IRLML6402TRPBF
2025-09-04 15:47:49
摘要：IRLML6402TRPBF 是一款 P沟道功率 MOSFET，由国际整流器公司（International Rectifier，现属 Infineon）推出。它具有 低导通电阻、低栅极电荷 的特性，适用于高效能、小型化的电源开关和负载控制场景。
描述
IRLML6402TRPBF 采用 SOT-23 表面贴装封装，体积小巧，适合高密度电路设计。其工作电压和电流性能使其在 DC-DC 转换器、负载切换开关、便携设备电源管理中表现优异。由于为 逻辑电平驱动型 MOSFET，它能够直接由单片机或低电压逻辑电路控制。
产品概述
| 产品型号 | IRLML6402TRPBF |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 表面贴装型 P 通道 20 V 3.7A（Ta） 1.3W（Ta） Micro3™/SOT-23 |
| 包装类型 | 卷带（TR） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
产品图片
IRLML6402TRPBF产品图片
规格参数
| 产品状态 | 在售 |
| FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.7A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 3.7A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12 nC @ 5 V |
| Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 633 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
主要特点
P 沟道功率 MOSFET，逻辑电平驱动
低导通电阻（降低功耗、提升效率）
低栅极电荷，驱动简单，适合高频应用
SOT-23 小封装，便于贴片工艺
具有 ESD 保护与高可靠性
适合电池供电及便携式应用
典型应用
便携设备的电源管理
电池保护电路
DC-DC 转换器
电机驱动与负载开关
消费电子及工业控制电路
单片机 IO 口直接控制的低压开关
引脚图及功能
工作原理
作为 P 沟道 MOSFET：
当栅极电压低于源极电压时，MOSFET 导通，电流从源极流向漏极。
当栅极电压接近源极时，MOSFET 关闭，阻断电流。
其逻辑电平特性使得在 2.5V–5V 逻辑电路下即可可靠驱动，无需额外驱动电路。
替代型号
SI2301CDS（P 沟道，SOT-23 封装，性能接近）
AO3407A（常用替代 P 沟道 MOSFET）
IRLML6401（同系列不同规格）
BSS84（小功率 P 沟道 MOSFET，适合低电流应用）