BSN20
2025-10-10 14:18:52
摘要:BSN20 是一款小信号 N 沟道增强型场效应管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET),广泛用于信号开关、低功率放大、电平转换和驱动电路中。该器件以其低导通电阻、快速开关特性和高输入阻抗而著称,非常适合在空间紧凑的电路中用作高效小功率开关器件。
描述
BSN20 采用 TO-92 或 SOT-23 等封装形式,能够在低电压下提供高效驱动能力。其内部结构优化,使其具有较低的栅极电荷和较快的响应速度,可在高频电路中稳定工作。由于输入阻抗高,功耗低,BSN20 常用于便携式设备、信号控制模块及驱动接口等场合,是模拟与数字电路中常见的通用 MOSFET。
规格参数
产品型号 | BSN20 |
制造商 | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. |
分类 | 分立半导体产品,晶体管,FET,MOSFET |
描述 | 50V 300MA 350MW 1 N-CHANNEL SOT- |
包装类型 | 卷带(TR) |
安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-23-3 |
产品图片
主要特点
N 沟道增强型 MOSFET 结构
高速开关性能,响应迅速
低导通电阻,导电效率高
高输入阻抗,控制功耗低
驱动电压要求低,易于逻辑电路控制
体积小巧,封装灵活,适合高密度电路板
符合 RoHS 环保标准
典型应用
低功率开关电路
微控制器输出驱动级
电平转换与信号切换
模拟电路放大或调制
电源管理与小负载控制
便携式电子设备与测量仪器
引脚图及功能
替换型号
2N7000(参数相近的通用 N 沟道 MOSFET)
BS170(性能相似,封装不同)
BSN25(同系列增强型替代)
IRLML2502(更高性能 SMD 替代)
BSS138(小信号逻辑电平 MOSFET 替代)