AO4468
2025-11-25 15:30:05
摘要：AO4468 是一款 30V N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻、快速开关、小尺寸等优点，广泛应用于电池保护、电源管理、DC-DC 电源以及消费电子领域，是中小功率电路中的常用 MOS 管之一。
描述
AO4468 是 Alpha & Omega Semiconductor（AOS）推出的一款 N 沟道 MOSFET，常用于电源管理、电池保护、负载开关、DC-DC 转换器等中小功率应用场景。其特点是 导通电阻低、封装小、开关速度快、效率高，在消费电子、电池保护板（BMS）、适配器和通信设备中广泛使用。
产品概述
| 产品型号 | AO4468 |
| 制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 N 通道 30 V 10.5A（Ta） 3.1W（Ta） 8-SOIC |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
产品图片
AO4468产品图片
规格参数
| 产品状态 | 不适用于新设计 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 14 毫欧 @ 11.6A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1200 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 3.1W（Ta） |
主要特点
低导通损耗：在工作时发热更低，提高电路整体效率。
快速开关速度：适合高频电源和高速负载切换场景。
支持低电压驱动：与常见的控制芯片兼容性好，易于驱动。
小型封装（DFN 系列）：适合高度集成、紧凑型 PCB 设计。
高可靠性与稳定性：在消费电子与电池应用中表现稳定。
良好的热性能：增强的散热结构适合中小功率应用。
高性价比：供应链成熟，替代型号多，适合集成量产。
典型应用
电池保护板（BMS）
用作充电 MOS 或放电 MOS，是锂电保护常用器件。
DC-DC 电源转换
用于开关管或同步整流管，提高转换效率。
电源负载开关
用于各种小型负载的通断控制。
消费电子电源管理
应用于笔记本、平板、路由器、机顶盒等设备的电源切换或保护。
适配器与充电器
用于输入保护、开关控制或二级电源管理。
通讯与网络设备
用于电源模块、主板电源管理单元中的开关和保护功能。
智能家居、穿戴设备等小型电子产品
作为主电源开关或保护用 MOSFET。
常见替代型号
AON7410 / AON7412
IRLML6344
FDMC8030
TPC8035-H