保持静态且不会发生变化，这使得 SRAM 速度更快。

SRAM 最初于 1963 年作为一种内存解决方案出现，由罗伯特·诺曼 (Robert Norman) 发明和开发，并于 1964 年由约翰·施密特 (John Schmidt) 进一步开发。在此之后，SRAM 内存芯片应运而生。SRAM 芯片于 1969 年发布并投入使用，距其发明不到五年。

如今，SRAM 存储器已发展出多种不同的类型或类别。SRAM 的类型包括触发器、伪静态、晶体管和非易失性类型。

SRAM 内存存储在哪里？

SRAM 存储器以位的形式存储在晶体管中，反相器在晶体管之间起作用，以改变存储器的状态。存储器的状态是另一种表示方式，表示该存储器是以“读”还是“写”的方式访问，并以二进制代码的形式表示为“0”或“1”。这被称为“触发器”电路，因为每个位的存储状态要么处于一种状态，要么处于另一种状态。

在物理设备上，SRAM 可以作为缓存数据位于硬盘上。SRAM 数据存储器也存在于各种设备上，例如打印机和其他使用某种缓存来加速处理的设备。在现实世界中，SRAM 存储器存储在存储芯片中，每个芯片包含 6 个晶体管。

SRAM内存速度

内存速度似乎是一个不太明确的术语，但它指的是内存从一个功能切换到另一个功能，或者从“读取”切换到“写入”所需的时间。理解这一点很重要，因为如果内存能够更快地切换功能，那么数据传输和通信到其他设备、电路或组件的速度也会加快。

SRAM 是一种静态存储器，因此无需刷新即可保持最新状态。此外，SRAM 存储数据时功耗更高，因为它需要更多晶体管才能正常工作。但额外的功耗也带来了比同等存储器更快的速度。

SRAM 存储器架构

内存架构指的是内存的结构和访问方式。不同类型的内存以结构化的方式植入设备中，以实现最佳的数据传输、通信和记录效果。

当提到 SRAM 架构时，指的是 SRAM 数据存储器本身的结构。一个 SRAM 数据单元相当于 1 位内存。该位数据由两个反相器组成，中间有一个电路。这两个反相器可以通过锁存器（类似于继电器开关）交替连接到中央电路。每个反相器都以二进制形式解释为 0 或 1，分别代表“读”或“写”访问权。当一个锁存器关闭时，SRAM 以“读”模式访问；当另一个锁存器关闭且第一个锁存器打开时，则以“写”模式访问。

SRAM应用

各种形式的 RAM 都广泛用于各种技术和设备，SRAM 也不例外。SRAM 更易于控制，并且保持静态，这意味着它速度更快，非常适合用于计算机存储、微处理器和控制器。然而，由于 SRAM 中的数据在断电时会被擦除，再加上 SRAM 是一种相当昂贵的存储方法，因此您不太可能将 SRAM 视为永久存储解决方案。相反，SRAM 更可能存在于缓存文件夹中，并用于计算机的 CPU。

除了计算机，SRAM 也用于屏幕和打印机。对于屏幕或显示器，SRAM 用于存储屏幕上显示的图像。对于打印机，需要打印的图像存储在 SRAM 中，以便打印机能够完成其功能。

最后，SRAM 还可以用于电子接口，并嵌入到接口中，构成功能的一部分。这种用途存在于许多技术中，包括带有互动组件的家用电器和儿童玩具。

SRAM 与 DRAM

虽然 SRAM 和 DRAM 都属于随机存取存储器，但它们的结构有所不同。DRAM 代表动态随机存取存储器。这种存储器的结构与 SRAM 不同，因为它使用电容器而不是反相器和晶体管进行存储。因此，存储器需要刷新，因此会发生变化，因此被称为“动态”。与 SRAM（其存储器存储在芯片上）不同，DRAM 存储在芯片外，访问时间更长。这使得 SRAM 比 DRAM 速度更快。

每个内存在设备中的存储位置也有所不同。DRAM 通常用作主要内存，因此通常存储在主板上；但由于 SRAM 是 CPU 中常用的内存，因此最有可能在处理器上找到它。

最后，两种类型的内存成本也有所不同。由于 SRAM 需要更高的功耗才能运行，因此与 DRAM 相比，SRAM 也是一种成本更高的内存选择。这也是 SRAM 并非始终是主内存系统理想选择的另一个原因。