IRF9530
摘要：IRF9530 是一款 P 沟道增强型功率 MOSFET，由国际整流器（IR，现已并入 Infineon）推出，采用 TO-220 封装。其最大漏源电压为 -100V，连续漏极电流可达 -14A，导通电阻约 0.2Ω。该器件常用于 开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器及电池保护电路，适合作为高端开关管，与 N 沟道 MOSFET 配合构成半桥或全桥功率电路。
什么是IRF9530？
IRF9530 是一款 P 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-220 封装，设计用于低频至中频功率开关电路。其最大漏源电压（Vds）为 -100V，连续漏极电流（Id）为 -14A，适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动及功率管理等场景。
作为 P 沟道 MOSFET，IRF9530 通常用于电路的高端开关（High-Side Switch），与常见的 N 沟道 MOSFET（如 IRF530/IRF540）互补使用。
IRF9530产品图片
IRF9530中文参数
| 产品型号 | IRF9530 |
| 制造商 | Harris Corporation |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 通孔 P 通道 100 V 12A（Tc） 75W（Tc） TO-220AB |
| 包装类型 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 300 毫欧 @ 6.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 500 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 75W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF9530主要特点
P 沟道增强型 MOSFET，适合高端开关应用
高电流能力：连续漏极电流可达 -14A，脉冲电流可达 -56A
高耐压：漏源电压最高可达 -100V
低导通电阻：Rds(on) ≤ 0.2Ω（Vgs = -10V）
快速开关速度：适合开关电源和 PWM 控制
TO-220 封装：便于散热和安装
宽工作温度范围：-55℃ ～ +150℃
低栅极电荷：Qg ≈ 58nC，便于快速驱动
可靠性高、功耗低：适合工业及消费电子功率管理
IRF9530典型应用
开关电源（SMPS）
电机驱动与控制
DC-DC 转换器
功率放大器
电池管理系统（BMS）
高端电源开关与反向保护
IRF9530引脚图及功能
IRF9530工作原理
IRF9530 属于 P 沟道增强型 MOSFET。当栅极电压相对于源极足够负（如 Vgs = -10V）时，器件导通，漏极电流从源极流向漏极；当 Vgs 接近 0V 或为正时，器件截止，阻止电流流动。
这种特性使其特别适合用作 电源高端开关，在与 N 沟道 MOSFET 配合时可构成全桥或半桥电路。
IRF9530用什么型号替代？
IRF9540（性能接近，-100V / -23A，电流更大）
STP12P45（-45V P 沟道 MOSFET）
IRF4905（-55V / -74A，低电压大电流替代）
AO3407A（小封装 P 沟道 MOSFET，适合便携式设备）