BS170
2025-10-20 10:08:02
摘要：BS170 是一款由 ON Semiconductor（原 Philips、Fairchild 等品牌亦有生产） 推出的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件以其结构简单、开关速度快、导通电阻低和易于驱动等特点，被广泛应用于小功率信号放大、低压开关、电平转换以及驱动电路中。
什么是BS170？
BS170 是一款经典的小信号 N 沟道 MOSFET，具备良好的线性特性与高输入阻抗，适合用作开关或低功率放大器件。由于其能够直接由微控制器端口驱动，广泛应用于 Arduino、树莓派等单片机控制场景。其结构稳定、成本低廉、通用性强，是电子设计中常见的基础元器件之一。
BS170产品图片
BS170中文参数
| 产品型号 | BS170 |
| 制造商 | onsemi |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 通孔 N 通道 60 V 500mA（Ta） 830mW（Ta） TO-92-3 |
| 包装类型 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 500mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 5 欧姆 @ 200mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 40 pF @ 10 V |
| 功率耗散（最大值） | 830mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-92-3 |
BS170主要特点
N 沟道增强型 MOSFET 结构，易于驱动
快速开关速度，适合高频信号开关应用
低导通损耗，提高能效
较高的输入阻抗，功耗低
可直接由 TTL 或 CMOS 电路驱动
封装紧凑，常见封装为 TO-92
BS170典型应用
小信号开关电路
电平转换器
微控制器输出负载驱动
继电器、LED、蜂鸣器低压控制
电源开关与脉宽调制控制
低功率放大电路
BS170引脚图及功能
BS170用什么型号替代？
2N7000（性能相近、常见替代型号）
BS250（P沟道版本）
IRLML2502、2N7002（SMD版本）
BS108、BS170A（同系列改进型号）