AO3407
2025-08-25 14:54:35
摘要：AO3407 是一款非常常见且应用广泛的 P沟道 增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它以其小尺寸、低导通电阻和低成本，在电源管理领域，特别是空间受限的便携式设备中占据了重要地位。
描述
AO3407 是由 Alpha & Omega Semiconductor (AOS) 推出的 P 沟道增强型 MOSFET 管，主要应用于负载开关、电源管理、DC-DC 转换器及电池保护电路。其特点是 导通电阻低、驱动电压灵活、封装小型化，特别适合便携式设备和移动终端中的功率控制应用。
产品概述
| 产品型号 | AO3407 |
| 制造商 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 30 V 4.1A（Ta） 1.4W（Ta） SOT-23-3 |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 基本产品编号 | AO34 |
产品图片
AO3407产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 52 毫欧 @ 4.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 520 pF @ 15 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） |
主要特点
极性：P-Channel（P 沟道）
击穿电压 Vds：-30V
连续漏极电流 Id：-4.3A（在 Ta=25℃, Vgs=-10V 条件下）
导通电阻 Rds(on)：
45 mΩ（Vgs=-10V）
65 mΩ（Vgs=-4.5V）
栅极阈值电压 Vgs(th)：-1V ~ -3V
功耗 Pd：2 W（在 25℃ 环境下）
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：SOT-23（三引脚小型封装）
应用领域
电源管理：用于便携式设备的负载开关
电池保护电路：锂电池充放电保护
DC-DC 转换器：同步整流或开关控制
笔记本电脑、平板电脑、手机电源电路
消费电子、嵌入式系统
引脚图及功能
替代与相似型号
AO3407A：性能优化版，Rds(on) 更低
SI2301（Vishay）——常见的 P 沟道 MOS 管替代型号
IRLML6402（Infineon/IR）——相同电压等级的 P 沟道 MOSFET
PMV48XP（Nexperia）——适用于便携式设备的低压 P 沟道 MOSFET
CJ3407（长晶科技）、SSM3407（国产替代型号）