FDN340P
2025-10-16 09:37:03
摘要：FDN340P 是一款 体积小、损耗低、效率高的P沟道MOSFET，非常适合便携式设备与电源管理领域中需要高开关性能与高可靠性的应用。
描述
FDN340P 是由 ON Semiconductor（安森美半导体） 生产的一款 P沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为低电压、小功率、高效率的开关电路和负载驱动电路设计。
产品概述
| 产品型号 | FDN340P |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 20 V 2A（Ta） 500mW（Ta） SOT-23-3 |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 |
| 基本产品编号 | FDN340 |
产品图片
FDN340P产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET 类型 | P 通道 |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 70 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 779 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 500mW（Ta） |
主要特点
低导通电阻（R<sub>DS(on)</sub>）设计，提高电源效率
低栅极电荷（Q<sub>g</sub>），支持快速开关
兼容逻辑电平驱动（Logic Level Gate Drive）
体积小巧，适合高密度电路设计
稳定性高，具备良好的热性能与可靠性
典型应用
电源管理与负载开关
DC-DC 转换器
电池保护与控制电路
便携式电子产品
消费类与工业控制设备
引脚图及功能
替代型号
SI2301DS（Vishay）— P沟道MOSFET，封装SOT-23，参数接近，性能稳定。
AO3407A（Alpha & Omega）— 更低导通电阻，适合更高效率应用。
IRLML6402（Infineon）— 高性能P沟道MOSFET，逻辑电平驱动兼容。
PMV65XP（Nexperia）— 高速低Rds(on)，适用于小功率电源控制。
BSS84（ON Semiconductor）— 封装与引脚兼容，适合低电流场合替代。