IRF730
2025-10-20 09:56:01
摘要：IRF730 是由 International Rectifier（现并入 Infineon） 推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具备高耐压、低导通电阻以及快速开关特性，常用于中高压电源开关、逆变器、照明镇流器以及电机控制等电力电子系统中。
什么是IRF730？
IRF730 是一款 400V 级别的中功率 N 沟道 MOSFET，具有良好的电流处理能力与高开关效率。其优化的沟道设计和低电荷栅极特性，使其能在高频高压电路中实现高效能量转换和低热损耗。凭借出色的稳定性与性价比，IRF730 被广泛用于电源变换、照明镇流器及工业控制设备中。
IRF730产品图片
IRF730中文参数
| 产品型号 | IRF730 |
| 制造商 | Harris Corporation |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管，FET，MOSFET |
| 描述 | 通孔 N 通道 400 V 5.5A（Tc） 100W（Tc） TO-220 |
| 包装类型 | 散装 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 400 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 欧姆 @ 3A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 24 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 530 pF @ 25 V |
| 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF730主要特点
高耐压设计，适用于高压开关场合
低导通电阻，减少功率损耗
优异的开关速度与开关能效
稳定的热性能与高可靠性
兼容标准驱动电路
封装形式：TO-220
IRF730典型应用
开关电源（SMPS）主功率开关
高压 DC-DC 转换器
灯具电子镇流器
电机驱动与继电器控制
UPS 与逆变器系统
IRF730引脚图及功能
替代型号
IRF740（耐压更高）
IRF720（耐压略低）
STF10N60M2（ST 高压 MOSFET）
2SK3563、FQPF9N60C、TK10A60D（不同品牌替代方案）