IRF830
2025-09-04 16:28:34
摘要：IRF830 是一款 N 沟道功率 MOSFET，由国际整流器公司（International Rectifier，现隶属于英飞凌 Infineon）推出，适用于中高压电源开关和电机控制。其耐压高、导通电阻低、开关速度快，被广泛用于电源逆变器、开关电源和照明驱动等领域。
什么是IRF830?
IRF830 采用 TO-220 封装，散热性能好，便于安装在电源和工业控制电路中。它具有较高的击穿电压和电流承载能力，并支持高频开关，能在较大功率条件下稳定工作。作为一种增强型 MOSFET，它能通过栅极电压控制源漏电流，实现高效的电子开关功能。
IRF830产品图片
IRF830中文参数
| 产品型号 | IRF830 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 通孔 N 通道 500 V 4.5A（Tc） 74W（Tc） TO-220AB |
| 包装类型 | 管件 |
| 零件状态 | 停产 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 610 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 74W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF830主要特点
N 沟道增强型 MOSFET
高耐压，适合中高压电路
开关速度快，适合高频应用
低导通电阻，提高能效
TO-220 封装，良好散热能力
可靠性高，应用范围广
IRF830典型应用
开关电源（SMPS）
逆变器与电机驱动
照明电子镇流器
UPS 与电源保护电路
高频变换器
工业与消费电子功率控制
IRF830引脚图及功能
IRF830工作原理
IRF830 基于 MOSFET 的 电压控制导通原理：
当栅极电压高于阈值电压时，形成导电沟道，源极与漏极导通，电流流动。
当栅极电压低于阈值时，沟道关闭，器件呈高阻状态，电流被阻断。
这种工作方式使其能在开关电路和放大电路中高效运行。
IRF830用什么型号替代？
IRF840（电压更高，电流能力接近）
STP9NK50Z（ST 出品，类似 N 沟道 MOSFET）
2SK2545（东芝替代型号）
FQP9N50C（Fairchild 同类产品）